Новости



Спин-детектор планируется установить на оборудовании станции СКИФ первой очереди
Создание спинового триода — значительный шаг к вакуумной спинтронике — направлению электроники будущего


События

В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

В понедельник, 30 сентября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»

На 22 апреля 2025 г. запланировано проведение Конкурса научных работ сотрудников ИФП СО РАН.
Желающим принять участие в конкурсе необходимо до 4 апреля 2025 г. предоставить ученому секретарю Института комплект документов

В среду, 19 марта 2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: д.ф.-м.н., профессор РАН Сачков Михаил Евгеньевич директор Института астрономии РАН
«Ультрафиолетовая Вселенная: задачи и перспективы исследования»

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований международными научными коллективами» (совместно Государственным фондом естественных наук Китая – NSFC)
Заявки принимаются до 25.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

РАЗРАБОТКИ

Сканирующий эллипсометр высокого пространственного разрешения «МИКРОСКАН-М»

Назначение

Исследование распределения физических свойств по площади образца

Характеристики

  • Длина волны света 633 нм;
  • Область сканирования 150х150 мм;
  • Локальность измерений 10 мкм.

Спектральный эллипсометрический комплекс «ЭЛЛИПС-1891 САГ»

Назначение

  • измерение спектров оптических постоянных;
  • исследование многослойных структур.

Характеристики

  • Спектральный диапазон 250 – 1000 нм;
  • Спектральное разрешение 3 нм;
  • USB соединение с компьютером;
  • Программное обеспечение с библиотекой спектров оптических постоянных.

Лазерный эллипсометр высокого временного разрешения ЛЭФ-752

Назначение

  • исследования ex-situ слоистых структур,
  • исследования быстропротекающих процессов.

Характеристики

  • Длина волны света – 633 нм;
  • Время измерения – 1 мс;
  • Чувствительность:
    по толщине – 0.1 А;
    по показателю преломления – до 0.001
  • USB соединение с компьютером.

Аналитический комплекс для характеризации поверхности методом полной эллипсометрии

Предназначен

для диагностики поверхности шероховатых, неоднородных и анизотропных материалов методом полной эллипсометрии.

Область применения

Измерение анизотропных и рассеивающих образцов, например, пористый кремний, солнечные элементы.

Основные технические характеристики

  • Погрешность определения элементов матрицы Мюллера не хуже 0,002
  • Время полного измерения матрицы 5 сек
  • Диаметр зондирующего пятна на образце 3 мм.

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Назначение

Характеризация поверхности методом обзорной эллипсометрии

Технические характеристики

  • спектральный диапазон, нм - 370-950;
  • разрешение по площади, мкм – 10;
  • чувствительность к изменению толщины слоя, нм - 0.1;
  • время единичного измерения 30 мс/кадр;
  • максимальное разрешение, пикселей - 1280×1024;
  • размер пикселя, мкм – 5,2×5,2;
  • размер зондируемой области, мм – 10×20;

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Позволяет решать задачи

  1. проводить in situ исследование кинетики роста оксидных покрытий в широком диапазоне концентраций и температур электролита;
  2. в процессе роста осуществлять технологический экспресс-контроль оптических свойств, толщин и качества пленок в широком диапазоне толщин (10-2000 нм) растущего оксида.

Вакуумный эллипсометрический комплекс ВЭК-600

Комплекс предназначен для проведения высокоточных эллипсометрических исследований в широком диапазоне температур (20-600°С) в условиях вакуума (до 10-3 Pa) и в различных газовых средах.

Спектральный плазмон-эллипсометрический комплекс «Эллипс-СПЭК»