24 сентября 2026 года исполняется 80 лет академику РАН, доктору физико-математических наук Александру Леонидовичу Асееву — ученому с мировым именем, выдающемуся организатору науки, одному из ведущих специалистов в области физики и технологии полупроводниковых наноструктур.
Александр Леонидович — один из создателей научного направления «Полупроводниковые наноструктуры для микро-, наноэлектроники и квантовых технологий», автор и соавтор более 260 научных публикаций и изобретений, 10 монографий и учебного пособия «Полупроводники и нанотехнологии».
С Институтом физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН связана практически вся научная биография Александра Леонидовича. После окончания Новосибирского государственного университета в 1968 году он пришел в институт и прошел путь от стажера-исследователя до директора. В 2008–2017 годах Александр Леонидович занимал посты вице-президента Российской академии наук и председателя Сибирского отделения РАН.
А. Л. Асеев внес огромный вклад в становление и развитие ИФП СО РАН как одного из ведущих научных центров России в области физики полупроводников и конденсированного состояния, полупроводниковой и квантовой электроники. Под его руководством был организован современный научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур и разработки нового поколения устройств полупроводниковой электроники, инфракрасной и СВЧ-техники.
Во многом благодаря научному предвидению Александра Леонидовича в институте получило развитие направление молекулярно-лучевой эпитаксии для создания фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для инфракрасных фотоприемных устройств. Сегодня эти технологии составляют основу прочных позиций ИФП СО РАН в сотрудничестве с предприятиями электронной промышленности.
При непосредственном участии Александра Леонидовича развивались технологии полупроводниковых элементов памяти, материалов и фотоприемных матриц ИК-диапазона для систем технического зрения и тепловидения, электронно-оптических преобразователей. Были разработаны полупроводниковые структуры для СВЧ-электроники, радиофотоники и радиоэлектронной борьбы. Совместно с ГНЦ ВБ «Вектор» созданы высокочувствительные сенсоры для регистрации биологических молекул, в том числе коронавирусов.
Научные результаты Александра Леонидовича получили высокое признание. Он удостоен золотой медали имени К. А. Валиева РАН в области микро- и наноэлектроники за цикл работ «Полупроводниковые наноструктуры для современной микроэлектроники», является лауреатом премии Правительства Российской Федерации в области образования, Почетным работником науки и техники Российской Федерации, награжден медалью Национальной академии наук Казахстана «Ученый века». Его заслуги отмечены медалями ордена «За заслуги перед Отечеством» I и II степени, многочисленными ведомственными, региональными и международными наградами.
Александр Леонидович — почетный член Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, почетный доктор Томского, Бурятского и Новосибирского государственных университетов, Санкт-Петербургского академического университета им. Ж. И. Алферова, иностранный член Национальных академий наук Беларуси и Монголии.
Сегодня Александр Леонидович продолжает активную научную и организационную работу. Он — главный научный сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН и АТИЦ ФФ Новосибирского государственного университета, входит в состав ученых советов НГУ и ИФП СО РАН, бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН и бюро Научного совета по квантовым технологиям РАН, прдседатель диссертационного совета при ИФП СО РАН.
Уважаемый Александр Леонидович!
Примите самые теплые и искренние поздравления с 80-летием от всего коллектива Института!
Ваш научный путь неразрывно связан с историей ИФП СО РАН, его становлением и развитием. Созданные при Вашем участии научные направления, технологии и научные школы продолжают развиваться, а Ваши идеи и опыт служат новым поколениям исследователей.
Желаем Вам крепкого здоровья, неиссякаемой энергии и вдохновения, новых идей и научных достижений, интересных встреч и событий. Пусть рядом всегда будут близкие люди, друзья, коллеги и ученики, а впереди — новые замыслы и возможности для их воплощения.
Счастья, благополучия и долгих лет!
Сотрудники, дирекция и ученый совет
Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
