| Перспективы инженерии дефектов в мультикристаллическом кремнии для солнечной энергетики |
| В.В. Кведер |
| Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия |
|
| Гибридные лазеры для оптических межсоединений |
| З.Ф. Красильник |
| Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия |
|
| Физические основы инженерии люминесцентных центров в технологии кремниевых светодиодов с дислокационной люминесценцией |
| Н.А. Соболев |
| Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия |
|
| Кремний - базовый материал солнечной энергетики |
| А.И. Непомнящих |
| Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия |
|
| Cовременные технологии получения кремния полупроводниковой чистоты |
| Т.В. Критская1, Л.Я. Шварцман2 |
1Запорожская государственная инженерная академия, Запорожье, Украина;
2Компания «Силидо», Вена, Австрия
|
|
| Кремниевые гетероструктуры с диэлектриками для электроники повышенной надежности |
| В.П. Попов1, А.В. Глухов2 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ОАО «НЗПП с ОКБ», Новосибирск, Россия |
|
| Когда закончится перепроизводство поликремния |
| Ю.Н. Пархоменко, А.В. Наумов |
| Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», Москва, Россия |
|
| Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного гидрированного кремния для оптоэлектроники и фотовольтаики |
| А.Г. Kaзанский1, М.В. Хенкин1, R. Drevinskas2, M. Beresna3, P. Kazansky3 |
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия;
1Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, United Kingdom |
|
| Разработка универсальной памяти – движущая сила современной электроники |
| В.А. Гриценко |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
| Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах |
| Н.Н. Герасименко |
| Московский институт электронной техники, Зеленоград, Россия |
|
| Дислокационные сетки, полученные сращиванием пластин кремния: новое понимание свойств дислокаций |
| О.Ф. Вывенко |
| Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия |
|
| Магнитозависимые транспортные явления в гибридных структурах с барьером Шоттки, сформированных на основе Si |
| Н.В. Волков1,3, А.С. Тарасов1,2, М.В. Рауцкий1, Д.А. Смоляков1,3, А.О. Густайцев1,2, А.В. Лукьяненко1,2, И.А. Бондарев1,2, С.Н. Варнаков1,3, С.Г. Овчинников1,2 |
1Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия;
2Сибирский федеральный университет, Красноярск;
3Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
|
|
| Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии |
| А.А. Ежевский1, А.В. Сухоруков1, Д.В. Гусейнов1, А.В. Кудрин1, А.П. Деточенко1, С.А. Попков1, А.А. Конаков1, Н.В. Абросимов2, Н. Riemann2 |
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
2Leibniz Institute for Crystal Growth, Germany, Berlin
|
|
| Универсальность плоскости {113} в Si для формирования топологических дефектов связей при смешанной кластеризации вакансий и междоузельных атомов |
| Л.И. Федина |
| Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия |
|
| Новые элементоорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы пленок нитридов и карбонитридов кремния |
| М.Л. Косинова |
| Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
| Влияние масштабного фактора на общие закономерности свободной и смешанной конвекции расплавов в вариантах метода Чохральского |
| В.С. Бердников1,2, В.А. Винокуров1, В.В. Винокуров1, В.А. Марков1 |
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск |
|
| Present and future ultra-low power & energy-efficient electronic devices |
| Albert Chin, Cheng Wei Shih, and Kai-Zhi Kan |
| Dept. of Electronics Eng., National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan |
