Программа фундаментальных исследований Президиума РАН по стратегическим направлениям развития науки «Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий»:

  • «Квантовый транспорт и многоэлектронные эффекты в полупроводниковых низкоразмерных электронных системах и наноструктурах», руководители - А.В. Чаплик, З.Д. Квон;
  • «Новые 2D топологические изоляторы: «трехслойные» квантовые ямы InAs/GaSb/InAs и GaSb/InAs/GaSb», руководитель – В.В. Преображенский;
  • «Разработка физических основ технологий 2D и 3D печати наноструктур», руководитель – В.Я. Принц;
  • «Плазмоника в гетероструктурах 2 типа Ge/Si с квантовыми точками», руководитель - А.В. Двуреченcкий;
  • «Исследование физико-химических основ выращивания одиночных и множественных квантоых ям на основе твердых растворов CdHgTe с заданной толщиной и составом, оптических и транспорта носителей заряда», руководитель – С.А. Дворецкий;

Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН:

  • «Разработка физических принципов и технологических подходов изготовления приборов спинтроники на основе структур с квантовыми точками и материалов, совместимых с кремниевой технологией», руководитель – А.В. Двуреченский;
  • «Минералообразующие и флюидные системы мантии Земли в связи с генезисом алмазов (по природным и экспериментальным данным)», руководитель – Д.В. Щеглов;
  • «Разработка физико-технических принципов создания генератора тактовой частоты, устойчивого к сверхвысоким инерциальным перегрузкам», руководитель – В.Я. Принц;
  • «Разработка новых способов экспресс-диагностики заболеваний человека на основе детекции органоспецифических маркеров с помощью современных физических и физико-химических подходов», руководитель – О.В. Наумова
  • «Гибридные методы 3D наноструктурирования, новые наноматериалы и системы», руководитель – В.Я. Принц;
  • «Синтез и исследования гибридных нано структур ферромагнетик/полупроводник и поиск новых механизмов управления спиновым транспортом в устройствах спинтроники», руководитель – О.Е. Терещенко.