Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Искать...
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
Главная
Институт
Наука
Образование
Разработки
События
Главная
→
Образование
→
Аспирантура
→
Обучение в аспирантуре
«Физика полупроводников будет нужна всегда»
Источник:
Научная Россия
Структуры на вырост
Источник:
Газета РАН «Поиск»
Институт физики полупроводников: 60 лет науки и инноваций
Источник:
Наука в Сибири
В новом выпуске программы ОТС «Научная среда», посвященном юбилею ИФП СО РАН, ученые Института рассказывают о его истории и современных разработках
Топ-6 достижений Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН
Актуальные вопросы физики наноструктур и перспективных устройств электроники и фотоники обсудили в ИФП СО РАН
Новосибирские ученые скрестили алмаз и графен для получения нового материала
Разработки новосибирских физиков могут использоваться для создания компьютерной памяти нового поколения
Состоялись выборы Ученого совета ИФП СО РАН
Подкатегории
Семинары
О нас
Диссовет
Ученый совет
Аспирантура
Конференции
Конкурсы и гранты
Информация о конкурсах и грантах в новостях на первой странице
Новости МинОбрНауки
Научные школы
Кафедры
Аспирантура
Общая информация
Обучение в аспирантуре
Обучение в аспирантуре
Образовательная программа ФГОС
Образовательная программа ФГТ
Документы
Расписание занятий и экзаменов
Библиотека
Прием в аспирантуру
Подготовка и сдача кандидатских экзаменов
Государственная итоговая аттестация
Экстернат
Аспиранты
Преподавательский состав
Документы
Объявления
Контакты
Личный кабинет
Диссертационный совет
Научно-образовательные центры
Центры коллективного пользования