СОТРУДНИКИ

Емельянов Евгений Александрович

инженер

тел. 333-32-86

201 ЛТК

e-mail:

Окончил Новосибирский Государственный Технический Университет по направлению «Электроника и микроэлектроника».

С 2005 начал научную практику в Институте физики полупроводников в лаб.№16.

С 2008 по 2011 год обучался в аспирантуре института физики полупроводников по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния». Тема работы: «МЛЭ твердых растворов соединений A^IIIB^V: встраивание атомов мышьяка и фосфора из различных молекулярных форм».

В настоящее время работает в лаборатории № 17.

Область научных интересов:

• МЛЭ A³B⁵, твёрдые растворы A³B⁵, перспективные материалы и технологии.

Перечень основных работ:

1. M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, D. F. Fёklin, N. A. Pakhanov, E. A. Emelianov and S. I. Chikichev, A valved cracking phosphorus beam source using InP thermal decomposition and its application to MBE growth, Semiconductor Science and Technology volume 24 №5 055015 2009.
2. Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, Формирование методом МЛЭ напряженных короткопериодных сверхрешеток InAs/GaSb II-типа для фотоприемников ИК диапазона, Журнал «Автометрия» 2011, Т. 47, № 5 – стр. 43 -51.
3. Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.К. Гутаковский, А.П. Василенко, В.А. Селезнёв, Д.С. Абрамкин, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, N. Zhicuan. N. Haiqiao, Гетероэпитаксия плёнок A^IIIB^V на вицинальных подложках Si(001), Журнал «Автометрия» 2014, Т. 50, № 3 – стр. 13 -22.
4. Weiguo Sun , Huitao Fan, Zhenyu Peng, Liang Zhang, Xiaolei Zhang, Lei Zhang, Zhengxiong Lu, Junjie Si, E. Emelyanov, M. Putyato, B. Semyagin, O. Pchelyakov, V. Preobrazhenskii, Photodiode properties of molecular beam epitaxial InSb on a heavily doped substrate, Infrared Physics & Technology 62 (2014) 143–146.