Гранты и стипендии Президента РФ

Гранты и премии молодым ученым Института 2022 года

Конкурс на получение стипендии Президента РФ молодыми учеными и аспирантами на период 2021-2023 гг.:

  • Жданов Е.Ю. «Баллистический транспорт и термоэлектрические явления в подвешенных полупроводниковых структурах»;
  • Похабов Д.А. «Мультиканальный квантовый транспорт и спиновая поляризация суперкомпьютеров и разработка программного обеспечения»;
  • Шевырин А.А. «Управление колебаниями и их добротностью в полупроводниковых наноэлектромеханических системах».

Конкурс на получение стипендии Президента РФ молодыми учеными и аспирантами на период 2022-2024 гг.:

  • Милахин Д.C. «Разработка нитрид-галлиевых наногетероэпитаксиальных структур с повышенной локализацией электронов в двумерном электронном газе»

Победитель конкурса 2022 года на право получения грантов Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук:

  • Свит К.А. «Энергетическая структура экситонов и люминесцентные свойства нанокристаллов CdxZn1-xS, полученных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт»

Победитель конкурса 2022 года на премии имени выдающихся ученых Сибирского отделения Российской академии наук:

  • Тимофеев В.А. премия имени К.К. Свиташева за работы в области опто- и наноэлектроники предложено за цикл работ «Структурные и оптические свойства эпитаксиальных упругонапряженных наногетероструктур на основе элементов IV группы (Ge, Si и Sn)» «Структурные и оптические свойства эпитаксиальных упругонапряженных наногетероструктур на основе элементов IV группы (Ge, Si и Sn)».

Гранты и премии молодым ученым Института 2021 года

Конкурс на получение стипендии Президента РФ молодыми учеными и аспирантами на период 2021-2023 гг.:

  • Жданов Е.Ю. «Баллистический транспорт и термоэлектрические явления в подвешенных полупроводниковых структурах»;
  • Похабов Д.А. «Мультиканальный квантовый транспорт и спиновая поляризация суперкомпьютеров и разработка программного обеспечения»;
  • Шевырин А.А. «Управление колебаниями и их добротностью в полупроводниковых наноэлектромеханических системах».

Конкурс на получение стипендии Президента РФ молодыми учеными и аспирантами на период 2022-2024 гг.:

  • Милахин Д.C. «Разработка нитрид-галлиевых наногетероэпитаксиаль- ных структур с повышенной локализацией электронов в двумерном электронном газе»

Грант Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук:

  • Свит К.А. «Энергетическая структура экситонов и люминесцентные свойства нанокристаллов Cd x Zn 1-x S, полученных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт»

Конкурс молодых ученых―2021 по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН: премию им. А.В. Ржанова – за работы в области физических основ и элементной базы микро- и наноэлектроники получила Небогатикова Н.А. за цикл работ «Создание функциональных слоев и структур для наноэлектроники на основе модифицированного графена и родственных ему материалов».

В 2021 году по результатам конкурса стипендий молодых ученых ИФП СО РАН стипендия имени К.К. Свиташева была присуждена Похабову Д.А. и Голяшову В.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Боеву М.В.

Гранты и премии молодым ученым Института 2020 года

Конкурс 2018-2020 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • Жданов Е.Ю. «Нелинейные эффекты и переворот осцилляций Шубникова-де Гааза в наноструктурах с двумерным электронным газом, оторванном от подложки»;
  • Похабов Д.А. «Электрическая спиновая поляризация в подвешенных полупроводниковых квантовых точечных контактах»;
  • Тимофеев В.А. «Зонная инженерия материалов IV группы для создания устройств сверхбыстрой оптической передачи данных»;
  • Шевырин А.А. «Наноэлектромеханические резонаторы с двумерным электронным газом как излучатели акустических волн: возбуждение колебаний, диссипация и краевые колебательные моды»;
  • Небогатикова Н.А. «Формирование и исследование массивов квантовых точек и антиточек в пленках графена и мультиграфена: создание новых перспективных материалов».

Конкурс 2019-2021 года на получение стипендии Президента РФ молодымученым и аспирантам:

  • Милахин Д.С. «Разработка in-situ пассивированных AlN»GaN гетероэпитаксиальных структур для КВЧ и силовых транзисторов для радиоастрономических исследований, спутниковой радиосвязи и наземной радиолокации».

В 2020 году по результатам конкурса стипендий молодых ученых ИФП СО РАН стипендия имени К.К. Свиташева была присуждена Милахину Д.С. и Якшиной Е.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Шевырину А.А.

Гранты и премии молодым ученым Института 2019 года

Конкурс 2018-2020 года на получение стипендии Президента РФ молодымученым и аспирантам:

  • Жданов Е.Ю. «Нелинейные эффекты и переворот осцилляций Шубникова-де Гааза в наноструктурах с двумерным электронным газом, оторванном от подложки»;
  • ŸПохабов Д.А. «Электрическая спиновая поляризация в подвешенных полупроводниковых квантовых точечных контактах»;
  • ŸТимофеев В.А. «Зонная инженерия материалов IV группы для создания устройств сверхбыстрой оптической передачи данных»;
  • ŸШевырин А.А. «Наноэлектромеханические резонаторы с двумерным электронным газом как излучатели акустических волн: возбуждение колебаний, диссипация и краевые колебательные моды»;
  • ŸНебогатикова Н.А. «Формирование и исследование массивов квантовых точек и антиточек в пленках графена и мультиграфена: создание новых перспективных материалов».

Конкурс 2019-2021 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • ŸМилахин Д.С. «Разработка in-situ пассивированных AlN/GaN гетероэпитаксиальных структур для КВЧ и силовых транзисторов для радиоастрономических исследований, спутниковой радиосвязи и наземной радиолокации».

Стипендия Правительства Российской Федерации студентам и аспирантам, обучающимся по очной форме в государственных организациях, осуществляющих образовательную деятельность по образовательным программам высшего образования, присуждена аспирантке Герасимовой А.К.

Диплом лауреата конкурса на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций в номинации «Лучший молодой исследователь в организациях науки» в отрасли физико-математических наук получил аспирант Милахин Д.С.

Победителем конкурса новосибирского конкурса Фонда содействия инновациям «Умник—2019» стал аспирант Милахин Д.С.

В 2019 году по результатам конкурса стипендий молодых ученых ИФП СО РАН стипендия имени К.К. Свиташева была присуждена Голяшову В.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Савченко М.Л., Иванову А.И.

Гранты Президента РФ по государственной поддержке ведущих научных школ

НШ-10211.2016.8 «Атомные процессы на поверхности полупроводников и электронные явления в литографически наноструктурированных полупроводниковых и металлических системах», руководители А.В. Латышев, А.Л. Асеев.

Гранты и премии молодым ученым Института 2018 года

Победителем конкурса 2018 года по государственной поддержке молодых российских ученых-кандидатов наук стал Миронов А.Ю. с работой «Квантовые транспортные свойства сверхизолирующих наноструктур на основе сверхпроводящих материалов».

Победители конкурса 2016-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Лямкина Анна Алексеевна с работой «Плазмонные волноводы для создания твёрдотельных интегральных структур»;
  • Гугин Павел Павлович «Исследование фундаментальных принципов построения высоковольтных сильноточных энергоэффективных устройств генерации импульсов нано- и пикосекундного диапазона на основе «открытого» разряда»;
  • Емельянов Евгений Александрович «Поиск путей создания гибких высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV».

Победители конкурса 2018-2020 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Жданов Евгений Юрьевич «Нелинейные эффекты и переворот осцилляций Шубникова-де Гааза в наноструктурах с двумерным электронным газом, оторванном от подложки»;
  • Похабов Дмитрий Александрович «Электрическая спиновая поляризация в подвешенных полупроводниковых квантовых точечных контактах»;
  • Тимофеев Вячеслав Алексеевич «Зонная инженерия материалов IV группы для создания устройств сверхбыстрой оптической передачи данных»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Наноэлектромеханические резонаторы с двумерным электронным газом как излучатели акустических волн: возбуждение колебаний, диссипация и краевые колебательные моды»;
  • Небогатикова Надежда Александровна «Формирование и исследование массивов квантовых точек и антиточек в пленках графена и мультиграфена: создание новых перспективных материалов».

В 2018 году по результатам конкурса стипендий молодых ученых ИФП СО РАН стипендия имени К.К. Свиташева была присуждена Малину Т.В. и Шевырину А.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Спириной А.А.

Гранты и премии молодым ученым Института 2017 года

Победители конкурса 2015-2017 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Жданов Евгений Юрьевич, «Адиабатический и баллистический электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах с двумерным электронным газом»;
  • Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование квантовой электронной интерференции в подвешенных полупроводниковых наноструктурах»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний в полупроводниковых наноэлектромеханических системах c двумерным электронным газом».

Победителем Конкурса 2016-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стала Лямкина Анна Алексеевна с работой «Плазмонные волноводы для создания твёрдотельных интегральных структур».

Победители конкурса 2017-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Гугин Павел Павлович «Исследование фундаментальных принципов построения высоковольтных сильноточных энергоэффективных устройств генерации импульсов нано- и пикосекундного диапазона на основе «открытого» разряда»;
  • Емельянов Евгений Александрович «Поиск путей создания гибких высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV».

Победители конкурса 2017 года по государственной поддержке молодых российских ученых-кандидатов наук:

  • Козлов Дмитрий Андреевич «Спиновая физика двумерных систем на основе HgTe».

В 2017 году по результатам конкурса стипендий молодых ученых ИФП СО РАН стипендия имени К.К. Свиташева была присуждена Курусь Н.Н., стипендия имени А.В. Ржанова – Рогило Д.И. и Ситникову С.В.

Иванов А.И. занял 1-е место в конкурсе молодых учёных за устный доклад на Второй российской конференции "Графен: молекула и 2D кристалл" (Новосибирск, Россия, 7-11 августа, 2017), получил Диплом первой степени на конкурсе молодых учёных на International Conference Advanced Carbon Nanostructures 2017 (Санкт-Петербург, Россия, 3-7 июля 2017).

Шевырин А.А. за доклад «Физический механизм влияния колебаний на электронный транспорт в наноэлектромеханических системах с двумерным электронным газом» получил диплом за лучший доклад среди молодых учёных на XIII Российской конференции по физике полупроводников.

Гранты и премии молодым ученым Института 2016 года

Победители конкурса 2015-2017 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Жданов Евгений Юрьевич, «Адиабатический и баллистический электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах с двумерным электронным газом»;
  • Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование квантовой электронной интерференции в подвешенных полупроводниковых наноструктурах»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний в полупроводниковых наноэлектромеханических системах c двумерным электронным газом».

Победителем Конкурса 2016-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стала Лямкина Анна Алексеевна с работой «Плазмонные волноводы для создания твёрдотельных интегральных структур».

Победители конкурса 2017-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Гугин Павел Павлович «Исследование фундаментальных принципов построения высоковольтных сильноточных энергоэффективных устройств генерации импульсов нано- и пикосекундного диапазона на основе «открытого» разряда»;
  • Емельянов Евгений Александрович «Поиск путей создания гибких высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV ».

Победители конкурса 2017 года по государственной поддержке молодых российских ученых-кандидатов наук:

  • Козлов Дмитрий Андреевич «Спиновая физика двумерных систем на основе HgTe».

Стипендия Правительства Новосибирской области для проведения перспективных научных исследований:

  • Добрецова А.А. «Транспорт носителей заряда в HgTe квантовых ямах с поверхностными состояниями»;
  • Савченко М.Л. «Спиновая поляризация поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе HgTe».

В 2016 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Юдановой Е.С. и Якшиной Е.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Шевырину А.А.

Пазников А.А. – премия мэрии города Новосибирска в номинации «Лучший молодой исследователь в образовательных организациях высшего образования».

Гранты и премии молодым ученым Института 2015 года

Победители конкурса 2013-2015 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • Бельская Екатерина Викторовна, «Разработка и исследование источников лазерного излучения синего и УФ диапазона спектра при электронно-пучковом возбуждении»;
  • Лямкина Анна Алексеевна, «Разработка метода создания плазмонных наноантенн для повышения эффективности и миниатюризации квантовых излучателей света»;
  • Абрамкин Демид Суад, «Исследование процессов рекомбинации и спиновой релаксации в квантовых точках первого рода с непрямой запрещённой зоной»;
  • Мутилин Сергей Владимирович, «Двумерные электронно-дырочные системы на искривлённой поверхности: формирование и магнитотранспортные свойства»;
  • Тимофеев Вячеслав Алексеевич, «Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для информационных скоростных линий связи на основе фотоприемников инфракрасного диапазона».

Победители конкурса 2015-2017 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • Жданов Евгений Юрьевич, «Адиабатический и баллистический электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах с двумерным электронным газом»;
  • Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование квантовой электронной интерференции в подвешенных полупроводниковых наноструктурах»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний в полупроводниковых наноэлектромеханических системах c двумерным электронным газом».

Премия за лучший доклад молодого сотрудника на 12-ой Российской конференции по физике полупроводников - Д.А. Козлов.

В 2015 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Д.С. Абрамкину, а стипендия имени А.В. Ржанова - Д.А. Похабову, Д.И. Рогило.

Гранты и премии молодым ученым Института 2014 года

В 2014 году кандидат физико-математических наук А.Ю. Миронов выполнял работы по грантам Президента РФ в рамках конкурса 2013 года по теме «Динамические свойства изоляторов с куперовским спариванием».

Победители конкурса 2013-2015 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • к.ф.-м.н. Бельская Екатерина Викторовна, «Разработка и исследование источников лазерного излучения синего и УФ диапазона спектра при электронно-пучковом возбуждении»;
  • аспирант Лямкина Анна Алексеевна, «Разработка метода создания плазмонных наноантенн для повышения эффективности и миниатюризации квантовых излучателей света»;
  • к.ф.-м.н. Абрамкин Демид Суад, «Исследование процессов рекомбинации и спиновой релаксации в квантовых точках первого рода с непрямой запрещённой зоной;
  • младший научный сотрудник Мутилин Сергей Владимирович, «Двумерные электронно-дырочные системы на искривлённой поверхности: формирование и магнитотранспортные свойства»;
  • аспирант Тимофеев Вячеслав Алексеевич, «Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для информационных скоростных линий связи на основе фотоприемников инфракрасного диапазона».

Победители конкурса 2012-2014 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • аспирант НГУ Жданов Евгений Юрьевич, «Электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых мембранах»;
  • к.ф.-м.н. Козлов Дмитрий Андреевич, «Исследование транспортных свойств электронно-дырочных систем в квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe»;
  • м.н.с. Перевалов Тимофей Викторович, «Изучение из первых принципов атомной и электронной структуры диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, перспективных для элементной базы наноэлектроники»;
  • аспирант НГУ Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование неравновесного состояния двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла»;
  • аспирант Шевырин Андрей Анатольевич, «Механические напряжения в наноэлектромеханических системах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs».

Победителями конкурса Грантов мэрии города Новосибирска молодым ученым и специалистам на предоставление субсидий молодым ученым и специалистам в сфере инновационной деятельности в 2014 году стали м.н.с., к.ф.-м.н. Ю.С. Воробьёва, м.н.с. С.В. Мутилин, аспирант А.В. Чесницкий с работой «Интегрированные трёхосевые преобразователи Холла на основе полупроводниковых оболочек» и аспирант Л.С. Голобокова с работой «Фотонные устройства на основе упорядоченных массивов кремниевых наностолбиков и ансамблей атомов».

В 2014 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Т.В. Малину, А.Г. Журавлеву, а стипендия имени А.В. Ржанова - к.ф.-м.н. A.А. Шевырину, к.ф.-м.н. А.Ю. Миронову.