"Akademcity.org продолжает представлять молодых ученых Академгородка, чьи работы в этом году были отмечены премией мэрии Новосибирска. С журналистами беседовала научный сотрудник Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Алина Герасимова. Премией отмечена ее научная работа, посвященная синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти.
– Алина Константиновна, что это такое - энергонезависимая резистивная память?
– Это разновидность компьютерной памяти (ее еще называют ReRAM), которая совмещает в себе сильные стороны других типов: она сохраняет информацию без подключения к источнику энергии, как флеш-память, у нее высокая плотность записи данных, что позволяет хранить большие объемы информации и высокая скорость работы, характерная для динамической (оперативной) памяти. По сути, это еще один шаг к созданию «идеальной» памяти и это объясняет большой интерес к этому направлению со стороны ведущих компаний компьютерной индустрии во всем мире.
– Насколько я слышал, первые образцы такой памяти уже демонстрировались. В чем заключается Ваша работа?
– Мало создать демонстрационные образцы или даже первый промышленный продукт. Как это обычно и бывает с технологиями, они требуют длительной доработки: для массового внедрения надо, чтобы такая память имела разумную себестоимость, высокую надежность в работе и хранении данных. К примеру, одна из проблем, с которой сегодня столкнулись производители – недопустимо высокий процент брака среди ячеек памяти.
Структурно эта память представляет собой ячейку, состоящую из нескольких слоёв: металл-диэлектрик-металл. И многое зависит от того, какие химические элементы используются в ее создании. Вместе с коллегами мы выращивали тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава ― HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы считаются перспективными для создания элементов ReRAM.
В работе, которая была отмечена премией, мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов. Понимание этих процессов позволяет управлять параметрами ячеек памяти ReRAM, улучшать их характеристики, снизить долю того самого брака. Это и есть часть той самой оптимизации технологии, которая необходима для начала массового производства."
Полный текст интервью по ссылке: https://academcity.org/content/plenki-dlya-idealnoy-pamyati
Автор фото: Евгения Цаценко