Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, основанная академиком И.М. Цидильковским, проводится Институтом физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН с 1966 года. Как поясняют организаторы, цель таких школ состоит в том, чтобы способствовать плодотворному обсуждению и глубокому осмыслению достижений физики полупроводников широким кругом ученых, особенно молодых. В программу школы включены выступления ведущих российских и зарубежных ученых с лекциями, обзорными докладами и оригинальными сообщениями.
В этом году в школе приняли участие 106 человек, среди которых 45 молодых ученых. Трое из них удостоены наград за лучшие доклады: Нина Николаевна Курусь (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН), Валентина Михайловна Литвяк (Санкт-Петербургский госуниверситет) и Семен Борисович Бобин (Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН).
Нина Курусь
В число участников, отмеченных за преданность Уральской международной зимней школе по физике полупроводников, вошли трое ученых ИФП СО РАН:
– заведующий лабораторией ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Дмитрий Харитонович Квон (участник школы с 2002 г., член Программного комитета с 2008 г.),
– ведущий научный сотрудник к.ф.-м.н. Сергей Алексеевич Дворецкий (член Программного комитета с 2020 г.),
– старший научный сотрудник к.ф.-м.н. Николай Николаевич Михайлов, соавтор 58 докладов, сделанных на восьми школах с 2010 г.
Организаторы отмечают, что в этом году на школе были представлены 37 устных докладов, 36 приглашенных и 28 постерных.
Приглашенный доклад младшего научного сотрудника молодежной лаборатории ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики ИФП СО РАН Нины Николаевны Курусь был посвящен ближнепольной оптической спектроскопии углеродных и графеноподобных материалов.
(диплом)
«Тема моего доклада не совсем типична для школы, поэтому я начала презентацию с краткого представления методов ближнепольной оптической спектроскопии: комбинационного рассеяния света с нанометровым пространственным разрешением (нано-КРС) и нанофотолюминесценции (нано-ФЛ). Затем я рассказала о результатах изучения мультиграфена (10 монослоёв графена) и графена методом нано-КРС в режиме щелевого плазмона.
Подход, который применила наша научная группа, позволил добиться беспрецедентно высокого усиления сигнала КРС от этих двумерных материалов, что, в совокупности с пространственным разрешением на уровне 10 нанометров, позволило выполнить локальное исследование структуры, выявить дефекты и напряженные состояния в плёнках. К классу так называемых графеноподобных материалов относятся и двумерные дихалькогениды переходных металлов. Я, в частности, говорила о возможностях метода нано-ФЛ в исследовании структурного совершенства таких материалов на примере двумерных островков дисульфида вольфрама WS2.», — пояснила исследовательница.
Нина Курусь
Нина участвовала в работе школы впервые: «Мне было очень любопытно пообщаться с коллегами, завести новые знакомства и получить комментарии о своей работе от ученых, которые слышали о ней впервые. В частности, А. Я. Шульман из Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова (Москва) поделился со мной альтернативным взглядом на физику электромагнитного механизма усиления сигнала комбинационного рассеяния света. Доклады сотрудников нашего института отличаюлись живостью и интересной подачей. Хотела отметить постерные доклады магистранток Новосибирского государственного университета Надежды Солововой и Анастасии Микаевой».
Студентки физического факультета НГУ Надежда Юрьевна Соловова и Анастасия Сергеевна Микаева выполняют дипломные работы в лаборатории физики и технологии гетероструктур ИФП СО РАН под руководством кандидата физико-математических наук Владимира Андреевича Голяшова. Они работают с тонкими полупроводниковыми пленками, в частности, исследуют их электронную структуру методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (angle-resolved photoemission spectroscopy — ARPES).
Доклад Надежды Солововой назывался «Эпитаксиальный рост и электронная структура тонких плёнок Bi/InAs(111)А», а сообщение Анастасии Микаевой «Электронная структура поверхности легированных In пленок Pb1-xSnxTe/BaF2(111)».
«Мне интересна методика ARPES тем, что она позволяет визуализировать электронный спектр реального материала», — добавила Нина Курусь.
Участники XXV Уральской международной зимней школы по физике полупроводников
Пресс-служба ИФП СО РАН
Фотографии из фотоархива Школы, больше фото можно найти по ссылке https://disk.yandex.ru/d/uXOI2z-jDMHabA