Изучено влияние продольного электрического поля поверхностной акустической волны (ПАВ) на кинетику экситонной фотолюминесценции (ФЛ) в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода с XZ и XXY нижним электронным состоянием. Обнаружено, что применение электрического поля ПАВ приводит сначала к увеличению интенсивности ФЛ свободных экситонов, а затем к ускорению всех типов экситонных переходов. Показано, что оба эффекта являются результатом взаимодействия носителей заряда, выброшенных электрическим полем ПАВ с мелких уровней, образованных флуктуациями толщины слоев СР 1) друг с другом и 2) с экситонами. В первом случае, носители заряда формируют добавочные экситоны, что приводит к увеличению их интенсивности ФЛ. Во втором случае, соударение этих носителей заряда с экситонами, описываемое законом Таунсенда-Шокли (W=W0*exp(-EA/e×F×leff)), приводит к делокализации экситонов с их последующим захватом на центры безызлучательной рекомбинации, что и вызывает ускорение кинетики экситонной ФЛ. Д.В.Гуляев
Новости
Летный образец разработан и изготовлен в Институте физики полупроводников в рамках научной программы «Роскосмоса» по заказу РКК «Энергия»
События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
Важное
 | Российская конференция и школа молодых ученых 8-12 сентября 2025 года |
Региональный конкурс предоставление грантов в форме субсидий, проводимый Российским научным фондом и Новосибирской областью «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 02.10.2025
Подробнее о конкурсе
Поступление в образовательные организации высшего образования
новости науки
|
01.11.12
| Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны |
|
|
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo} | ![[Контакты]](/img/contacts.gif) | ![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif) | ![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg) |
![[Закупки]](/img/gos.gif) |