События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

СОТРУДНИКИ

Протасов Дмитрий Юрьевич

Старший научный сотрудник
к.ф.-м.н.

тел. (383) 333-19-54

e-mail:

Кабинет 349a, 114, Термокорпус ИФП

Научная деятельность
Исследование процессов переноса носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах.

Образование
Оптико-электронный факультет СГГА в 1996 г. по специальности инженер-оптик по информационным системам
Защитил кандидатскую диссертацию в 2008 г. по теме «Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в плёнках МЛЭ p-CdxHg1-xTe».

Трудовая деятельность
С 1997 г. по настоящее время – инженер, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник ИФП СО РАН.
С 2015 г. по настоящее время – доцент НГТУ.

Общее число публикаций в рецензируемых журналах - 45.
Избранные публикации
  1. D. Yu. Protasov and K. S. Zhuravlev, “The Influence of Impurity Profiles on Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures Modulation-Doped by Donors and Acceptors”, Solid State Electronics, V.129, Pp. 66-72 (2017).
  2. Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С.Журавлев, «Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом», ФТП, 2013, Т. 47, вып. 1, С. 36-47.
  3. D. Yu. Protasov, Wen-Bin Jian, K.A.Svit, T.A.Duda, S.A.Teys, A.S. Kozhuhov, L.L.Sveshnikova, K.S.Zhuravlev «Formation of Arrays of Free Standing CdS Quantum Dots Using the Langmuir-Blodgett Technique», The Journal of Physical Chemistry С, 2011, 115 (41), pp 20148–20152