ПЕРЕЧЕНЬ ПОЛУЧЕННЫХ СОТРУДНИКАМИ ДИПЛОМОВ, ПРЕМИЙ, ГРАМОТ, НАГРАД

2022

Коллектив авторов: Мансуров В.Г., Малин Т.В., Тийс С.А., Милахин Д.С., Журавлев К.С.: 3-я премия на конкурсе научных работ ИФП СО РАН за работу «Графеноподобная модификация нитрида кремния g-Si₃N₃ на поверхности кремния Si(111)";

Милахин Д.С.:

1. Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики, на 2022-2024 годы за работу «Изучение поведения двумерных горячих электронов в сильных электрических полях в нитрид-галлиевых наногетероструктурах с повышенной локализацией электронов», январь 2022 года;
2. Именная стипендия им. А.В. Ржанова на конкурсе стипендий ИФП СО РАН для молодых ученых за работу «Эволюция поверхностных состояний в процессе in situ пассивации поверхности гетероструктуры AlN/GaN слоем SiN», ноябрь 2022 года.

2023

Коллектив авторов: Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, О.Е. Терещенко, Д.Ю. Протасов, И.А. Александров, И.Д. Лошкарёв и К.С. Журавлев: 1 премия в конкурсе научных работ ИФП СО РАН за работу "Рост in situ пассивированных SiN/AlN/GaN гетероструктур с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов";

Малин Т.В.: поощрительная премия лучшему докладчику из числа призеров за работу "Рост in situ пассивированных SiN/AlN/GaN гетероструктур с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов";

Милахин Д.С.: сертификат за победу в конкурсе «Молодые ученые 2.0» Фонда поддержки молодых ученых имени Геннадия Комиссарова за работу «Разработка технологии роста гетероструктур с двумерным газом на основе соединений нитрида галлия-нитрида алюминия на кремнии и карбиде кремния для твердотельной СВЧ и силовой электроники»;

Башкатов Д.Д.: диплом бакалавра, программа бакалавриата по направлению подготовки «28.03.01 Нанотехнологии и микросистемная техника», дата выдачи 22.06.2023.

Башкатов Д.Д.: диплом 3 степени за участие в международной олимпиаде «Инженерный прорыв: магистратура в квадрате» по направлению «Нанотехнологии и микросистемная техника», дата проведения: 10.04.2023–15.04.2023, место проведения: г. Новосибирск, Новосибирский государственный технический университет.

2024

Башкатов Д.Д.: Грант Новосибирского государственного технического университета № 001 — НСГ — 24 на период с 01.09.24 по 31.08.25 за работу «Технология формирования гетероструктур AlGaN/AlN/GaN с двумерным электронным газом на инородных подложках методом аммиачной МЛЭ»;

Майдэбура Я.Е.:

1. Именная стипендия Правительства Новосибирской области за работу "Формирование квантовых точек GaN для высокотемпературных источников одиночных фотонов";
2. Стипендия Президента Российской Федерации для аспирантов и адъюнктов за работу в рамках диссертации "Механизмы формирования GaN квантовых точек при аммиачной МЛЭ";