18.05.2009 Прилагаем образцы документов для участников конференции.
Контакты
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
Тел: (383)333-32-60
Факс: (383)333-27-71
E-mail:
ТЕМАТИКА КОНФЕРЕНЦИИ
Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.
Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства, электронный транспорт, микрорезонаторы.
Широкозонные материалы (SiC, GaN, II-VI и др.): рост, оптические и электронные свойства.
Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
Органические полупроводники, молекулярные системы.
Углеродные наноматериалы.
Метаматериалы и фотонные кристаллы.
Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.
Все участники конференции оплачивают организацион- ный взнос. Прилагаем образцы документов для участников конференции: Договор на участие в конференции и Акт приемки.