СОТРУДНИКИ

Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович м.н.с.

Область интересов:

Получение нестехиометрических диэлектриков путем обработки в плазме электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР). Исследование влияния вакансий кислорода на проводимость SiO₂ и high-k диэлектриков, обработанных в водородной ЭЦР плазме. Разработка МДМ/МДП наноструктур, применимых в качестве элементов резистивной ReRAM-памяти и исследование их резистивных свойств. Определение механизма транспорта заряда в мемристорных МДМ/МДП наноструктурах.