События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

В понедельник, 18.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик:к.ф.-м.н., доцент Сколковского института науки и технологий, руководитель Лаборатории квантовых алгоритмов машинного обучения и оптимизации Палюлин Владимир Владимирович.
«Модели двух состояний для описания диффузии экситонов в низкоразмерных полупроводниках»

Важное






Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований международными научными коллективами» (совместно с Вьетнамской Академией наук и технологий – VAST)
Прием заявок до 22.12.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

Лаборатория физики низкоразмерных электронных систем

Избранные публикации 2016 года

  1. D. A. Kozlov, D. Bauer, J. Ziegler, R. Fischer, M. L. Savchenko, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and D. Weiss "Probing quantum capacitance in a 3D topological insulator", Phys.Rev.Lett., 116, 166802 (2016)
  2. A. Kononov, S. V. Egorov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and E. V. Deviatov, "Andreev reflection at the edge of a two-dimensional semimetal", Phys.Rev. B, 93, 041303(R) (2016)
  3. A. B. Talochkin, I. B. Chistokhin, and V. I. Mashanov “Photoconductivity of ultra-thin Ge(GeSn) layers grown in Si by low-temperature molecular beam epitaxy”, Journal of Applied Physics., 119, 134302 (1-6), (2016).
  4. T. Herrmann, I. A. Dmitriev, D. A. Kozlov и др., " Analog of microwave-induced resistance oscillations induced in GaAs heterostructures by terahertz radiation", Phys.Rev. B, 94, 081301(R) (2016).
  5. М.Л.Савченко, Д.А.Козлов, З.Д.Квон, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий "Слабая антилокализация в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной пленки HgTe, Письма в ЖЭТФ, 104, 311 (2016)
  6. A. Shuvaev, V. Dziom, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, and A. Pimenov "Universal Faraday Rotation in HgTe Wells with Critical Thickness", Phys.Rev.Lett, 117, 117401 (2016).
  7. А.А.Добрецова, З.Д.Квон, Л.С.Брагинский, М.В.Энтин, Н.Н.Михайлов "Подвижность дираковских электронов в HgTe квантовых ямах", Письма в ЖЭТФ, 104, 402 (2016).
  8. А. Ю. Миронов, С. В. Постолова, Д. А. Насимов, «Сверхпроводящие свойства проволок нитрида титана», Письма в ЖЭТФ, 104, 787 (2016).
  9. F.N. Dultsev, D.V. Nekrasov Transformation of porous structure under vacuum ultraviolet irradiation of the films based on silicon dioxide, Thin Solid Films, 603, 249 (2016).
  10. З.Д.Квон, К. -М.Дантчер, М. -Т.Шерр, А.С.Ярошевич, Н.Н.Михайлов "Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта", Письма в ЖЭТФ, 103, 623 (2016).
  11. A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, A. K. Kalagin, E. E. Rodyakina, and A. V. Latyshev. Microwave-induced zero-resistance state in two-dimensional electron systems with unidirectional periodic modulation. Appl. Phys. Lett. 108, 012103 (2016).