Новости

24.04.25

Назад в будущее: первый в мире спиновый триод на основе наномембранного спин-детектора электронов сделали сибирские физики

Спин-детектор планируется установить на оборудовании станции СКИФ первой очереди
Создание спинового триода — значительный шаг к вакуумной спинтронике — направлению электроники будущего

21.04.25

Новости

К юбилею Виктора Яковлевича Принца

События

26.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

05.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

20.12.24

Диссовет

Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

11.11.24

Новости

Конкурс стипендий ИФП СО РАН

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

24.09.24

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 30 сентября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

07.04.25

Семинары

Институтский семинар

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

04.04.25

Семинары

Институтский семинар

В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaP_xAs_(1-x)(001) и InAs_xSb_(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»

20.03.25

Новости

Конкурс научных работ сотрудников ИФП СО РАН

На 22 апреля 2025 г. запланировано проведение Конкурса научных работ сотрудников ИФП СО РАН.
Желающим принять участие в конкурсе необходимо до 4 апреля 2025 г. предоставить ученому секретарю Института комплект документов

17.03.25

Семинары

Институтский семинар

В среду, 19 марта 2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: д.ф.-м.н., профессор РАН Сачков Михаил Евгеньевич директор Института астрономии РАН
«Ультрафиолетовая Вселенная: задачи и перспективы исследования»

Важное

Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года

КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Конкурс РНФ на получение грантов по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых»
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых» (имеющие прикладной характер)
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

НОВОСТИ МИНОБРНАУКИ

Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

СОТРУДНИКИ

Милахин Денис Сергеевич

заведующий лабораторией,
к.ф.-м.н., н.с.

Контакты:

раб. тел.: 8(383) 330-44-74
моб. тел.: 8(923) 143-70-37
E-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Научная деятельность заключается в теоретическом и экспериментальном изучении физических процессов, протекающих при формировании полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) А3-нитридов методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака (NH3-МЛЭ) на подложках сапфира (Al2O3), кремния (Si) и карбида кремния (SiC) для СВЧ и силовых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) и для УФ фотоприемников солнечно-слепого и видимо-слепого диапазона длин волн, а также в формировании и исследовании А3-нитридных низкоразмерных (графеноподобные слои, квантовые точки) объектов.

В 2021 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по направлению 01.04.10 «Физика полупроводников» на тему «Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии».