События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Во вторник, 20.05.2025 в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Щеглов Дмитрий Владимирович
«АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЯХ: МЕТРОЛОГИЯ, ДИАГНОСТИКА И ЛИТОГРАФИЯ»

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Ткаченко Ольга Александровна

с.н.с., к.ф.-м.н.

ЛТК

email:

Область научных интересов: физика, теория и численное моделирование, разработка прикладных программ для микро- и суперЭВМ, квантовые структуры и эффекты.

Образование:
1981 г. - окончила НГУ, кафедра физики плазмы по специальности физика
1990 г. - защитила кандидатскую диссертацию в НГУ
1991 г. - присвоено звание - с.н.с.

Трудовая деятельность: 1982-1994 Лаборатория терминальных систем НИЧ НГУ, стажер со специализацией в ИЯФ, м.н.с, н.с., с.н.с.
1994-1997 Докторантура НГУ, докторант.
1997-1998 Лаборатория терминальных систем НИЧ НГУ, в.н.с.
1998 - н.вр. с.н.с ИФП СО РАН, (1998-2001 лаб.26, 2000-2008 гр.30, 2008-н.в. лаб.20)

Педагогическая деятельность: внедрение в учебный процесс комплекса программ и задач "Квант", разработанного O.А.Ткаченко, Г.Л.Коткиным, В.А.Ткаченко и В.Г.Тупицыным.
1987 - 1995. Преподаватель -участник создания компьютерного практикума по квантовой механике для студентов 3 курса физфака НГУ.
1990 - 1995 Преподаватель -участник создания компьютерного практикума-спецкурса "Начала квантовой механики" в ФМШ при НГУ.

Премии и награды: серебряная медаль ВДНХ СССР за разработку комплекса Квант (1991).

Избранные публикации: с 1982 по 2013 г. опубликовано 125 научных работ. Среди опубликованных:

Обзоры собственных работ:

  • Ткаченко O.А., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Латышев А.В., Асеев А.Л.//Интроскопия квантовых наноэлектронных устройств. Российские нанотехнологии. 2010. Т.5. С.117-127.
  • О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко// Суперкомпьютерное моделирование полупроводниковых квантовых наносистем. Вычислительные методы и программирование: новые вычислительные технологии, 2012, т. 13, стр. 253-262.

Оригинальные работы:

  • Бушкова О.А., Мирнов В.В. // Влияние конфигурации магнитного поля на МГД-устойчивость газодинамической ловушки. Вопросы атомной науки и техники, серия термоядерный синтез, выпуск 2, 1986. с.19-24.
  • Мирнов В.В., Ткаченко О. А. // Распределение электростатического потенциала в газодинамической ловушке/ Препринт 86-28 ИЯФ СО РАН СССР.1986. C.29.
  • Kotkin G.L., Tkachenko O.A., Tkachenko V.A.//Penetration of potential barriers (Computer laboratory of Novosibirsk State University)// Siberian Journal of Physics 1993. No 1. P.34-39; Kvant - software for teaching quantum mechanics (http://quantx.sourceforge.net) 2011.
  • Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Baksheyev D. G. //Multiple-quantum resonant reflection of ballistic electrons from a high-frequency potential step. Phys. Rev. B. 1995. V.53. P. 4672-4676.
  • Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Baksheyev D. G.// Resonant Reflection, Cooling, and Quasitrapping of Ballistic Electrons by Dynamic Potential Barriers. Phys. Rev. B. 1996. V.54. P. 13452-13456.
  • Tkachenko O.A., Tkachenko V.A., Baksheyev D.G., Jaroshevich A.S.// Windows of full photon-assisted electron transmission via Stark ladder of semiconductor superlattice/ Compound Semiconductors-95, Inst. Phys. Conf. Ser. No 145 (IOP, 1996). Chapter 10. P.1193-1198.
  • Panaev I. A., Studenikin S. A., Tkachenko V. A., Tkachenko O. A., Heremans J. P., Partin D. L., Morelli D. T., Thrush C.M.// An investigation of the multicarrier transport properties of delta-doped InSb at high temperatures using a mobility spectrum technique. Sem. Sci. Technol. 1996. V.11, P.1857-1862.
  • Горохов Е. Б., Романов Д. А., Студеникин С. А., Ткаченко В. А, Ткаченко О. А.// Влияние немонотонного профиля потенциала на краевые магнитные состояния. ФТПП. 1998. Т.32. С.1083-1088.
  • Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Бакшеев Д.Г., Квон З.Д., Портал Ж.К.// Электростатический потенциал, энергетический спектр и резонансы Фано в кольцевом баллистическом интерферометре на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs. Письма в ЖЭТФ. 2000. Т.71, С.366-371.
  • Tkachenko O.A., Tkachenko V.A., Baksheyev D.G., Pyshkin K.S., Harrell R.H., Linfield E.H., Ritchie D.A., Ford C.J.B. // Electrostatic potential and quantum transport in a one-dimensional channel of an induced two-dimensional electron gas. J. Appl. Phys. 2001. V. 89, P.4993-5000.
  • Liang C.-T., Tkachenko O.A., Tkachenko V.A., Baksheyev D.G., Simmons M.Y., Ritchie D.A., Pepper M // Gradual decrease of conductance of an adiabatic ballistic constriction below 2e2/h. Phys. Rev. B. 2004. V.70, P.195324.
  • Ткаченко О. А., Ткаченко В. А., Бакшеев Д. Г.// Волновые функции баллистического электрона и отрицательное магнитосопротивление в малом кольцевом интерферометре. Письма в ЖЭТФ. 2004. Т.79. С.351-355.
  • Renard V.T., Tkachenko O.A., Tkachenko V.A., Ota T., Kumada N., Portal J. C., Hirayama Y // Boundary-Mediated Electron-Electron Interactions in Quantum Point Contacts. Phys. Rev. Lett. 2008. V.100, P.186801.
  • Tkachenko O. A., Tkachenko V. A., Kvon Z. D., Aseev A. L., Portal J.-C. // Quantum interferential Y-junction swith. Nanotechnology. 2012. V.23. P.095202.
  • Ткаченко O.А., Ткаченко В.А.// О температурной зависимости аномальных особенностей кондактанса и термо-ЭДС в квантовых точечных контактах. Письма в ЖЭТФ. 2012. Т.96, С.804-808.
  • Ткаченко O.А., Ткаченко В.А. Портал Ж.К.// Дрейф фазы и температурное упорядочение h/e-осцилляций в малом кольцевом интерферометре. Письма в ЖЭТФ. 2013. Т.97, С.13-17.