События

В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

В понедельник, 30 сентября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

Во вторник, 20.05.2025 в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Щеглов Дмитрий Владимирович
«АТОМНО-СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОТЕХНОЛОГИЯХ: МЕТРОЛОГИЯ, ДИАГНОСТИКА И ЛИТОГРАФИЯ»

Во вторник, 13.05.2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится открытый лабораторный семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
"Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при сублимации и эпитаксиальном росте"

В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов

В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований международными научными коллективами» (совместно с Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований - БРФФИ)
Заявки принимаются до 26.05.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



1991

  1. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1, p.1-14.
  2. V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova, Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol. (a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4, p.630-632.
  4. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991, вып. 7(261), с.26-29.
  5. Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
  6. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн. полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
  7. L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced Diffusion of Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing (Computer Simulation). Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
  8. Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин, И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
  9. Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
  11. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.