IXРоссийская конференция
по физике полупроводников
28 сентября - 3 октября 2009 г.
Новосибирск - Томск
Новости
09.10.2009 Фотоотчет
15.07.2009 ВНИМАНИЕ!!! На сайте размещена программа
14.07.2009 Обновлена информация о проживании
14.07.2009 ВНИМАНИЕ!!! Обновлена информация о рейсах по состоянию на 13 июля 2009 года
11.06.2009 Обновлен список Докладов по приглашению
18.05.2009 Прилагаем образцы документов для участников конференции.
Контакты

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
Тел: (383)333-32-60
Факс: (383)333-27-71
E-mail:

ПРОГРАММА

Программа конференции состоит из 2 пленарный докладов, 39 приглашенных докладов, 86 устных докладов и 4 стендовых сессий.

Программа конференции
PDF файл / 630,0 КбСкачать
Расписание работы конференции
PDF файл / 200,0 КбСкачать
Пленарные и тематические заседания
Время для выступления:
  • пленарные доклады: 30 мин., 5 мин. на дискуссию;
  • приглашенные доклады: 25 мин., 5 мин. на дискуссию;
  • устные доклады: 17 мин., 3 мин. на дискуссию.
Докладчикам будет предоставлено необходимое оборудование: мультимедийный проектор, микрофон, пульт управления/указка. Авторы, использующие компьютерные презентации, могут обратиться в оргкомитет для предварительного тестирования демонстрационных файлов.
Стендовые сессии
Три стендовые сессии будут проходить на 2-ом этаже Дома Ученых СО РАН (г.Новосибирск) в холле перед Большим залом и одна стендовая сессия в холле перед Актовым залом Конгресс-центра «Рубин» (г.Томск).
Авторам будут предоставлены стенды размером 1 х 1 м2 и всё необходимое для крепления презентационных материалов. Материалы должны быть вывешены не позднее, чем за полчаса до начала сессии, и убраны к утру следующего дня.
Стендовая сессия 1
Понедельник, 28 сентября, 16:15-18:15
  • Объемные полупроводники
  • Поверхность, пленки, слои
  • Гетероструктуры и сверхрешетки
  • Двумерные системы
  • Метаматериалы и фотонные кристаллы
Стендовая сессия 2
Вторник, 29 сентября, 16:05-18:05
  • Одномерные и нульмерные системы
  • Широкозонные материалы
  • Высокочастотные явления в полупроводниках
Стендовая сессия 3
Среда, 30 сентября, 16:15-18:15
  • Примеси и дефекты
  • Органические полупроводники, молекулярные системы
Стендовая сессия 4
Пятница, 2 октября, 16:15-18:15
  • Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм
  • Углеродные наноматериалы
  • Полупроводниковые приборы и устройства
Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Список пленарных и приглашенных докладов.
Организаторы конференции
Конференцию поддерживают
Все участники конференции оплачивают организацион- ный взнос. Прилагаем образцы документов для участников конференции: Договор на участие в конференции и Акт приемки.
Проживание будет организовано в гостинице "Золотая долина"
Информация о переезде из Новосибирска в Томск и отъезде после окончания конференции.
Информация о экскурсиях, организации досуга и культурно-развлекательных программ.
 
© ИФП СО РАН, 2009. Webmaster: Sambur Nadezhda, webmaster@isp.nsc.ru