ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

СПИСОК опубликованных научных работ

2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | статьи 1987-2004

2006 Cтатьи | Тезисы | Приглашенные доклады| Труды конференций

СТАТЬИ

Авторы Статья Опубликовано Файл
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. НенашевСвязывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типаПисьма в ЖЭТФ, 2006, т. 83, вып. 4, с. 189–194
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, V. A. VolodinElectronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopyPhys. Rev. B, 2006, v. 73, 115333(просмотр)
А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. И. Якимов, Н. П. Степина, В. В. КириенкоСпиновые эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точкамиИзвестия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2006, №2, с. 15–25(просмотр)
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, Н. А. Соболев, Д. П. Лейтао, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров, Е. С. Коптев, Л. Перейра, М. С. КармоФотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/SiЖЭТФ, 2006, т. 130, № 2, с. 309–318(просмотр)
G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo MiglioSelf-Ordering of a Ge Island Single Layer Induced by Si OvergrowthPhys. Rev. Lett. 2006, v.96, 106102(просмотр)
В.А. Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю. МихалевМодификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучениемФизика и техника полупроводников, 2006, т.40, вып. 2, 207-214
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, N.P. Stepina, J.P. Let?o, N.P. Sobolev, L. Pereira, M.C. do CarmoHopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dotsPhys. Stat. Sol. (c), 2006, v.3, № 2, 296-299(просмотр)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. NikiforovGermanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon: Growth, Electronic Transport, Optical Phenomena, and Devices (Review)Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Volume 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY), p. 33-102, 2006
A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Ulyanov, V.A. Volodin, and R. GroetzschelEffect of growth rate on the morphology and structural properties of hut-shaped Ge islands in Si(001)Nanotechnology, 2006, v.17, № 18, 4743-4747(просмотр)
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. НикифоровМодификация квантовых точек в Ge-Si наноструктурах при импульсном лазерном воздействииИзвестия национальной академии наук Беларуси: серия физико-математических наук, 2006, v.2, 74-77
A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, and A.V. DvurechenskiiLocalization of electrons in multiple layers of self-assembled Ge/Si islandsApplied Physics Letters, 2006, v.89, № 15, 153116(просмотр)
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, and A.I. NikiforovGermanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon for Nano- and Optoelectronics (Review)Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2006, v.1, № 2, 119-175(просмотр)
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. ПорталКулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точкиПисьма в ЖЭТФ, 2006, т.83, с. 152
A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, V.G. Mansurov, A.Y. Nikitin, V.V. Preobrazhenskii, K.S. ZhuravlevTransport properties of the two-dimensional electron gas in GaN/AlGaN heterostructures grown by ammonia molecular-beam epitaxyPHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2006, v.203 (9), 2186-2189
А.В.ДвуреченскийЗакону Мура 40 летИзвестия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2006, №2, с. 72-74(просмотр)
V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo MiglioAccurate and analytical strain mapping at the 3 surface of Ge/Si(001) islands by an improved flat-island approximationSurface Science, 2006, v. 600, p.4777-4784
A.V. Dvurechenskii, P.L. Novikov, Y. Khang, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, A.K. GutakovskiiDense arrays of Ge nanoclusters induced by low-energy ion-beam assisted deposition on SiO2 filmsProc. SPIE, 2006, v.6260, p.626006-626006A-8(просмотр)
A.F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A.V. DvurechenskiiSpin relaxation of holes in Ge quantum dotsProc. SPIE, 2006, v. 6260, 62600K-62600K8(просмотр)
A.Lomzov, N.Vandysheva, Al.Bublikov, D.Pyshnyi, S.RomanovSilicon Microchannel Array as a Basis of Biosensor DeviceMater. Res. Soc. Symp. Proc. V. 915, p.0915-R03-06
наверх

ТЕЗИСЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. BloshkinLocalization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structureInternational Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 286
A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Letao, and N.A. SobolevMBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on SiInternational Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 233
A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. DvurechenskiiSpin relaxation in tunnel-coupled Ge/Si quantum dot arraysRussian-Swiss seminar "Excitons and excitonic condensates in confined semiconductor systems", Moscow, September 10–15, 2006, p. 50
N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, N. A. Sobolev, J.P. Leitao, M. C. do CarmoLong time transient photoconductivity via two-dimensional Ge/Si quantum dotsAbstracts for 4 International conference on semiconductor quantum dots 2006, p.203
A. V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A. V. NenashevElectronic structure of complex exitons and optical transitions in type-II Ge/Si quantum dot heterostructuresRussian-Swiss Seminar (Moscow, Russia, September 10-15 , 2006), Abstracts p.25
N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, J.P. Leitao, N. A. Sobolev, M. C. do CarmoEffect of light illumination on the conductivity of the tunnel-coupled Ge/Si quantum dotsInternational conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.37
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Y. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. IvlevQuantum dots array energy spectrum tuning with laser pulse actionInternational conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.41
A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.NovikovSiGe Nanodots in Electro-Optical SOI DevicesNATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine
А. В. Двуреченский, Н. П. Степина, П. Л. Новиков, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. К. Гутаковский, В. Г. Кеслер, R. GroetzschelЗарождение и рост массива нанокристаллов Ge на SiO2 при импульсном ионном воздействии в условиях осаждения из молекулярных пучковМатериалы VII Международного российско-украинского семинара «Нанофизика и Наноэлектроника», стр. 29
А.В. ДвуреченскийКвантовые точки на основе Ge и SiДвенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-12, 22-30 марта, 2006 г.
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, С.Б.Эренбург, Н.В.Бауск, А.И.Никифоров, А.В.НенашевНаноструктуры с квантовыми точками16-я Международная конференция по использованию синхротронного излучения. 10-14 июля 2006, Новосибирск
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.Ф.Зиновьева, А.В.Ненашев, Ж.В.Смагина, В.А.Армбристер В.В.Кириенко, А.К.Гутаковский, В.Г.Кеслер, А.А.Блошкин, Г.Ю.МихалевКремниевые наноструктуры с квантовыми точкамиIII Российское совещание по росту кристаллов и пленок и исследование их физических свойств и структурного совершенства (КРЕМНИЙ-2006), 04-06 июля 2006, Красноярск
наверх

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
А.В. ДвуреченскийКвантовые точки на основе Ge и SiДвенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-12, 22-30 марта, Новосибирск, 2006 г.
A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.NovikovSiGe Nanodots in Electro-Optical SOI DevicesNATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, С.Б.Эренбург, Н.В.Бауск, А.И.Никифоров, А.В.НенашевНаноструктуры с квантовыми точками16-я Международная конференция по использованию синхротронного излучения. 10-14 июля 2006, Новосибирск
A.V.DvurechenskiiSpin related phenomena in array of coupled Ge quantum dots in SiInstitute of Semiconductors. Beijing, June 9, Chine
наверх

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

АвторыНазвание Конференция Файл
A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. DvurechenskiiFluctuation-stimulated spin relaxation in array of Ge quantum dots14 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, June 26–30, 2006, p. 363–364
A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, Zh.V. Smagina, A.K. Gutakovskii and V.N. BrudnyiHomogeneous arrays of Ge nanocrystals grown by pulsed ion-beam nucleation during deposition on dielectricProceedings of 14th international symposium “Nanostructures: physics and technology”, 2006, June 26-30, St Petersburg, p.101-102
М.Н. ЧеюковПолучение структур «кремний-на-изоляторе» для сенсорной микроэлектроникиИндустрия наносистем и материалы. Всероссийская конференция инновационных проектов аспирантов и студентов: Материалы конференции.- М.: МИЭТ. 2006.- стр. 230-231
A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. Ye. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov and J. C. PortalSuspended single-electron Coulomb blockade transistorProceedings of 14th international symposium “Nanostructures: Physics and technology”, 230-231, St. Petersburg, Russia, 2006
А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. И. Якимов, Н. П. Степина, В. В. КириенкоСпиновые эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точкамиСовещание по программе фундаментальных исследований: Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника. 20-21 апреля 2006, Санкт-Петербург
M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov and J. C. PortalObservation of quantum Hall ferromagnetic state in nanostructured quantum wireProceedings of 14th international symposium “Nanostructures: Physics and technology”, 212-213, St. Petersburg, Russia, 2006
V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo MiglioStrain mapping at the surface of nanometric Ge/Si(100) 3D islands14th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 26-30, 2006, 361-362
наверх

Последнее обновление: 19.04.2012

© www.isp.nsc.ru/24