Александр Латышев. Автор фото Leaders Today.

4 января 2024 года исполняется 65 лет директору Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН академику РАН Александру Васильевичу Латышеву.

Александр Васильевич родился в городе Булаево Северо-Казахстанской области. В 1976 году он поступил на физический факультет Новосибирского государственного университета. По окончании университета в 1981 году Александр Васильевич пришел на работу в Институт физики полупроводников Сибирского отделения Академии наук, с которым связал всю свою научную жизнь.

Ученый прошёл путь от стажера-исследователя до директора Института. В 1990 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Структурные перестройки на атомарно-чистой поверхности кремния при сублимации, гомоэпитаксии и фазовых переходах по данным отражательной электронной микроскопии», в 1998 году —докторскую диссертацию «Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов». В 2008 г. Латышев А.В. был избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН, а в 2016 г. действительным членом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Исследование атомных процессов

Александр Васильевич — известный российский ученый, специалист в области физики и технологии элементной базы наноэлектроники и нанофотоники, синтеза низкоразмерных систем, создания устройств тепловидения, диагностики атомного разрешения, автор и соавтор более 350 научных работ, из них 9 монографий и 9 патентов.

Основные научные труды А.В. Латышева связаны c изучением механизмов атомных процессов на поверхности и границах раздела при формировании полупроводниковых систем пониженной размерности. Под его руководством осуществляется комплексная метрологическая, диагностическая и технологическая поддержка многочисленных исследований в области нанотехнологий методами высокоразрешающей, сканирующей, отражательной электронной микроскопии и других методов на базе центра коллективного пользования «Наноструктуры».

Развитие новых методов нанолитографии

Полученные результаты обеспечили создание нового поколения полупроводниковых приборов, таких как нанотранзисторы и одноэлектронные транзисторы, фотоприемные устройства на квантовых эффектах и элементы силовой электроники.

Вместе с коллегами Александр Васильевич ведет работы по развитию существующих и созданию новых методов нанолитографии как остросфокусированным электронным и ионными пучками, так и с применением сканирующих зондовых микроскопов.

Создание уникального приборного комплекса

Наиболее значительный результат работ Александра Латышева — создание уникальной системы сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии для in situ характеризации атомных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии, твердофазных реакциях и взаимодействии газов с поверхностью монокристаллического кремния. Александр Васильевич выполнил цикл пионерских работ по изучению структурных перестроек на поверхностях кремния, которые внесли принципиально новое понимание в физику формирования субмонослойных покрытий.

Открытие и описание эффекта эшелонирования атомных ступеней

Александр Латышев впервые теоретически обосновал и экспериментально открыл эффект электромиграции адсорбированных атомов кремния, который вызывает перераспределение элементарных атомных ступеней на поверхности кремния. Впервые установлено влияние поверхностных фазовых переходов на кластерирование моноатомных ступеней на поверхности кремния, установлена структура высокотемпературной поверхности кремния, обнаружено аномальное движение ступеней при сверхструктурном переходе.

Полученные результаты использовались для разработки и совершенствования технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и открывают пути создания новых приборов полупроводниковой наноэлектроники на основе обнаруженных эффектов самоорганизации на поверхности кремния. Работы Александра Латышева признаны и широко известны в России и за рубежом.

Создатель собственной научной школы

Александр Васильевич принимает активное участие в подготовке научных кадров, возглавляя кафедру Новосибирского государственного университета, являясь членом двух диссертационных советов, под его руководством защищены 6 диссертаций. Он соруководитель научной школы «Атомные процессы и технологии создания низкоразмерных полупроводниковых систем».

Ученый ведет большую научно-организационную работу как член редколлегий журналов «Surface Science and Nanotechnology», «Физика и техника полупроводников», «Успехи прикладной физики», «Автометрия», «Наноиндустрия», «Сибирский физический журнал», «Наука из первых рук», член Президиума СО РАН, заместитель председателя Объединенного ученого совета по нанотехнологиям и информационным технологиям СО РАН, член НКС по научно-техническим проблемам специальной техники, секции Межведомственного совета по присуждению премий Правительства РФ и член НТС «АФК-система».

Заслуги Александра Латышева отмечены почётными грамотами Российской академии наук, Министерства образования и науки РФ, Президиума РАН и Президиума СО РАН, дипломами Фонда содействия отечественной науке. В 2014 г. Латышеву А.В. присуждено звание лауреата Премии Правительства РФ в области образования.

Поздравляем Александра Васильевича с днем рождения! Желаем новых открытий, успеха во всех делах и начинаниях!

Автор фото Елена Либрик "Научная Россия".