31 августа 2023 г. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности
- старшего научного сотрудника в Лаборатории №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов..
Деятельность:
Проведение исследования научных, в области физико-химических основ технологии выращивания методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев А3-нитридов (GaN и (AI,In)GaN) и структур на их основе, в частности на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов, проведение анализа структуры поверхности кристаллов и кинетики ростовых процессов методом дифракции быстрых электронов; проведение исследований электронной зонной структуры низкоразмерных структур, изготовленных на основе А3-нитридов; передача опыта научной деятельности и воспроизводство научных кадров; экспертиза научных результатов; доведение до всеобщего сведения научных (научно-технических) результатов.
Трудовые функции:
Постановка задач исследования научному коллективу ; формирование заявок, отчетов и выполнение научных проектов; выбор методов решения отдельных задач исследований, проведение экспериментальной и технологической работы, обобщение научных (научно-технических) результатов, обеспечение представления научных (научно-технических) результатов в области аммиачной молекулярно -лучевой эпитаксии слоев А3-нитридов (GaN и (AI,In)GaN); передача опыта научной деятельности и воспроизводство научных кадров; экспертиза научных результатов.
Трудовая деятельность:
Обосновывать актуальность и новизну темы исследования; формулировать основную гипотезу исследования; координировать решение задач исследования в процессе его проведения; обобщать результаты, полученные в процессе решения задач исследования Проводить анализ научно-технической литературы; проводить ростовые эксперименты и технологические работы на установках молекулярно-лучевой эпитаксии с газовым источником аммиака; обобщать информацию о научных и научно-технических результатах, полученных в области исследований эпитаксии слоев А3-нитридов (GaN и (AI,In)GaN) и структур на их основе.
Требования к кандидату:
- образование: высшее;
- ученая степень и звание: к.ф.-м.н.;
- наличие результатов интеллектуальной деятельности: количество статей и патентов не менее 15 за последние 5 лет.
Дата окончания приема документов 06.11.2023 г.
Заявки принимаются на сайте ученые-исследователи.рф Номер вакансии VAC_113142
Лицо, изъявившее желание принять участие в конкурсе, (далее - претендент) подает в конкурсную комиссию ИФП СО РАН следующие документы:
- личный листок по учету кадров;
- автобиография (в свободной форме);
- копии документов о высшем профессиональном образовании;
- копии документов о присуждении ученой степени, присвоении ученого звания (при наличии);
- сведения о научной и научно-организационной деятельности за пять лет, предшествующие дате проведения конкурса (ФОРМА 1);
- отзыв об исполнении претендентом должностных обязанностей с последнего места работы, подписанный уполномоченным работодателем должностным лицом (отзыв в свободной форме, должен содержать мотивированную оценку профессиональных, деловых и личностных качеств претендента, а также результатов его профессиональной деятельности).
Справки по тел.: 333-24-88 (секретарь конкурсной комиссии Аржанникова С.А.)
Адрес: г. Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева 13, к.211.