Первая Российская конференция, посвященная развитию рентгеновской литографии в нашей стране, приглашает к участию!
Организаторы: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, Центр искусственного интеллекта Новосибирского госуниверситета при поддержке группы компаний «Научное оборудование».
Цель конференции: сформировать консолидированное научно-техническое видение о целесообразности создания станции литографии. В случае положительного решения:
- определить ключевые научные проблемы и технологические барьеры ее создания,
- заложить основу для создания консорциума по разработке и созданию опытного рентгеновского литографа на условную длину волны 7 ангстрем на базе российского синхротронного источника 4-го поколения ЦКП «СКИФ»,
- выработать задел научной программы работы станции,
- сформировать ориентировочную структуру цены создания и функционирования станции и понимание возможных источников финансирования.
Организаторы конференции отмечают, что в России благодаря сочетанию накопленной экспертизы, научной инфраструктуры, новых знаний появился беспрецедентный исторический шанс для совершения технологического рывка, формирования новой отечественной высокотехнологичной отрасли и получения ключевых компетенций, определяющих облик посткремниевой электроники (с нормами 2 нанометра и ниже).
Успех в этом направлении сформирует базис для следующего поколения вычислительных, сенсорных и квантовых устройств.
Время проведения конференции-семинара: 18 февраля 2026 года, 13:00-20:00 по новосибирскому времени (9:00-16:00 МСК),
Место проведения: Новосибирск, Пирогова 1, к.414 (зал заседаний Ученого совета НГУ).
Конференция-семинар очно-заочная — ссылка для подключения по ВКС: https://my.mts-link.ru/j/3826619/12802679275
Для создания подключения участников рекомендуется использовать браузер «Google Chrome» или «Yandex Browser»!
Помощь участникам: https://help.mts-link.ru/category/4154
Программа конференции – по ссылке
«Развитие микроэлектроники в ближайшее десятилетие откроет новую эру ангстремных технологий, где создание фундаментальных вычислительных элементов будет происходить на предельном, атомарном уровне. Сегодня лидеры отрасли, такие как ASML, не только развивают технологию EUV-литографии (13.5 нанометров), но и совершенствуют физические принципы построения электронных компонентов, достигая топологической нормы на уровне 1-2 нанометра. Но для качественного скачка нужны прорывные решения, выходящие за рамки существующих подходов.
Развитие цифрового мира связано с новыми парадигмами создания вычислительных систем (не только электронных), где характерный размер модификации материалов составит доли нанометра, вплоть до манипуляции отдельными атомами.
Одно из ключевых перспективных направлений — переход к использованию модифицирующего излучения с длиной волны 1 нм и менее, что соответствует жесткому рентгеновскому диапазону. Синхротронное излучение (СИ) сегодня — мощнейший и наиболее стабильный источник для решения новых задач.
Россия обладает исключительным научно-технологическим заделом для реализации этого прорыва:
Мощная инфраструктура в области СИ (ЦКП «СКИФ», ИЯФ СО РАН, НИЦ «Курчатовский институт»).
Накопленная экспертиза в разработке рентгеновской оптики, специализированных материалов для литографии, систем позиционирования (ИФМ РАН, ИПТМ РАН, МИЭТ и другие научные центры).
Новые знания в области элементарной счетной базы на основе наноразмерных структур в объеме и на поверхности твердого тела (ФИАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ИФП СО РАН и другие)», — поясняют организаторы конференции.
