События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

новости науки

01.11.12
Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны

Изучено влияние продольного электрического поля поверхностной акустической волны (ПАВ) на кинетику экситонной фотолюминесценции (ФЛ) в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода с XZ и XXY нижним электронным состоянием. Обнаружено, что применение электрического поля ПАВ приводит сначала к увеличению интенсивности ФЛ свободных экситонов, а затем к ускорению всех типов экситонных переходов. Показано, что оба эффекта являются результатом взаимодействия носителей заряда, выброшенных электрическим полем ПАВ с мелких уровней, образованных флуктуациями толщины слоев СР 1) друг с другом и 2) с экситонами. В первом случае, носители заряда формируют добавочные экситоны, что приводит к увеличению их интенсивности ФЛ. Во втором случае, соударение этих носителей заряда с экситонами, описываемое законом Таунсенда-Шокли (W=W0*exp(-EA/e×F×leff)), приводит к делокализации экситонов с их последующим захватом на центры безызлучательной рекомбинации, что и вызывает ускорение кинетики экситонной ФЛ. Д.В.Гуляев