События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/


Взаимодействие экситонов в КТ с поверхностными плазмонами, локализованными в металлических частицах, может значительно повысить эффективность излучения КТ...

Взаимодействие экситонов в КТ с поверхностными плазмонами, локализованными в металлических частицах, может значительно повысить эффективность излучения КТ. Для получения металлических частиц нами предложено использовать начальную стадию нанокапельной эпитаксии – массив капель металла III группы на подложке. При этом распределение упругих напряжений приведёт к самосовмещению капли и КТ, и расстояние в паре будет определяться толщиной буферного слоя. Важным преимуществом такого подхода является его совместимость с МЛЭ технологией.

В данной работе проведено численное исследование поверхностного плазмонного резонанса (ППР) в металлических нанокаплях, используя приближение дискретных диполей. Были изучены зависимости ППР в каплях от материала и размера. Показано, что положение резонанса линейно зависит от размера капли и при изменении радиуса от 60 до 210 нм резонансный пик смещается от 0.5 до 1.2 мкм. Для тонкой постростовой подстройки резонанса предложено использовать плазменное окисление. Проведено моделирование двухслойных систем, состоящих из капли с оксидной плёнкой, и получены оценки величины сдвига линии как функции толщины оксидной плёнки. Таким образом, положением ППР в металлических каплях можно управлять для совмещения с резонансом КТ.

Работа представлена на XШ Международной школе-семинаре по люминесценции и лазерной физике, 16-22 июля 2012, Иркутск. А.А.Лямкина.