Ребята узнали, как вырастить кристаллическую пленку для транзисторов с высокой подвижностью электронов, увидеть в наноструктуре отдельные атомы, «рисовать» с помощью электронного микроскопа, как сделать эталонную линейку для наномира, создать полупроводниковый прибор.

О фотоэлектронном спектрометре для исследования электронной структуры кристаллов методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением (ARPES) рассказал научный сотрудник лаборатории физики и технологии гетероструктур Владимир Андреевич Голяшов.

В лаборатории ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики научный сотрудник Илья Александрович Милёхин рассказал ребятам о возможностях новейшего комплекса оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA и о новом методе спектроскопии комбинационного рассеяния света, позволяющем исследовать нанометровые объекты.

В лаборатории нанодиагностики и нанолитографии школьники узнали о современных способах изучения и модификации поверхности, познакомились с работой сверхвысоковакуумного отражательного электронного микроскопа. Такой прибор есть только в Институте физики полупроводников СО РАН. От младшего научного сотрудника лаборатории Сергея Артемьевича Пономарева школьники узнали о способах манипулирования атомными ступенями на поверхности кремния.

Об установке аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии нитрид-галлиевых полупроводниковых структур участникам экскурсии рассказал заведующий молодежной лабораторией Денис Сергеевич Милахин. Получаемые на такой установке материалы используются для создания элементной базы силовой и СВЧ электроники, в том числе для устройств связи нового поколения – 5G, 6G.