События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное







Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп (СВВ ОЭМ) - не имеющий аналогов в России уникальный микроскоп, позволяющий проводить in situ эксперименты при высоких температурах, имеет высокую чувствительность к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней... читать далее>>>

Просвечивающие электронные микроскопы высокого разрешения (ПЭМ) - позволяют по изображениям, полученным с атомным разрешением, и картинам дифракции электронов характеризовать структурные дефекты, определять такие важные параметры низкоразмерных систем, как пространственное расположение квантовых объектов их размеры... читать далее>>>

Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) - предназначен для исследования морфологии и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности и анализа химического состава приповерхностного слоя методами EDX... читать далее>>>

Установка фокусированных ионных пучков (ФИП) - совмещающая растровую электронную микроскопию с ионным пучком, широко применяется в современных полупроводниковых технологиях, научных исследованиях, а также для решения прикладных задач препарирования образцов для электронной микроскопии... читать далее>>>

Атомно-силовые микроскопы (АСМ) - предназначены для трёхмерных измерения линейных размеров элементов структур, микро- и нанорельефа поверхности конденсированных сред, модификации (литографии) поверхности зондом микроскопа... читать далее>>>

Оптический литограф - применяется для непосредственного формирования топологических структур на полупроводниковых пластинах и изготовления промежуточных шаблонов при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники... читать далее>>>

Электронный литограф - используется для формирования структур различного применения с размерами от 20 нм, создания промежуточных шаблонов для оптической литографии и сканирования поверхности образцов с большим увеличением в автоматическом режиме... читать далее>>>

Четырёхзондовая станция - предназначена для проведения точных и надежных измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в непрерывном или импульсном режиме на пластине, возможных только при осуществлении качественного, стабильного и надежного контакта, не разрушающего измеряемое устройство... читать далее>>>