Программа конференции состоит из 2 пленарный докладов, 39 приглашенных докладов, 86 устных докладов и 4 стендовых сессий.
Программа конференции | PDF файл / 630,0 Кб | Скачать |
Расписание работы конференции | PDF файл / 200,0 Кб | Скачать |
Пленарные и тематические заседания
Время для выступления:
- пленарные доклады: 30 мин., 5 мин. на дискуссию;
- приглашенные доклады: 25 мин., 5 мин. на дискуссию;
- устные доклады: 17 мин., 3 мин. на дискуссию.
Докладчикам будет предоставлено необходимое оборудование: мультимедийный проектор, микрофон, пульт управления/указка. Авторы, использующие компьютерные презентации, могут обратиться в оргкомитет для предварительного тестирования демонстрационных файлов.
Стендовые сессии
Три стендовые сессии будут проходить на 2-ом этаже Дома Ученых СО РАН (г.Новосибирск) в холле перед Большим залом и одна стендовая сессия в холле перед Актовым залом Конгресс-центра «Рубин» (г.Томск).
Авторам будут предоставлены стенды размером 1 х 1 м2 и всё необходимое для крепления презентационных материалов. Материалы должны быть вывешены не позднее, чем за полчаса до начала сессии, и убраны к утру следующего дня.
Стендовая сессия 1
Понедельник, 28 сентября, 16:15-18:15
- Объемные полупроводники
- Поверхность, пленки, слои
- Гетероструктуры и сверхрешетки
- Двумерные системы
- Метаматериалы и фотонные кристаллы
Стендовая сессия 2
Вторник, 29 сентября, 16:05-18:05
- Одномерные и нульмерные системы
- Широкозонные материалы
- Высокочастотные явления в полупроводниках
Стендовая сессия 3
Среда, 30 сентября, 16:15-18:15
- Примеси и дефекты
- Органические полупроводники, молекулярные системы
Стендовая сессия 4
Пятница, 2 октября, 16:15-18:15
- Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм
- Углеродные наноматериалы
- Полупроводниковые приборы и устройства
|