События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Сверхвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп (СВВ ОЭМ) - не имеющий аналогов в России уникальный микроскоп, позволяющий проводить in situ эксперименты при высоких температурах, имеет высокую чувствительность к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней... читать далее>>>

Просвечивающие электронные микроскопы высокого разрешения (ПЭМ) - позволяют по изображениям, полученным с атомным разрешением, и картинам дифракции электронов характеризовать структурные дефекты, определять такие важные параметры низкоразмерных систем, как пространственное расположение квантовых объектов их размеры... читать далее>>>

Сканирующий электронный микроскоп (СЭМ) - предназначен для исследования морфологии и измерение линейных размеров микрорельефа поверхности и анализа химического состава приповерхностного слоя методами EDX... читать далее>>>

Установка фокусированных ионных пучков (ФИП) - совмещающая растровую электронную микроскопию с ионным пучком, широко применяется в современных полупроводниковых технологиях, научных исследованиях, а также для решения прикладных задач препарирования образцов для электронной микроскопии... читать далее>>>

Атомно-силовые микроскопы (АСМ) - предназначены для трёхмерных измерения линейных размеров элементов структур, микро- и нанорельефа поверхности конденсированных сред, модификации (литографии) поверхности зондом микроскопа... читать далее>>>

Оптический литограф - применяется для непосредственного формирования топологических структур на полупроводниковых пластинах и изготовления промежуточных шаблонов при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники... читать далее>>>

Электронный литограф - используется для формирования структур различного применения с размерами от 20 нм, создания промежуточных шаблонов для оптической литографии и сканирования поверхности образцов с большим увеличением в автоматическом режиме... читать далее>>>

Четырёхзондовая станция - предназначена для проведения точных и надежных измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в непрерывном или импульсном режиме на пластине, возможных только при осуществлении качественного, стабильного и надежного контакта, не разрушающего измеряемое устройство... читать далее>>>