Новости

09.06.25

Магистрант НГТУ НЭТИ в составе научной группы ИФП СО РАН участвует в разработке высокочувствительных биосенсоров для персонализированной медицины

Источник: сайт НГТУ НЭТИ

29.05.25

Новости

На общем собрании РАН отметили достижения ученых Института физики полупроводников

События

29.05.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета ИФП СО РАН

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

26.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

05.02.25

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

20.12.24

Диссовет

Защиты диссертаций

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

15.11.24

Ученый совет

Заседание Ученого совета

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

11.11.24

Новости

Конкурс стипендий ИФП СО РАН

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

27.05.25

Аспирантура

Прием в аспирантуру

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

20.06.25

Семинары

Институтский семинар

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

09.06.25

Семинары

Лабораторный семинар

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

06.06.25

Семинары

Лабораторный семинар

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное

Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года

КОНКУРСЫ И ГРАНТЫ

Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

НОВОСТИ МИНОБРНАУКИ

Опрос Минобрнауки России

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

СОТРУДНИКИ

Милахин Денис Сергеевич

заведующий лабораторией,
к.ф.-м.н., н.с.

Контакты:

раб. тел.: 8(383) 330-44-74
моб. тел.: 8(923) 143-70-37
E-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Научная деятельность заключается в теоретическом и экспериментальном изучении физических процессов, протекающих при формировании полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) А3-нитридов методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака (NH3-МЛЭ) на подложках сапфира (Al2O3), кремния (Si) и карбида кремния (SiC) для СВЧ и силовых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) и для УФ фотоприемников солнечно-слепого и видимо-слепого диапазона длин волн, а также в формировании и исследовании А3-нитридных низкоразмерных (графеноподобные слои, квантовые точки) объектов.

В 2021 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по направлению 01.04.10 «Физика полупроводников» на тему «Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии».