XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов
по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния, нанометровых структур
и приборов на его основе
12-15 сентября 2016 г., Новосибирск
 
Новости
23.09.2016 Размещён сборник тезисов.
19.09.2016 Фотоотчёт
11.09.2016 Регистрация участников конференции будет проходить в курорт-отеле «Сосновка» 12 сентября 2016г. с 12:00.
08.09.2016 Оргкомитет организует доставку участников конференции в курорт-отель «Сосновку», где будут проходить заседания секций.

Расписание автобусов:
с 13.09. по 15.09.2016 ежедневно

  • в 08:20 от Административного корпуса ИФП СО РАН (Лаврентьева, 13);
  • вечером по окончании заседаний от «Сосновки».
Отель «Сосновка» предлагает обеды для участников конференции. Стоимость обеда 350 руб.
18.07.2016 Срок оплаты Оргвзноса продлен до 1 августа.
07.06.2016 Размещена Программа конференции.
03.06.2016 Опубликован порядок оплаты Оргвзноса.
23.05.2016 Опубликован список Приглашенных докладов конференции.
20.04.2016 Продлён срок подачи тезисов до 1 мая 2016 г.
10.03.2016 Добро пожаловать на сайт конференции "КРЕМНИЙ 2016"!
Контакты
Факс: +7(383)333-27-71
E-mail:
Тысченко Ида Евгеньевна
Тел.: +7(383)333-25-37
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: +7(383)333-24-88
Адрес
ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
630090, пр. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, Россия
ПРОГРАММНЫЙ КОМИТЕТ

Сопредседатели конференции
Латышев А.В.ИФП СО РАН, Новосибирск
Асеев А.Л.СО РАН, Новосибирск
Зам. председателя
Двуреченский А.В.ИФП СО РАН, Новосибирск
Ученый секретарь
Тысченко И.Е.ИФП СО РАН, Новосибирск
Члены программного комитета
Аристов В.В.ИПТМ РАН, Черноголовка
Брыкин А.В.ОАО «Росэлектроника»
Волков Н.В.ИФ СО РАН, Красноярск
Вяткин А.Ф.ИПТМ РАН, Черноголовка
Гиваргизов Е.И.ИК РАН, Москва
Грибов Б.Г.«ФГУП «ГНИИ ОСЧМ», Зеленоград
Гуляев Ю.В.ИРЭ РАН, Москва
Дашевский М.Я.НИТУ МИСиС, Москва
Егоров Е.П.ОАО ПХМЗ, Подольск
Зайцев П.А.ФГУП «НИИ НПО «ЛУЧ», Подольск
Земсков В.С.ИМЕТ РАН, Москва
Исюк В.И.АО «НЗПП с ОКБ», Новосибирск
Казанский А.Г.МГУ, Москва
Кведер В.В.ИФТТ РАН, Черноголовка
Красильник З.Ф.ИФМ РАН, Н.Новгород
Красников Г.Я.ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва
Кудрявцева С.В.ОАО НИИ «Изотерм», Брянск
Лукичев В.Ф.ФТИАН, Москва
Неизвестный И.Г.ИФП СО РАН, Новосибирск
Непомнящих А.И.ИГХ СО РАН, Иркутск
Никитов С.А.ИРЭ РАН, Москва
Орликовский А.А.ФТИАН, Москва
Пархоменко Ю.Н.АО «ГИРЕДМЕТ», Москва
Попов В.П.ИФП СО РАН, Новосибирск
Саранин А.А.ИАПУ ДВО РАН, Владивосток
Сауров А.Н.ИНМЭ РАН, Москва
Сибельдин Н.Н.ФИАН, Москва
Соболев Н.А.ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Сорокин Л.М.ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
Стребков Д.С.ВИЭСХ, Москва

Адрес и контакты Программного комитета:

ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
630090, пр. Ак. Лаврентьева, 13, Новосибирск, Россия
Тысченко Ида Евгеньевна – ученый секретарь Программного комитета
Тел.: +7(383)333-25-37
E-mail:

Список приглашенных докладов
Организаторы конференции
 
© ИФП СО РАН, 2016. webmaster@isp.nsc.ru