События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

На секции «Физика твердого тела» Международной студенческой конференции (МНСК), прошедшей в Институте физики полупроводников, тридцать три участника из вузов и НИИ России и Казахстана рассказали о результатах своих исследований. Работы представили студенты и аспиранты Новосибирского госуниверситета, Московского физико-технического института, Санкт-Петербургского госуниверситета, Томского госуниверситета, Томского политехнического университета, Московского института электронной техники, Дальневосточного федерального университета, Восточно-Казахстанского технического университета им. Д. Серикбаева, Института геохимии им А.П. Виноградова СО РАН.

Молодые ученые (выступали не только старшекурсники, но и учащиеся первого и второго курсов) поделились достижениями в области роста сложных кристаллических материалов, их диагностики, исследования электрофизических и механических свойств, изучения транспортных свойств, электрон-электронного взаимодействия в мезоскопических системах, топологических изоляторах, сверхпроводящих системах.

Поздравляем дипломантов I степени:

Дмитрия Александровича Егорова, студента 1 курса магистратуры НГУ (руководитель Похабов Д.А., ИФП СО РАН)
Дмитрия Андреевича Курмачева, студента 1 курса магистратуры НГУ (руководитель Квон Зе Дон, ИФП СО РАН)
Надежду Юрьевну Соловову, студентку 2 курса магистратуры НГУ (науч. рук. Голяшов В.А., ИФП СО РАН)
Савватея Андреевича Степанова, студента 4 курса бакалавриата НГУ (науч. рук. Терещенко О.Е., ИФП СО РАН)

дипломантов II степени:

Владислава Вячеславовича Гумбарга, студента 4 курса бакалавриата НГУ (науч. рук. Петров А.С., ИФП СО РАН) Тимура Маратовича Ибятова, студента 3 курса бакалавриата НГУ (науч. рук. Шевырин А.А., ИФП СО РАН) Матвея Андреевича Максимова, студента 4 курса бакалавриата СПбГУ (науч. рук. Капитонов Ю.В., СПбГУ) Дмитрия Максимовича Милюшина, студента 1 курса магистратуры НГУ (науч. рук. Мутилин С.В., ИФП СО РАН)

дипломантов III степени:

Владиславу Богдановну Калинину, студентку 2 курса бакалавриата НГУ (науч. рук. Капогузов К.Е., ИФП СО РАН) Ладу Сергеевну Кузнецову, студентку 1 курса магистратуры НГУ (науч. рук. Швец В.А., ИФП СО РАН) Мехрдада Махмудовича Махмудиана, студента 2 курса магистратуры НГУ (науч. рук. Энтин М.В., ИФП СО РАН) Данила Фёдоровича Никифорова, студента 3 курса бакалавриата НГУ (науч. рук. Дураков Д.Е., ИФП СО РАН)

Директор ИФП СО РАН, заведующий кафедрой физики полупроводников физического факультета НГУ академик РАН Александр Васильевич Латышев приветствовал участников и рассказал о влиянии физики твердого тела, физики полупроводников на жизнь каждого из нас: «МНСК – научная конференция, такая же, как и другие, за исключением того, что все участники очень молоды. Самое важное отличие МНСК от обычной учебы в университете, в том, что, выступая здесь, вы рассказываете о способах решения совершенно новых задач, ответы на которые никто не знает. Задачи, которые вам ставят научные руководители, не были решены ранее.

Глобальная тема, которой вы занимаетесь — физика твердого тела. С 1950-х годов эта отрасль науки развивалась, и результатами решения задач в области физики твердого тела владеют все, мир изменился благодаря ее достижениям. Сейчас у каждого в кармане есть высокотехнологичное устройство, позволяющее решать самые сложные вопросы. Конечно, не все мы используем свои смартфоны именно таким образом, но возможность существует.

Сегодня остро встают задачи квантовых технологий, речь идет о квантовых вычислениях, квантовой криптографии (связи, защищенной постулатами квантовой физики), квантовой сенсорике и метрологии. Но развитие перечисленных отраслей в данный момент почти не связано с твердотельными носителями, хотя в некоторых случаях и могут использоваться сверхпроводники, но они требуют исключительно низких температур.

Революция произойдёт, когда мы с вами — “твердотельщики” реализуем квантовые технологии в твёрдом теле, они попадут в наши смартфоны, и мы будем широко пользоваться новыми достижениями науки.

Области, где работают специалисты в области физики твердого тела, охватывают всё, что есть вокруг. Робототехника, связь, искусственный интеллект — всё базируется на элементной базе, которую развивает физика полупроводников, физика твёрдого тела. Поэтому желаю каждому из вас успехов в своих исследованиях!».


Александр Латышев


Структура секции «физика твердого тела»

Председатель секции, старший научный сотрудник ИФП СО РАН, доцент Новосибирского государственного университета кандидат физико-математических наук Дмитрий Александрович Похабов отметил высокий уровень работ, пояснив, что они очень разные: свои результаты презентуют и учащиеся бакалавриата, включая первый курс, и магистранты и даже аспиранты.

«Программу секции мы постарались разбить тематически: в самом начале выступали участники, которые занимаются исследованием электронного транспорта, электронных систем. Затем шел “оптический” блок, к этой же тематике относился и пленарный доклад главного научного сотрудника ИФП СО РАН доктора физико-математических наук Александра Андреевича Шкляева “Резонансы Ми в структурах из частиц субволнового размера”. В третий раздел мы выделили работы в области физики поверхности, синтеза наноструктур. Следующий блок — доклады, связанные с фазовым переходом в структурах на основе диоксида ванадия, резистивными переключениями, а завершали конференцию онлайн сообщения».

Среди сильных, запомнившихся докладов Дмитрий Похабов, кроме работ наиболее близкой для себя первой сессии, высоко оценил сообщения студентов лаборатории №7 (заведующий — кандидат физико-математических наук Сергей Владимирович Мутилин), упомянул работы гостей конференции из Томска, Владивостока и Санкт-Петербурга. А также отметил исследования, выполненные в лаборатории №3, которой руководит доктор физико-математических наук Олег Евгеньевич Терещенко: «Важно, что все три представленные работы довольно разные по содержанию, глубокие, фундаментальные, но при этом нацелены на практические результаты, что, безусловно, положительно характеризует мощный потенциал и широту интересов научной группы».


Дмитрий Похабов


Комментарии участников

Лада Кузнецова

Подробностями о собственных работах и впечатлениями о конференции поделились дипломанты III степени: Лада Сергеевна Кузнецова, студентка 1 курса магистратуры физического факультета НГУ и Мехрдад Махмудович Махмудиан, студент 2 курса магистратуры физического факультета НГУ и студент Восточно-Казахстанского технического университета (ВКТУ) им. Д. Серикбаева Леонид Николаевич Измайлов.

Лада Кузнецова занималась исследованием морфологии гетероструктуры Si(013)/ZnTe/CdTe/HgCdTe на разных стадиях выращивания.

«Неожиданный результат моей работы — то, что удалось выяснить определяющую роль подложки в образовании морфологических дефектов на первой стадии эпитаксии. Мы даже не предполагали, что так может быть. Но на процесс дефектообразования влияют не только морфологические особенности на поверхности, но и отклонение от оптимальных условий, в частности, температурных. Исследовались разные стадии эпитаксии гетероструктуры, с помощью оптического профилометра. Мы выяснили, что вероятность зарождения крупного дефекта определяется аспектным соотношением (отношение высоты или глубины дефекта к его латеральному размеру), и, чем аспектное отношение ниже, тем выше вероятность появления дефекта. Дефект — это поликристаллическое образование, которое влияет на качество готовой гетероструктуры и, как следствие, фотоприемной матрицы. Проще говоря, чем больше дефектов, тем выше количество битых пикселей».

Студентка добавила, что участие в конференции позволяет ей накапливать опыт публичных выступлений и совершенствовать презентационные навыки.

Мехрдад Махмудиан

Мехрдад Махмудиан представил сообщение «Теория вигнеровской флеш-памяти».

Автор пояснил, что вигнеровский кристалл — такое состояние электронов, в котором они локализованы в поле положительного потенциала и образуют кристаллическую структуру. Упрощенно говоря, вигнеровский кристалл состоит только из электронов. А вигнеровский кластер — двумерная структура, тоже упорядоченная в поле потенциала, состоящая из конечного числа электронов.

Мехрдад раскрыл, как влияет на структуру ограничение пространства — наличие ловушек, которые захватывают электроны в системе.

«При малом числе электронов (7, 10, 50) их упорядочение на ловушках близко к вигнеровскому, но при увеличении числа электронов, упорядоченность структуры ломается, теряется симметрия. При увеличении числа ловушек упорядочение электронов стремится к вигнеровскому, симметрия — шестого порядка, координационное число электронов — шесть. Оценочные значения энергии показывают, что при увеличении числа ловушек, энергия электронов стремится к энергии электронов в вигнеровском кластере».

Автор пояснил, какие особенности вигнеровских кристаллов интересны в контексте флэш-памяти: «Экспериментаторами было предположено, что при зарядке диэлектрика во флэш-памяти образуются структуры, похожие на вигнеровские кластеры, которые упорядочены именно на ловушках. И вопрос состоит в том, как это влияет на работу флэш-памяти? Одно из предположений: запоминание структуры электронных кластеров может способствовать уменьшению тепловыделения. Мы работаем по тематике флэш-памяти в рамках проекта РНФ главного научного сотрудника доктора физико-математических наук Владимира Алексеевича Гриценко: планируется изучить, какие диэлектрики могут выступать в роли среды захвата электронов. Мы, в свою очередь, теоретически обоснуем предположения, опишем эксперименты. Нам надо исследовать свойства вигнеровского кластера, как они сказываются на работе флэш-памяти, как могут использоваться».

Леонид Измайлов

Мехрдад добавил, что выступает четвертый раз на МНСК, стабильно становясь дипломантом третьей степени: «Мне было интересно слушать доклады молодых коллег, посмотреть, какие исследования в области физики полупроводников, физики твердого тела проводятся в нашем институте, в других организациях. Конференция, как и любая другая, расширяет количество знакомых: можно подходить к старшим коллегам, обсуждать и свою, и другие работы».

Доклад студента Восточно-Казахстанского технического университета им. Д. Серикбаева Леонида Николаевича Измайлова был посвящен механосинтезу порошков на основе NiTiCu.

«Преимущество механосинтеза (метода высокоэнергетического измельчения) заключается в том, что происходит равномерное перемешивание порошка в планетарно-шаровой мельнице, а с увеличением времени обработки происходит “сваривание” частиц. Тем самым они образуют уже определённые сплавы — например, никеля и титана, которые уже будут являться “фундаментом” для того, чтобы при дальнейшей обработке (спекание порошков) образовалась более равномерная структура, по сравнению с аналогами».

Исследователь отметил, что сплавы NiTiCu с эффектом памяти формы востребованы в медицине и что результаты работы интересуют производителей медицинских имплантатов: «У нас уже есть выход на производство, именно с данным методом».


Пресс-служба ИФП СО РАН
Фото Владимира Трифутина, Надежды Дмитриевой