События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное







Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

РАЗРАБОТКИ

Сканирующий эллипсометр высокого пространственного разрешения «МИКРОСКАН-М»

Назначение

Исследование распределения физических свойств по площади образца

Характеристики

  • Длина волны света 633 нм;
  • Область сканирования 150х150 мм;
  • Локальность измерений 10 мкм.

Спектральный эллипсометрический комплекс «ЭЛЛИПС-1891 САГ»

Назначение

  • измерение спектров оптических постоянных;
  • исследование многослойных структур.

Характеристики

  • Спектральный диапазон 250 – 1000 нм;
  • Спектральное разрешение 3 нм;
  • USB соединение с компьютером;
  • Программное обеспечение с библиотекой спектров оптических постоянных.

Лазерный эллипсометр высокого временного разрешения ЛЭФ-752

Назначение

  • исследования ex-situ слоистых структур,
  • исследования быстропротекающих процессов.

Характеристики

  • Длина волны света – 633 нм;
  • Время измерения – 1 мс;
  • Чувствительность:
    по толщине – 0.1 А;
    по показателю преломления – до 0.001
  • USB соединение с компьютером.

Аналитический комплекс для характеризации поверхности методом полной эллипсометрии

Предназначен

для диагностики поверхности шероховатых, неоднородных и анизотропных материалов методом полной эллипсометрии.

Область применения

Измерение анизотропных и рассеивающих образцов, например, пористый кремний, солнечные элементы.

Основные технические характеристики

  • Погрешность определения элементов матрицы Мюллера не хуже 0,002
  • Время полного измерения матрицы 5 сек
  • Диаметр зондирующего пятна на образце 3 мм.

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Назначение

Характеризация поверхности методом обзорной эллипсометрии

Технические характеристики

  • спектральный диапазон, нм - 370-950;
  • разрешение по площади, мкм – 10;
  • чувствительность к изменению толщины слоя, нм - 0.1;
  • время единичного измерения 30 мс/кадр;
  • максимальное разрешение, пикселей - 1280×1024;
  • размер пикселя, мкм – 5,2×5,2;
  • размер зондируемой области, мм – 10×20;

Матричный эллипсометрический комплекс МЭК-2

Позволяет решать задачи

  1. проводить in situ исследование кинетики роста оксидных покрытий в широком диапазоне концентраций и температур электролита;
  2. в процессе роста осуществлять технологический экспресс-контроль оптических свойств, толщин и качества пленок в широком диапазоне толщин (10-2000 нм) растущего оксида.

Вакуумный эллипсометрический комплекс ВЭК-600

Комплекс предназначен для проведения высокоточных эллипсометрических исследований в широком диапазоне температур (20-600°С) в условиях вакуума (до 10-3 Pa) и в различных газовых средах.

Спектральный плазмон-эллипсометрический комплекс «Эллипс-СПЭК»