События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник, 20.05.2025 в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Щеглов Дмитрий Владимирович
«АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЯХ: МЕТРОЛОГИЯ, ДИАГНОСТИКА И ЛИТОГРАФИЯ»

Во вторник, 13.05.2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится открытый лабораторный семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
"Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при сублимации и эпитаксиальном росте"

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

РАЗРАБОТКИ

Сканирующий эллипсометр высокого пространственного разрешения «МИКРОСКАН-М»

Назначение

Исследование распределения физических свойств по площади образца

Характеристики

  • Длина волны света 633 нм;
  • Область сканирования 150х150 мм;
  • Локальность измерений 10 мкм.

Спектральный эллипсометрический комплекс «ЭЛЛИПС-1891 САГ»

Назначение

  • измерение спектров оптических постоянных;
  • исследование многослойных структур.

Характеристики

  • Спектральный диапазон 250 – 1000 нм;
  • Спектральное разрешение 3 нм;
  • USB соединение с компьютером;
  • Программное обеспечение с библиотекой спектров оптических постоянных.

Лазерный эллипсометр высокого временного разрешения ЛЭФ-752

Назначение

  • исследования ex-situ слоистых структур,
  • исследования быстропротекающих процессов.

Характеристики

  • Длина волны света – 633 нм;
  • Время измерения – 1 мс;
  • Чувствительность:
    по толщине – 0.1 А;
    по показателю преломления – до 0.001
  • USB соединение с компьютером.

Аналитический комплекс для характеризации поверхности методом полной эллипсометрии

Предназначен

для диагностики поверхности шероховатых, неоднородных и анизотропных материалов методом полной эллипсометрии.

Область применения

Измерение анизотропных и рассеивающих образцов, например, пористый кремний, солнечные элементы.

Основные технические характеристики

  • Погрешность определения элементов матрицы Мюллера не хуже 0,002
  • Время полного измерения матрицы 5 сек
  • Диаметр зондирующего пятна на образце 3 мм.

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Назначение

Характеризация поверхности методом обзорной эллипсометрии

Технические характеристики

  • спектральный диапазон, нм - 370-950;
  • разрешение по площади, мкм – 10;
  • чувствительность к изменению толщины слоя, нм - 0.1;
  • время единичного измерения 30 мс/кадр;
  • максимальное разрешение, пикселей - 1280×1024;
  • размер пикселя, мкм – 5,2×5,2;
  • размер зондируемой области, мм – 10×20;

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Позволяет решать задачи

  1. проводить in situ исследование кинетики роста оксидных покрытий в широком диапазоне концентраций и температур электролита;
  2. в процессе роста осуществлять технологический экспресс-контроль оптических свойств, толщин и качества пленок в широком диапазоне толщин (10-2000 нм) растущего оксида.

Вакуумный эллипсометрический комплекс ВЭК-600

Комплекс предназначен для проведения высокоточных эллипсометрических исследований в широком диапазоне температур (20-600°С) в условиях вакуума (до 10-3 Pa) и в различных газовых средах.

Спектральный плазмон-эллипсометрический комплекс «Эллипс-СПЭК»