Емельянов Евгений Александрович

ФИО Емельянов Евгений Александрович
Тема Формирование состава в подрешётке пятой группы твёрдых растворов GaPxAs1-x(001) и InAsxSb1-x(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии
Описание Диссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 1.3.11 – Физика полупроводников
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 05.02.2026)
Научный руководитель Кандидат физико-математических наук Преображенский Валерий Владимирович, отзыв
Оппоненты

Мухин Иван Сергеевич, доктор физико-математических наук заведующий лабораторией нанобиотехнологий Санкт-Петербургского Академического университета им. Ж.И. Алферова РАН

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. Effect of nitrogen incorporation and surface passivation on photoluminescence properties of InAs-based nanowire,s, Ustimenko Ratmir, Karaulov Danila, Vinnichenko Maxim, Norvatov Ilya, Kaveev Andrey, Fedorov Vladimir, Mukhin Ivan, Firsov Dmitry Journal of Semiconductors V 46, P -1--6, 1674-4926, 2025 Journal of Semiconductors.
  2. Self-induced MBE-grown InAsP nanowires on Si wafers for SWIR applications, Kaveev Andrey K, Fedorov Vladimir V, Pavlov Alexander V, Miniv Dmitry V, Kirilenko Demid A, Nadtochiy Alexey, Goltaev Alexandr S, Malenin Andrey P, Ustimenko Ratmir V, Karaulov Danila A, Journal of Materials Chemistry C, V 13, N 12, P 6063-6072, 2025 Royal Society of Chemistry.
  3. Cells have the ability to break and chemically modify GaP (As) nanowires, Shmakov Stanislav V, Sosnovitskaia Zlata P, Makhneva, Ekaterina A, Anikina Maria A, Kuznetsov Alexey, Kondratev Valeriy M, Solomonov Nikita, Boitsov Vitali M, Fedorov Vladimir V, Mukhin Ivan S, J Nanoscale, V 16, N 44, P 20752-20764, 2024, Royal Society of Chemistry.
  4. Selective area epitaxy of gallium phosphide-based nanostructures on microsphere lithography-patterned Si wafers for visible light optoelectronics, Dvoretckaia Liliia N, Fedorov Vladimir V, Pavlov Alexander, Komarov Sergey D, Moiseev Eduard I, Miniv Dmitry V, Kaveev Andrey K, Smirnov Aliaksandr G, Kirilenko Demid A, Mozharov Alexey M, Materials Research Bulletin, 182, 113126, 0025-5408, 2025, Pergamon.
  5. Highly-doped MBE-grown GaP nanowires: Synthesis, electrical study and modeling, Sharov Vladislav, Novikova Kristina, Mozharov Alexey, Fedorov Vladimir, Kirilenko Demid, Alekseev Prokhor, Mukhin Ivan, Scripta Materialia, 248, 116128, 1359-6462, 2024, Pergamon.

Жуков Алексей Евгеньевич, член-корр. РАН, доктор физико-математических наук руководитель Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники, зам. декана Школа информатики, физики и технологий, НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

  1. High Temperature Operation and Spectral Stability of InGaN/GaN Ring Microlasers on Silicon, N.V. Kryzhanovskaya, S.D. Komarov, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov, D.A. Masyutin, at all, IEEE Photonics Technology Letters 38 (4), 243-246, 2025
  2. Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers, K.A. Ivanov, A.E. Zhukov, E.I. Moiseev, I.A. Melnichenko, I.S. Makhov, .at all, Journal of Applied Physics 138 (10), 2025
  3. Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements, I.S. Makhov, N.V. Kryzhanovskaya, A.S. Dragunova, D.A. Masyutin, at all, Journal of Luminescence 276, 120819, 2024
  4. Information encoding using two-level generation in a quantum dot laser, MV Maximov, YM Shernyakov, NY Gordeev, AM Nadtochiy, AE Zhukov, Technical Physics Letters 49 (Suppl 3), S219-S221, 2023
  5. Photoluminescence properties of InAs quantum dots overgrown by a low-temperature GaAs layer under different arsenic pressures, S. Balakirev, N. Chernenko, N. Kryzhanovskaya, N. Shandyba, D Kirichenko, at all, Electronics 11 (23), 4062, 2022
Ведущая организация

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет»

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):

  1. K.A. Lozovoy, V.A. Timofeev, I.V. Skvortsov, V.I. Mashanov [et al]. Infrared photoresponse of GeSiSn p–i–n photodiodes based on quantum dots, quantum wells, pseudomorphic and relaxed layers // Nanotechnology. 2025. Vol. 36, № 13. Art. num. 135201. DOI: 10.1088/1361-6528/ada9a6
  2. Yu.Yu. Hervieu, M.Yu. Yesin, A.S. Deryabin, A.V. Kolesnikov [et al]. Dynamics of monoatomic steps on the Si(100) surface during MBE growth and post-growth annealing // Modern Electronic Materials. 2024. Vol. 10, № 4. P. 243‒250. DOI: 10.3897/j.moem.10.4.140641
  3. O.I. Kukenov, V.V. Dirko, A.S. Sokolov, K.A. Lozovoy [et al]. Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of two-dimensional germanium layers and quantum dots on silicon // Journal of Optical Technology. 2024. Vol. 91, № 6. P. 416‒420. DOI: 10.1364/JOT.91.000416
  4. K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, O.I. Kukenov, M.S. Snegerev [et al]. RHEED Study of the Epitaxial Growth of Silicon and Germanium on Highly Oriented Pyrolytic Graphite // C-Journal of Carbon Research. 2024. Vol. 10, № 2. Art. num. 36. DOI: 10.3390/c10020036
  5. R. Douhan, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, H. Deeb [et al]. Recent Advances in Si-Compatible Nanostructured Photodetectors // Technologies. 2023. Vol. 11, № 1. Art. num. 17. DOI: 10.3390/ technologies11010017
  6. V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, O.I. Kukenov [et al]. Peculiarities of the 7×7 to 5×5 Superstructure Transition during Epitaxial Growth of Germanium on Silicon (111) Surface // Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. Art. num. 231. DOI: 10.3390/nano13020231
  7. K.A. Lozovoy, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy, A.P. Kokhanenko [et al]. Two-Dimensional Materials of Group IVA: Latest Advances in Epitaxial Methods of Growth // Russian Physics Journal. 2022. Vol. 64, № 9. P. 1583‒1591. DOI: 10.1007/s11182-022-02495-7
  8. K. A. Lozovoy., A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, V.P. Vinarskiy [et al]. Single-Element 2D Materials beyond Graphene: Methods of Epitaxial Synthesis // Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 13. P. 2221-1‒2221-21. DOI: 10.3390/nano12132221
  9. V.V. Dirko, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii. High-resolution RHEED analysis of dynamics of low-temperature superstructure transitions in Ge/Si(001) epitaxial system // Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603-1—115603-8. DOI: 10.1088/1361-6528/ac3f56
  10. K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, K.I. Khomyakova, R.M.H. Douhan [et al]. Single-photon avalanche diode detectors based on group IV materials // Applied Nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253‒263. DOI: 10.1007/s13204-021-01667-0
  11. Yu.Yu. Hervieu. On the kinetics of the early stage of growth of III-V nanowires //Journal of Crystal Growth. 2021. Vol. 568-569. P. 126187-1-126187-9. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126187
  12. Yu.Yu. Hervieu. Formation of double steps on Si(100): effect of permeability of A-steps // Russian Physics Journal. 2020. Vol. 63. P. 901–906. DOI: 10.1007/s11182-020-02116-1
  13. Dirko V.V., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Thickness-dependent elastic strain in Stranski-Krastanow growth // Physical Chemistry Chemical Physics. 2020. Vol. 22, № 34. P. 19318—19325. DOI: 10.1039/D0CP03538F
  14. Lozovoy K.A., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Dirko V.V., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of epitaxial formation of nanostructures by Fran–van der Merwe, Volmer–Weber and Stranski–Krastanow growth modes // Surface and Coatings Technology. 2020. Vol. 384. P. 125289-1—125289-5. DOI: 10.1016/j.surfcoat.2019.125289
  15. I.I. Izhnin, K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.V. Dirko, A.V. Voitsekhovskii [et al]. Epitaxial fabrication of 2D materials of group IV elements // Applied Nanoscience. 2020. Vol. 10, № 12. P. 4375—4383. DOI: 10.1007/s13204-020-01372-4
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защиты
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить