В среду, 23.09.2026г., в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Скворцов Илья Владимирович
«Эпитаксиальный рост упругонапряженных наногетероструктур GeSiSn/Si(Ge) и их структурные и оптические свойства»
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 1.3.11 – физика полупроводников
Научный руководитель: к.ф.-м.н. Тимофеев В.А.
Рецензент: д.ф.-м.н. Шкляев А.А.
Ведущий семинара: д.ф.-м.н. Милёхин А.Г.