Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук

Гранты Президента РФ по государственной поддержке ведущих научных школ

НШ-10211.2016.8, академик РАН А. Л. Асеев, академик А. В. Латышев, «Атомные процессы на поверхности полупроводников и электронные явления в литографически наноструктурированных полупроводниковых и металлических системах».

Гранты и премии молодым ученым Института 2016 года

Победители конкурса 2015-2017 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Жданов Евгений Юрьевич, «Адиабатический и баллистический электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах с двумерным электронным газом»;
  • Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование квантовой электронной интерференции в подвешенных полупроводниковых наноструктурах»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний в полупроводниковых наноэлектромеханических системах c двумерным электронным газом».

Победителем Конкурса 2016-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стала Лямкина Анна Алексеевна с работой «Плазмонные волноводы для создания твёрдотельных интегральных структур».

Победители конкурса 2017-2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • Гугин Павел Павлович «Исследование фундаментальных принципов построения высоковольтных сильноточных энергоэффективных устройств генерации импульсов нано- и пикосекундного диапазона на основе «открытого» разряда»;
  • Емельянов Евгений Александрович «Поиск путей создания гибких высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV ».

Победители конкурса 2017 года по государственной поддержке молодых российских ученых-кандидатов наук:

  • Козлов Дмитрий Андреевич «Спиновая физика двумерных систем на основе HgTe».

Стипендия Правительства Новосибирской области для проведения перспективных научных исследований:

  • Добрецова А.А. «Транспорт носителей заряда в HgTe квантовых ямах с поверхностными состояниями»;
  • Савченко М.Л. «Спиновая поляризация поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе HgTe».

В 2016 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Юдановой Е.С. и Якшиной Е.А., стипендия имени А.В. Ржанова – Шевырину А.А.

Пазников А.А. – премия мэрии города Новосибирска в номинации «Лучший молодой исследователь в образовательных организациях высшего образования».

Гранты и премии молодым ученым Института 2015 года

Победители конкурса 2013-2015 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • Бельская Екатерина Викторовна, «Разработка и исследование источников лазерного излучения синего и УФ диапазона спектра при электронно-пучковом возбуждении»;
  • Лямкина Анна Алексеевна, «Разработка метода создания плазмонных наноантенн для повышения эффективности и миниатюризации квантовых излучателей света»;
  • Абрамкин Демид Суад, «Исследование процессов рекомбинации и спиновой релаксации в квантовых точках первого рода с непрямой запрещённой зоной»;
  • Мутилин Сергей Владимирович, «Двумерные электронно-дырочные системы на искривлённой поверхности: формирование и магнитотранспортные свойства»;
  • Тимофеев Вячеслав Алексеевич, «Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для информационных скоростных линий связи на основе фотоприемников инфракрасного диапазона».

Победители конкурса 2015-2017 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам:

  • Жданов Евгений Юрьевич, «Адиабатический и баллистический электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых наноструктурах с двумерным электронным газом»;
  • Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование квантовой электронной интерференции в подвешенных полупроводниковых наноструктурах»;
  • Шевырин Андрей Анатольевич «Физические механизмы возбуждения и детектирования колебаний в полупроводниковых наноэлектромеханических системах c двумерным электронным газом».

Премия за лучший доклад молодого сотрудника на 12-ой Российской конференции по физике полупроводников - Д.А. Козлов.

В 2015 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Д.С. Абрамкину, а стипендия имени А.В. Ржанова - Д.А. Похабову, Д.И. Рогило.

Гранты и премии молодым ученым Института 2014 года

В 2014 году кандидат физико-математических наук А.Ю. Миронов выполнял работы по грантам Президента РФ в рамках конкурса 2013 года по теме «Динамические свойства изоляторов с куперовским спариванием».

Победители конкурса 2013-2015 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • к.ф.-м.н. Бельская Екатерина Викторовна, «Разработка и исследование источников лазерного излучения синего и УФ диапазона спектра при электронно-пучковом возбуждении»;
  • аспирант Лямкина Анна Алексеевна, «Разработка метода создания плазмонных наноантенн для повышения эффективности и миниатюризации квантовых излучателей света»;
  • к.ф.-м.н. Абрамкин Демид Суад, «Исследование процессов рекомбинации и спиновой релаксации в квантовых точках первого рода с непрямой запрещённой зоной;
  • младший научный сотрудник Мутилин Сергей Владимирович, «Двумерные электронно-дырочные системы на искривлённой поверхности: формирование и магнитотранспортные свойства»;
  • аспирант Тимофеев Вячеслав Алексеевич, «Наногетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge для информационных скоростных линий связи на основе фотоприемников инфракрасного диапазона».

Победители конкурса 2012-2014 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам стали молодые ученые Института:

  • аспирант НГУ Жданов Евгений Юрьевич, «Электронный транспорт в подвешенных полупроводниковых мембранах»;
  • к.ф.-м.н. Козлов Дмитрий Андреевич, «Исследование транспортных свойств электронно-дырочных систем в квантовых ямах CdHgTe/HgTe/CdHgTe»;
  • м.н.с. Перевалов Тимофей Викторович, «Изучение из первых принципов атомной и электронной структуры диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью, перспективных для элементной базы наноэлектроники»;
  • аспирант НГУ Похабов Дмитрий Александрович, «Исследование неравновесного состояния двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла»;
  • аспирант Шевырин Андрей Анатольевич, «Механические напряжения в наноэлектромеханических системах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs».

Победителями конкурса Грантов мэрии города Новосибирска молодым ученым и специалистам на предоставление субсидий молодым ученым и специалистам в сфере инновационной деятельности в 2014 году стали м.н.с., к.ф.-м.н. Ю.С. Воробьёва, м.н.с. С.В. Мутилин, аспирант А.В. Чесницкий с работой «Интегрированные трёхосевые преобразователи Холла на основе полупроводниковых оболочек» и аспирант Л.С. Голобокова с работой «Фотонные устройства на основе упорядоченных массивов кремниевых наностолбиков и ансамблей атомов».

В 2014 году стипендия ИФП СО РАН имени К.К. Свиташева была присуждена Т.В. Малину, А.Г. Журавлеву, а стипендия имени А.В. Ржанова - к.ф.-м.н. A.А. Шевырину, к.ф.-м.н. А.Ю. Миронову.