Технологии и материалы

Технологический комплекс для производства ГЭС КРТ МЛЭ
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Линейчатые 288х4 и матричные 320х256 инфракрасные фотоприемники на длины волн 8-12 мкм для тепловизионных устройств
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Электронно-оптические преобразователи с полупроводниковыми фотокатодами
Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
Структуры кремний-на-изоляторе
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Диагностика полупроводниковых материалов
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Биосенсоры и фильтры на основе нано- и микроканальных мембран
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Разработка технологии создания мощных кремниевых резисторов с низким температурным коэффициентов сопротивления (ТКС)
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
Кремний для современной электроники
Научно-технологический отдел
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур на основе соединений III-V для полевых СВЧ транзисторов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Многослойные структуры на кремнии
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Свернуть
Изготовление матричных фоточувствительных элементов на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Свернуть