Защита диссертации

Цырлин Георгий Эрнстович, доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией эпитаксиальных нанотехнологий. Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук», 194021, Санкт-Петербург, ул. Хлопина, 8, кор. 3, литер А, +79219056907, , http://spbau.ru/, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

1. M.B.Smirnov, V.G.Talalaev, B.V.Novikov, S.V.Sarangov, N.D.Zakharov, P.Werner, U.Gosele, J.W.Tomm, G.E.Cirlin. “Temperature dependent luminescence from quantum dot arrays: phonon-assisted line broadening versus carrier escape-induced narrowing”, Phys. Status Solidi B 2010, v.247, No. 2, p.347–352.
2. A.D.Bouravleuv, N.V.Sibirev, G.Statkute, G.E.Cirlin, H.Lipsanen, V.G.Dubrovskii. “Influence of substrate temperature on the shape of GaAs nanowires grown by Au-assisted MOVPE”, Journal of Crystal Growth 2010, v.312, p.1676–1682.
3. В.Г.Талалаев, А.В.Сеничев, Б.В.Новиков, J.W.Tomm, T.Elsaesser, Н.Д.Захаров, P.Werner, U.Gosele, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин. «Туннельно-инжекционные структуры InGaAs с наномостиками: перенос возбуждения и кинетика люминесценции», ФТП, 2010, том 44, выпуск 8, с. 1084-1092.
4. G.E.Cirlin, V.G.Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D.Bouravleuv, K.Durose, Y.Y.Proskuryakov, Budhikar Mendes, L.Bowen, M.A.Kaliteevski, R.A.Abram, Dagou Zeze. “Self-catalyzed, pure zincblende GaAs nanowires grown on Si(111) by molecular beam epitaxy”, Phys.Rev.B, 2010, v.82, N3, 035302.
5. И.П.Сошников, Дм.Е.Афанасьев, В.А.Петров, Г.Э.Цырлин, А.Д.Буравлев, Ю.Б.Самсоненко, А.Хребтов, Е.М.Танклевская, И.А.Селезнев. «Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs», ФТП, 2011, том 45, выпуск 8, с. 1114-1116.
6. Alexander V. Senichev, Vadim G. Talalaev, Jens W. Tomm, Nikolai D. Zakharov, Boris V. Novikov, Peter Werner and George E. Cirlin, ”Tunnel injection emitter structures with barriers comprising nanobridges, Phys. Status Solidi RRL, 2011, v. 5, No. 10/11, p. 385–387.
7. А.Д.Буравлев, А.А.Зайцев, П.Н.Брунков, В.Ф.Сапега, А.И.Хребтов, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин, В.Г.Дубровский, В.М.Устинов. «Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As», Письма ЖТФ, 2012, том 38, выпуск 10, с. 21-28.
8. Н.В.Сибирев, M.Tchernycheva, Г.Э.Цырлин, G.Patriarche, J.C.Harmand, В.Г.Дубровский. «Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN», ФТП, 2012, том 46, выпуск 6, с.857-860.
9. С.А.Блохин, А.М.Надточий, А.А.Красивичев, Л.Я.Карачинский, А.П.Васильев, В.Н.Неведомский, М.В.Максимов, Г.Э.Цырлин, А.Д.Буравлев, Н.А.Малеев, А.Е.Жуков, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов. «Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs», ФТП, 2013, том 47, выпуск 1, с.87-91.
10. И.П.Сошников, В.А.Петров, Г.Э.Цырлин, Ю.Б.Самсоненко, А.Д.Буравлев, Ю.М.Задиранов, Н.Д.Ильинская, С.И.Трошков. «Исследование особенностей роста нитевидных нанокристаллов GaAs в мезаструктурах», ФТТ, 2013, том 55, выпуск 4, с. 645 – 649.
11. А.Д.Буравлев, Д.В.Безнасюк, Е.П.Гильштейн, M.Tchernycheva, A.De Luna Bugallo, L.Rigutti, L.Yu, Yu.Proskuryakov, И.В.Штром, М.А.Тимофеева, Ю.Б.Самсоненко, А.И.Хребтов, Г.Э.Цырлин. «Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs: Be», ФТП, 2013, том 47, выпуск 6, с.797-801.
12. D.Barettin, A.V.Platonov, A.Pecchia, V.N.Kats, G.E.Cirlin, I.P.Soshnikov, A.D.Bouravleuv, L.Besombes, H.Mariette, M.A.der Maur, A.D.Carlo. “Model of a GaAs Quantum Dot Embedded in a Polymorph AlGaAs Nanowire”, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, v. 19 , N 5, 2013 , 1901209.
13. V.G.Dubrovskii, G.E.Cirlin, P.A.Brunkov, U.Perimetti, N.Akopyan.”Ultra-low density InAs quantum dots”, ФТП, 2013, том 47, выпуск 10, с.1335-1338.
14. E.S.K.Young, A.D.Bouravleuv, G.E.Cirlin, V.Dhaka, H.Lipsanen, M.Tchernycheva, A.V.Scherbakov, A.V.Platonov, A.V.Akimov, A.J.Kent. "Electrical detection of picosecond acoustic pulses in vertical transport devices with nanowires", Appl.Phys.Lett., 2014, 104, 062102.16.
15. V.N.Trukhin, A.D.Buravlev, V.Dhaka, G.E.Cirlin, I.A.Mustafin, M.A.Kaliteevski, H.Lipsanen, Yu.B.Samsonenko. “Ultrafast carrier dynamics in GaAs nanowires”, Lithuanian Journal of Physics, v.54, No. 1, pp. 41-45 (2014).
16. А.И.Хребтов, В.Г.Талалаев, Ю.Б.Самсоненко, P.Werner, В.В.Руцкая, М.В.Артемьев, Г.Э.Цырлин «Гибридная система из нитевидных нанокристаллов GaAs и квантовых точек PbS на подложке кремния», Письма ЖТФ, 2014, т. 40, в. 13, с. 36-43.
17. В.Г.Талалаев, Г.Э.Цырлин, Л.И.Горай, Б.В.Новиков, М.Э.Лабзовская, J.W.Tomm, P.Werner, B.Fuhrmann, J.Schilling, P.N.Racec. «Влияние наномостиков на спектр излучения туннельной пары квантовая точка-квантовая яма», ФТП, 2014, том 48, выпуск 9, с.1209-1216.
18. Vadim G. Talalaev, George E. Cirlin, Boris V. Novikov, Bodo Fuhrmann, Peter Werner, Jens W. Tomm. “Ex post manipulation of barriers in InGaAs tunnel injection devices”, Appl. Phys. Lett. 106, 013104 (2015)
19. В.Г.Талалаев, Б.В.Новиков, Г.Э.Цырлин, H.S.Leipner. «Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах», ФТП, 2015, том 49, выпуск 11, с. 1531-1539.

Панин Алексей Викторович, доктор физико-математических наук, доцент, заведующий лабораторией физики поверхностных явлений. Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН) 634055, Томск, пр. Академический 2/4, 3822 286-979. , www.ispms.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

1. Панин А.В., Шугуров А.Р., Козельская А.И. Эволюция поверхности алюминиевых сплавов АМГ2 и 1570 в процессе термического оксидирования // Физическая мезомеханика. – 2013. – Т. 16. – № 1. – C. 75-84.
2. Панин А.В., Шугуров А.Р. Роль локальной кривизны внутренних и внешних границ раздела в процессах массопереноса, обусловливающих деградацию тонких пленок // Физическая мезомеханика. – 2013. – Т. 16. – № 3. – C. 95-101.
3. G.I. Zharkova, S.I. Dorovskikh, S.V. Sysoev, I.P. Asanov, A.V. Panin, N.B. Morozova, I.K. Igumenov. O,N-coordinated Ni(II) beta-diketonate derivatives: Synthesis, thermal properties, MOCVD applications // Surface and Coatings Technology.- 2013.- Vol. 230.- P. 290-296
4. Шугуров А.Р., Панин А.В, Лязгин А.О., Шестериков Е.В. Получение гальванических покрытий Au-Ni методом импульсного электролитического осаждения // Перспективные материалы 2013.- № 9.- С. 59-69.
5. A.R. Shugurov, A.I. Kozelskaya, A.V. Panin. Wrinkling of the metal/polymer bilayer: the effect of periodical distribution of stresses and strains // RSC Adv., 2014, 4 (15), P. 7389 – 7395.
6. А.Р. Шугуров, А.В. Панин, О.В. Евтушенко, В.П. Сергеев, Р.М. Мартыняк. Влияние количества слоев в многослойных покрытиях на основе систем Zr-Y-O / Si-Al-N на их механические свойства и износостойкость // Трение и износ.- 2014 – т.35.- №5.- C. 620-629.
7. Evgeniya Ermakova, Yurii Rumyantsev, Artur Shugurov, Alexey Panin, Marina Kosinova. PECVD synthesis, optical and mechanical properties of silicon carbon nitride films // Applied Surface Science.- 2015.- V. 339.- P. 102-108.
8. Шугуров А.Р., Панин А.В., Лязгин А.О., Шестериков Е.В. Изнашивание гальванических покрытий на основе золота // Физическая мезомеханика. – 2015. – Т. 18. – № 3. – C. 58-70.
9. Шугуров А.Р, Акулинкин А.А., Панин А.В., Перевалова О.Б, Сергеев В.П., Модификация структуры покрытий TiAlN путем предварительной бомбардировки стальной подложки ионами Ti // ЖТФ.- 2016.-том 86.- вып. 3. - С. 91-97.
10. S. I. Dorovskikh; R. R. Hairullin; S. V. Sysoev; V. V. Kriventsov; A. V. Panin; Y. V. Shubin; N. B. Morozova; N. V. Gelfond; S. V. Korenev. MOCVD growth and study of magnetic Co films // Surface Engineering.- 2016.- Volume 32, Issue 1 (January, 2016), pp. 8-14.

Орлов Лев Константинович, доктор физико-математических наук, доцент, ведущий научный сотрудник отдела физики полупроводников. Институт физики микроструктур – филиал ФГБНУ Федерального исследовательского центра Институт Прикладной Физики РАН, ГСП-105, Нижний Новгород, 6034950, Россия; тел.: (831)4385555; (831)4179473; E-mail: ; http://www.ipmras.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

1. Л.К.Орлов, С.В.Ивин. Кинетика распада дисилана на ростовой поверхности кремния на два неидентичных радикала. // Химическая физика, 2016, т.35, № 3, с.36-38.
2. Л.К.Орлов, С.В.Ивин. Кинетика поверхностного пиролиза смеси газов: силан-герман в условиях эпитаксиального наращивания слоев твердых растворов Si1-xGex.// Журнал общей химии, 2015, Т.85, №12, 1951-1965.
3. Л.К.Орлов, В.И.Вдовин, Н.Л.Ивина, Э.А.Штейнман, М.Л.Орлов, Ю.Н.Дроздов, В.Ф.Петрова. Структура и электронные свойства гетероперехода 3C-SiC/SiGeC/Si(100), формируемого методами вакуумной химической эпитаксии. // Журнал структурной химии, 2014, т.55, № 6, c.1292-1302.
4. М. Л. Орлов, Zs. Horvath, Н.Л. Ивина, В.Н. Неверов, Л.К.Орлов. Особенности электронного транспорта в релаксированных Si/Si1-xGex транзисторных гетероструктурах с высоким уровнем легирования. // ФТП, 2014, т.56, №7, c. 970-982.
5. Н.Л. Ивина, Л.К.Орлов. Особенности двухкомпонентного распада молекул моносилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса. // ФТП, 2014, т.48, № 6, c. 852-861.
6. Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Смыслова Т.Н. Моделирование распада молекул моно- и дисилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального ростового процесса. // Журнал общей химии 2013, т.83, № 12, с.1975-1986.
7. L.K. Orlov, A.A. Mel’nikova, M.L. Orlov, N.A. Alyabina, N.L. Ivina, V.N. Neverov, Zs.J. Horvath. Features of electronic transport in relaxed Si/Si1-xGex heterostructures with high doping level.// Physica E, "Low Dimensional Systems & Nanostructures" , Vol. 51, (2013) p. 87-93.
8. Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Особенности распада молекул дисилана на поверхности кремния в условиях эпитаксиального процесса.// Журнал технической физики, 2012, т.82, № 11, с. 83-92.
9. Л.К.Орлов, Э.А.Штейнман, Т.Н Смыслова, Н.Л.Ивина, А.Н.Терещенко. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии.// ФТТ, 2012, т.54, №4 , c. 666-672.
10. Л.К.Орлов, Э.А.Штейнман, Н.Л.Ивина, В.И.Вдовин. Особенности и механизмы фотолюминесценции наноструктурированных пленок карбида кремния, выращиваемых на кремнии в вакууме.// ФТТ, 2011, т.53, №9, c.1706-1712.
11. Л.К.Орлов, Э.А.Штейнман, В.И.Вдовин. Фотолюминесценция наноструктурированных пленок кубического карбида кремния, выращенных на кремнии.// Изв. РАН, серия физическая, 2011, т.75, №5, cтр.738-741.
12. Л.К. Орлов, С.В.Ивин. Вакуумная гидридная эпитаксия кремния: кинетика пиролиза моносилана на ростовой поверхности.// ФТП, 2011, т.45, №4, c.566-575.
13. Орлов Л.К., Ивин С.В., Смыслова Т.Н. Особенности адсорбции и кинетика распада молекул моносилана на эпитаксиальной поверхности кремния.// Химическая физика, 2011,т.30, №2, с.88-96.
14. Смыслова Т.Н., Ивин С.В., Орлов Л.К. Адсорбционные и кинетические характеристики молекул моносилана на ростовой поверхности Si(100) в условиях формирования двойных связей радикалов с поверхностью. // Труды Нижегородского государственного технического университета им. Р.Е. Алексеева, 2010, №3, c. 243-248.
15. Орлов Л.К., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Подъячева О.А, Вдовин В.И. Комплексный анализ структуры пленок карбида кремния, выращиваемых на кремнии в установках вакуумной эпитаксии из гидридов и углеводородов.// Журнал структурной химии, 2010, т.51, Приложение, c. S148-S154.