100 лет академику Ржанову

Сегодня исполняется сто лет со дня рождения выдающегося советского и российского физика ― Анатолия Васильевича Ржанова. Этот ученый был в числе тех, кто определил облик полупроводниковой физики в нашей стране. Семьдесят лет назад, когда Анатолий Ржанов только начинал заниматься полупроводниками, он практически сразу сконцентрировался на исследовании процессов, происходящих на поверхностях и границах раздела полупроводников, а также разработке методов синтеза тонких полупроводниковых пленок. Появление дешевых и компактных лазеров, стремительное уменьшение размеров микросхем, увеличение быстродействия и объема памяти компьютеров ― большинство громких успехов в электронике за последние полвека произошло благодаря пониманию и использованию явлений, возникающих на поверхности полупроводников.

Академик Анатолий Ржанов ― создатель и первый директор Института физики полупроводников СО РАН, который сейчас носит его имя. Разработки этого НИИ ― одного из крупнейших в Сибирском отделении РАН ― известны в России и за рубежом, востребованы на крупных предприятиях РФ, таких как Госкорпорация «Ростех», АО «Росэлектроника», ГК «Роскосмос», Федеральное агентство воздушного транспорта «Росавиация», АО «Рособоронэкспорт». Так обстоят дела сейчас, а в августе 1962 года, когда вышло постановление правительства об организации Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и назначении его директором А.В. Ржанова, ― институт существовал только на бумаге. Через два года произойдет объединение с Институтом радиофизики и электроники СО АН СССР и появится современное название.

«В первые два года работы удалось сделать самое главное: сформировать ядро коллектива института, составить планы работы. Научными направлениями молодого учреждения стали исследования поверхности полупроводников, тонкие полупроводниковые пленки и физические основы полупроводниковых приборов. Также Анатолий Васильевич позаботился и о подготовке молодых высококвалифицированных кадров ― он создал и возглавил кафедру физики полупроводников на физическом факультете Новосибирского государственного университета (тоже очень юного на тот момент), установил тесные связи с Новосибирским электротехническим институтом (сейчас НЭТИ-НГТУ ― Прим. авт)», ― говорит друг и коллега академика Ржанова советник РАН, член-корреспондент РАН Игорь Георгиевич Неизвестный, работавший заместителем директора по научной работе с момента создания института в 1962 году.

Первыми сотрудниками будущего ИФП СО РАН стали коллеги Анатолия Ржанова из Физического института им. П.И. Лебедева РАН (ФИАН), а также молодые ученые, приехавшие из разных уголков страны. От имени А.В. Ржанова во все научные центры были разосланы письма специалистам твёрдотельно-полупроводникового и электронного направления с приглашением стать сотрудниками института, а также заявки на молодых выпускников вузов соответствующего профиля. В решении непростой задачи формирования коллектива Ржанову помог опыт работы в должности ученого секретаря комиссии АН СССР по полупроводникам, который он занял в 1954 году по приглашению знаменитого академика Абрама Федоровича Иоффе.

«Сейчас у института есть мощный научный задел, который заложил академик Ржанов. В 60-е, 70-е годы прошлого века полупроводниковые тематики развивались очень быстро (после преодоления некоторого скепсиса, возникшего на заре появления этих направлений), и Анатолий Васильевич понимал, что институт должен, прежде всего, приносить пользу для людей, для промышленности. Один из ярких прикладных результатов ИФП СО АН СССР, полученных в то время ― создание элементов электронной, впоследствии флэш-памяти. Их начали производить в 1970-х годах на новосибирском научно-производственном предприятии “Восток”. В 1990-х и начале 2000-х годов эта тематика получила развитие в совместных с корпорацией “Samsung” работах по созданию терабайтных накопителей, а сегодня ― в разработке энергонезависимой памяти на основе нитрида и оксида кремния», ― объясняет директор Института академик Александр Васильевич Латышев, пришедший в ИФП СО АН СССР в 1979 году.

Технологическая область, в которой ИФП СО РАН задает тон, в том числе и на мировом рынке ―- выращивание полупроводникового материала на основе твердых растворов кадмий-ртуть-теллур. Этот материал используется в производстве «спутниковых глаз» ― матричных фотоприемников, чувствительных в инфракрасной области спектра, медицинских тепловизоров.

«Анатолий Васильевич говорил, что одна из важнейших задач ― это создание материалов для технического зрения, он стоял у руля этого направления. Такое зрение востребовано везде: в устройствах спутникового мониторинга поверхности земли, медицине, приборах ночного видения. По инициативе Ржанова в институте появились несколько лабораторий, которые занимались разработкой и исследованием матриц на основе разных полупроводниковых материалов: кремния, легированного селеном, арсенида галлия, арсенида индия, твердых растворов свинца-олова-теллура. Самой перспективной и стратегически значимой оказалась технология производства наноструктур теллурида кадмия ртути, сейчас лишь несколько стран мира (США, Франция, Германия, Япония, Китай) владеют аналогичными технологиями»», ― подчеркивает главный научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Леонидович Асеев, возглавлявший институт с 1998 по 2013 год.

Выращивание наноструктур требует особого оборудования и условий. В ИФП СО РАН для этого используется метод молекулярно-лучевой эпитаксии, который позволяет буквально “складывать атом к атому” и, как следствие, задавать нужные свойства полупроводника. Разработка установок молекулярно-лучевой эпитаксии в институте происходила по инициативе Анатолия Васильевича, причем в то время в Советском союзе подобных аппаратов не было. Установки МЛЭ «Ангара» и «Катунь», созданные в ИФП СО АН СССР, были первыми отечественными промышленно-ориентированными установками высокого класса.

«Анатолий Ржанов стоял у истоков такого направления исследований, как физика низкоразмерных систем (наноструктур), в нашей стране. Мы начали заниматься ими одними из первых, развили хорошую технологическую и диагностическую базу. Ржанов вовремя и даже с упреждением угадал тренд развития и вкладывал ресурсы в исследование поверхностных и граничных состояний полупроводника, когда многие еще не понимали, что это будет иметь такое существенное значение для электроники», ― добавляет главный научный сотрудник ИФП СО РАН физик-теоретик академик Александр Владимирович Чаплик, пришедший в институт в 1964 году в результате объединения с Институтом радиофизики и электроники.

Установка для молекулярной эпитаксии, фото Р.Ахмерова

Учеба, война, работа

К моменту назначения директором нового института, а незадолго до этого избрания член-корреспондентом по Сибирскому отделению АН СССР, Анатолию Ржанову исполнилось всего 42 года. В 21 год он ушел добровольцем на фронт, воевал на Ораниенбаумском пятачке в составе 2-й отдельной бригады морской пехоты: командовал отрядом разведчиков и сам много раз совершал рейды в тыл врага. В декабре 1941 года А. Ржанов защитил досрочно диплом с отличием Ленинградского политехнического института им. М.И. Калинина (сейчас ― Санкт-Петербургский государственный политехнический университет имени Петра Великого), а после тяжелого ранения и последующей госпитализации в 1943 году подал документы в аспирантуру ФИАНа.

«Вступительный экзамен по общей физике у Анатолия Васильевича принимали известные ученые ― Бенцион Моисеевич Вул и Григорий Самуилович Ландсберг», ― отмечает Игорь Неизвестный.

После этого Ржанов снова попал на лечение, заболев воспалением легких. В 1944 приехал в родную часть, чтобы забрать зимнее обмундирование, однако ему пришлось взять на себя командование своим бывшим отрядом во время боев направленных на снятие блокады Ленинграда, т. к. бригада понесла большие потери. За это сражение он был награжден Орденом Великой отечественной войны II степени. В бою Ржанов снова получил ранение, был контужен: новая госпитализация, а затем, сразу после выписки, сдача экзаменов в ФИАН ― и, снова госпиталь, и только в 1945 году он смог приступить к работе над диссертацией, которую защитил через три года. А уже в 1951 году Анатолий Ржанов возглавлял одну из групп ученых и инженеров, которые создали первый в СССР германиевый транзистор.

Эта впечатляющая твердость характера и огромная воля сочетались у Анатолия Ржанова с внимательностью к коллегам и подчиненным.

«Анатолий Васильевич был очень человечный, надежный, дотошный: часто к нам заходил, смотрел, как мы работаем, отмечал наши успехи», ― говорит ведущий инженер-конструктор ИФП СО РАН Петр Григорьевич Сарафанов, работавший начальником институтского экспериментального цеха, который обеспечивал лаборатории вакуумно-технологическим и приборным оборудованием.

«Он доброжелательно относился ко всем, в институте всегда была хорошая, спокойная обстановка, сотрудников ценили за работу, у нас много и продуктивно работали все», ― добавляет Александр Асеев.

В этом и заключается секрет успеха Института физики полупроводников СО РАН: в появлении новых направлений, в доброжелательной рабочей атмосфере, в развитии научной школы, созданной академиком Ржановым и его учениками, в высоком уровне и востребованности результатов работы института, названного именем его основателя.

Надежда Дмитриева,
Пресс-служба ИФП СО РАН
Фотографии предоставлены "Открытым архивом СО РАН" и "Фотоархивом СО РАН"

Новости

События

Объявления

Важное

Учеба, война, работа