События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

Важное







Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами»
Заявки принимаются до 13.11.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

новости науки

01.11.12
Kinetics of Band Bending and Electron Affinity at GaAs(001) Surface with Nonequilibrium Cesium Overlayers

Атомные и электронные релаксационные процессы, происходящие на поверхности полупроводников при адсорбции, диффузии и аккомодации адатомов, представляют научный интерес и оказывают влияние на работу полупроводниковых приборов, таких как GaAs(Cs,O) фотокатоды с отрицательным электронным сродством, однако физическая картина этих процессов далека от завершенности. Нами проанализированы различия в кинетике тока фотоэмиссии при различных величинах потока цезия на поверхность сильнолегированного p-GaAs. Эти различия свидетельствуют о незавершенности процесса аккомодации атомов цезия на поверхности GaAs(001). Изучена эволюция спектров квантового выхода фотоэмиссии границы раздела Cs/GaAs(001) в процессе нанесения цезия и последующей релаксации адсорбционного слоя после выключения цезиевого источника. По поведению спектрального порога фотоэмиссии установлено, что эффективное электронное сродство как функция цезиевого покрытия Cs ведет себя немонотонно и проходит через минимум вблизи θCs=0.5 ML. На основе полученных данных получена возможная микроскопическая картина неравновесных процессов на поверхности Cs/GaAs(001). Результаты данной работы представлены на конференции "31st International Conference on the Physics of Semiconductors", Цюрих, Швейцария, 29 июля - 3 августа 2012.  А.Г.Журавлев