Атомные и электронные релаксационные процессы, происходящие на поверхности полупроводников при адсорбции, диффузии и аккомодации адатомов, представляют научный интерес и оказывают влияние на работу полупроводниковых приборов, таких как GaAs(Cs,O) фотокатоды с отрицательным электронным сродством, однако физическая картина этих процессов далека от завершенности. Нами проанализированы различия в кинетике тока фотоэмиссии при различных величинах потока цезия на поверхность сильнолегированного p-GaAs. Эти различия свидетельствуют о незавершенности процесса аккомодации атомов цезия на поверхности GaAs(001). Изучена эволюция спектров квантового выхода фотоэмиссии границы раздела Cs/GaAs(001) в процессе нанесения цезия и последующей релаксации адсорбционного слоя после выключения цезиевого источника. По поведению спектрального порога фотоэмиссии установлено, что эффективное электронное сродство как функция цезиевого покрытия Cs ведет себя немонотонно и проходит через минимум вблизи θCs=0.5 ML. На основе полученных данных получена возможная микроскопическая картина неравновесных процессов на поверхности Cs/GaAs(001). Результаты данной работы представлены на конференции "31st International Conference on the Physics of Semiconductors", Цюрих, Швейцария, 29 июля - 3 августа 2012. А.Г.Журавлев
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo}
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)