| ПЛЕНАРНЫЕ ДОКЛАДЫ |
| Спиновые явления в полупроводниках и спинтроника |
| Ю.Г. Кусраев |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Нанотехнологии в полупроводниковых сенсорах |
| И.Г. Неизвестный |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ |
| Коллективные эффекты в фотолюминесценции квантовых точек в микрорезонаторах |
| Н.С. Аверкиев, М.М. Глазов, А.Н. Поддубный |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Композиты полимер-неорганические наночастицы для оптоэлектроники |
| А.Н. Алешин |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Атомные реконструкции и электронные свойства атомно-гладкой поверхности GaAs с адсорбатами |
| А.Г. Журавлев, К.В. Торопецкий, О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| Генерация колебаний при протекании тока через примесь в одномерных проводниках |
| С.Н. Артеменко |
| Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН |
Переход в сверхдиэлектрическое состояние в критически разупорядоченных плёнках TiN |
| Т.И. Батурина |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| Спиновые токи в полумагнитных гетероструктурах |
| В.В. Бельков1, С.Д. Ганичев2, С.А. Тарасенко1, Д.Р. Яковлев1,3 |
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
2 University of Regensburg, Germany
3 TU Dortmund University, Germany |
| Приборостроение для нанотехнологии - состояние и перспективы развития |
| В.А. Быков
|
| Группа предприятий "НТ-МДТ", Москва |
| Особенности электронных состояний в графене |
| В.А. Волков |
| Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН |
| Поляризационные особенности рассеяния квази-двумерных экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах |
| Н.А.Гиппиус1,2, С.С. Гаврилов1,3, Н.С. Маслова4, В.Д.Кулаковский3, С.Г.Тиходеев1 |
1 Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН
2 LASMEA, CNRS, Université Blaise Pascal, France
3 Институт физики твёрдого тела РАН
4 МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет.
|
| Квазиклассическая теория фотогальванических эффектов в нецентросимметричных полупроводниках |
| Л.Е. Голуб1, Е.Л. Ивченко1, E. Deyo2, B. Spivak2 |
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
2 Department of Physics, University of Washington, USA |
| Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах |
| А.А. Горбацевич |
| Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН |
| Фазовая диаграмма Бозе-конденсации диполярных экситонов в латеральной ловушке в GaAs/AlGaAs гетероструктурах |
| А.В. Горбунов, Д.А. Демин, В.Б. Тимофеев |
| Институт физики твердого тела РАН |
| Термодинамические измерения на электронных системах с сильным взаимодействием. |
| В.Т. Долгополов |
| Институт физики твердого тела РАН |
| Широкозонные полупроводниковые соединения для детекторов рентгеновского и гамма-излучения |
| В.М. Залетин |
| ОАО "Институт физико-технических проблем" |
| Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводниках |
| И.П. Звягин |
| МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет |
| Лазерные сборки с электронно-лучевой накачкой на основе квантоворазмерных структур ZnCdSe/ZnMgSSe |
| С.В. Иванов1, И.В. Седова1, С.В. Сорокин1, С.В. Гронин1, Н.А. Гамов2, Е.В. Жданова2, В.Б. Студенов2, Д.В. Перегудов2, М.М. Зверев2, И.М. Олихов3, П.С. Копьев1 |
1 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
2 Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
3 ФГУП НИИ "Платан", Фрязино, Московская область |
| Гигантская спиновая поляризация электронов в полупроводниках при комнатной температуре |
| В.К. Калевич |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850нм со скоростью передачи данных 39Гбит/с |
| Л.Я. Карачинский1,2, С.А. Блохин1,2, Д.А. Лотт3, М.В. Максимов1,2, А. Мутиг4, А.М. Надточий1,2, И.И. Новиков1, В.А. Щукин1,3, Д. Бимберг4, Н.Н. Леденцов1,2,3 |
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
2 СПб ФТНОЦ РАН
3 VI Systems GmbH, Berlin, Germany
4 Технический Университет Берлина, Германия |
| Двумерный полуметалл и экситонный диэлектрик в квантовых ямах на основе HgTe |
| З.Д.Квон1,2, Е.Б.Ольшанецкий1, Д.А.Козлов1, Н.Н.Михайлов1, С.А.Дворецкий1, И.О.Парм1 |
1 Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
2 Новосибирский государственный университет |
| Эффект Раби в асимметричных наноструктурах |
| О.В. Кибис1, Г.Я. Слепян2, С.А. Максименко2, A. Hoffmann3 |
1 Новосибирский государственный технический университет
2 Институт ядерных проблем при Белорусском госуниверситете
3 Institut für Festkörper Physik, Technische Universität Berlin |
| Гистерезисные эффекты в кинетике накачиваемой и рассеянных поляритонных мод в планарных GaAs микрорезонаторах
|
| В.Д. Кулаковский1, А.А. Деменев1, С.С. Гаврилов1, Н.А. Гиппиус2, С.Г. Тиходеев2 |
1 Институт физики твердого тела РАН
2 Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН
|
| Исследование магнитных фазовых переходов в двумерной электронной системе методом неупругого рассеяния света |
| Л.В. Кулик |
| Институт физики твердого тела РАН |
| Макроскопические системы нанопроволок из полупроводников |
| Ю.А.Кумзеров |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Межслоевая туннельная спектроскопия NbSe3, KMo6O17 и графита в импульсных магнитных полях до 55 Тл |
| Ю.И. Латышев1, А.П Орлов1, А.Ю. Латышев1, Д. Виньоль2 |
1 Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН
2 Нац. лаборатория импульсных магнитных полей, Франция
|
| Коллективные свойства и фазы графеновых структур |
| Ю.Е. Лозовик |
| Институт спектроскопии РАН |
| Исследование релаксации примесной фотопроводимости в терагерцовом диапазоне в гетероструктурах In0.1Ga0.9As0.8P0.2 и Ge/Ge0.9Si0.1 с квантовыми ямами |
| В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, С.В. Морозов, К.В. Маремьянин, А.Н. Яблонский, Д.И. Курицын, И.В. Ерофеева, С.М. Сергеев |
| Институт физики микроструктур РАН |
| Изготовление и свойства КНИ-нанопроволочных транзисторов как сенсоров заряда |
| О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Л.Н. Сафронов, Д.А. Насимов, М.А. Ильницкий, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л Асеев |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| Получение и использование кристаллов и эпитаксиальных гетеросистем на основе GaSb для создания высокоэффективных термофотоэлектрических преобразователей энергии |
| Б.Г. Захаров1, О.П. Пчеляков2, Ю.А. Серебряков1, В.И. Стрелов1, И.А. Прохоров1, А.В. Колесников2, М.А. Путято2, Н.А. Паханов2, Е.М. Труханов2
|
1 НИЦ "Космическое материаловедение" ИК РАН
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
| Механизмы образования спин-поляризованного состояния и спинового тока в квантовых контактах |
|
В. А. Сабликов, Б. С. Щамхалова, А. А. Суханов |
| Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН |
| Поляризация дырок и ферромагнитный порядок в разбавленном магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As |
| В.Ф. Сапега1, Н.С. Аверкиев1, К. Плуг2
|
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН
2 Институт им. Пауля Друде, Берлин, Германия |
| Динамика атомов на поверхности с квазипериодическим рельефом: атомы Ge на Si(111)'5×5'-Cu |
| А.А. Саранин, Д.В. Грузнев, А.В. Зотов |
| Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН |
| Гидрогенизация пленок CdxHg1-xTe при химических обработках |
| Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| Фотогальванические эффекты в двумерных системах на поверхности кремния |
| С.А. Тарасенко |
| Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| Поперечный эффект фотонного увлечения циркулярно-поляризованным светом в наноперфорированном слое металла |
| T. Hatano1, T. Ishihara1, Н.А. Гиппиус2,3, С.Г. Тиходеев2 |
1 Department of physics, Tohoku University, Japan
2 Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН
3 LASMEA, UMR 6602, Universite Blaise Pascal, France |
| Алмаз-графитовые гетероструктуры в ионно-имплантированном алмазе |
| Р.А. Хмельницкий, А.А. Гиппиус |
| Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН |
| Фотоэлектрические эффекты в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца при воздействии лазерного терагерцового излучения |
| Д.Р. Хохлов1, А.В. Галеева1, Д.Е. Долженко1, Л.И. Рябова1, А.В. Никорич2, С.Д. Ганичев3, С.Н. Данилов3, В.В. Бельков4 |
1 Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
2 Институт прикладной физики АН Молдовы
3 Физический факультет, университет Регенсбурга, Германия
4 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН |
| "Медленный свет" в полупроводниковых кристаллах и наноструктурах |
| Т.В.Шубина1, М.M .Глазов1, A.A .Торопов1, Н.А. Гиппиус2, Г. Позина3, B. Monemar3, П.С. Копьев1 |
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН,
2 Институт общей физики им. А.М.Прохорова РАН,
3 Linköping University, Sweden |
| Физические явления в низкоразмерных системах с локальными высокочастотными полями |
| Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин |
| Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН |
| Когерентная спиновая динамика заряженных квантовых точек
|
| Д.Р. Яковлев1,2 |
1 Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН,
2 Experimental Physics 2, TU Dortmund University, Germany |
