Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
[Ильина Лариса Александровна]
Главный специалист по международным связям Института

Ильина Лариса Александровна
к.х.н.
Тел. +7(383)333-32-60
Факс: +7(383)333-27-71
E-mail:

Международные связи с зарубежными странами Институт осуществляет в виде совместных научно-исследовательских работ с ведущими институтами, фирмами, университетами; участия сотрудников Института в международных совещаниях, симпозиумах, конференциях; по линии приема зарубежных ученых, представителей фирм; подготовки проектов, программ в рамках зарубежных фондов; проведении научно-технических мероприятий с участием зарубежных ученых.

Гранты, договоры, контракты, 2014-2016 гг.

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ М 14-02-91371 СТ_а (Россия- Турция, Университет Гази), "Управление свойствами двумерного электронного газа с помощью in situ пассивации поверхности AlGaN/GaN гетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии", 2014-2015 гг. (К.С. Журавлёв)
  2. Грант РФФИ М 14-02-92007 (Россия – Тайвань, Национальный Чиао Тун Университет) "InGaN/AlN квантовые точки для источников одиночных и запутанных фотонов, работающих при комнатной температуре", 2014-2016гг. (К.С.Журавлёв).
  3. Грант РФФИ М 14-02-90410 Укр_а (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Закономерности формирования фононного спектра полупроводниковых нанокристаллов со структурой ядро/оболочка в условиях сильного пространственного ограничения», 2014-2015 гг. (А.Г. Милёхин).
  4. Грант РФФИ М 14-02-90036 Бел_а (Россия- Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ), «Электронная структура планарных молекул из квантовых точек Ge в Si», 2014-2015 гг. (А.В. Двуреченский).
  5. Грант РФФИ М 14-07-90403 Укр_а (Россия - Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Формирование и свойства гетероструктур Si/SiO2/Si со встроенными в диэлектрик нанокластерами кремния: эксперимент, моделирование, влияние углерода», 2014-2015 гг. (И.Г. Неизвестный).
  6. Грант РФФИ 15-52-50017 ЯФ_а (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы), «Структура спин-поляризованных электронных состояний в дираковских материалах на основе Ge», 2015-2016 гг. (О.Е. Терещенко).
  7. Грант РФФИ 15-52-53080 ГФЕН_а ( Россия- Китай, Университет науки и технологии), «Структурные и люминесцентные свойства люминофоров на основе твердых растворов гранатов», 2015-2016 гг. (В.В. Атучин).
  8. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  9. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». (С.А. Дворецкий).
  10. Грант РФФИ 16-52-00160 «Экситон-плазмонное взаимодействие в системе Ge/Si с квантовыми точками Ge», Двуреченский А.В. (Россия-Беларусь, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ).
  11. Другие гранты

  12. Грант № 295264 “COSMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, «Когерентные оптические сенсоры для медицинских применений», 2012-2016 гг. (В.М. Энтин).
  13. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  14. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016 гг. (А.Г. Милехин)
  15. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019 гг. (Т.С. Шамирзаев)
  16. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015 гг. (Квон Зе Дон)
  17. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015 гг. (Р.А. Жачук).
  18. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  19. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020 гг. (О.И. Семёнова)
  20. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018 гг. (А.В. Ненашев).
  21. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017 гг. (В.В. Атучин).
  22. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  23. Институт физики ПАН (Варшава, Польша), Университет Жешув (Жешув, Польша) «Исследование квантового спинового эффекта Холла и топологических изоляторов в одномерных II – VI квантовых наноструктурах» (“The investigation of Quantum Spin Hall Effect and topological insulators in one- dimensional II-VI quantum nanostructures”), 2014-2016 гг. (С.А. Дворецкий).
  24. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2019 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий)
  25. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 2016-2019 гг. (А.А. Шевырин).
  26. Контракты, Договоры с фирмами

  27. Контракт 823-14 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии (Лоянг, Китай) «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)», 2014-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  28. Партнерские Соглашения

  29. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques” 2011-2019 гг. (А.С. Терехов)
  30. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2016 гг. (О.П. Пчеляков)
  31. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах (“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Институт физики микроструктур РАН (Россия); Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) (С.А. Дворецкий)
  32. Университет Нагойя (Япония, г. Нагойя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021 гг. (А.В. Латышев)
  33. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микроэлектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021 гг. (А.В. Двуреченский, С.В. Рыхлицкий)
  34. Соглашение с Минобрнаукой РФ No14.613.21.0039 (Россия – Китай, Институт полупроводников Китайской Академии наук) «Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона", 2015-2016 гг. (К.С. Журавлёв).

Отчётные данные за 2016 год

Приём иностранных ученых и специалистов

Организация приема иностранных ученых и специалистов осуществляется согласно Положению о порядке организации приёма зарубежных делегаций, отдельных иностранных ученых и специалистов, приказ № 8 ИФП СО РАН от 22.04.2013.

В 2016 году Институт посетили 34 зарубежных ученых, специалистов для научной работы, участия в мероприятиях, проводимых Институтом, а также представителей фирм для переговоров, наладки оборудования и в ознакомительных целях.

Выезд сотрудников Института за рубеж

Для участия в конференциях, для проведения научной работы и других целей в 2016 году выехали за рубеж 67 специалистов Института. Сотрудники Института участвовали в 43 Международных конференциях, симпозиумах, совещаниях с представлением приглашенных, устных и стендовых докладов.

Участие в программных и организационных комитетах конференций и научных мероприятий

  1. ХХ Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 14-18 марта 2016г.
  2. Всероссийская научная конференция студентов-физиков (ВНКСФ-22), Ростов-на-Дону, 21 -28 апреля 2016.
  3. 54-й Международная научная студенческая конференция «Студенты и научно-технический прогресс», Новосибирск,16-20 апреля 2016 г.
  4. 46-ая Международная Тулиновская Конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, 31 мая – 2 июня 2016г.
  5. XXVI Российская конференция по электронной микроскопии и 4-я Школа молодых ученых "Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях наноструктур и наноматериалов" (РКЭМ-2016), г. Москва, Зеленоград, 30 мая - 3 июня 2016 г.
  6. 1-ая ежегодная российская национальная конференция по нанотехнологиям, наноматериалам и микросистемной технике (НМСТ-2016), Седова Заимка, Новосибирск, 26-29 июня 2016.
  7. 24-th International symposium «Nanostructures: physics and technology», Санкт-Петербург, 27 июня – 1 июля 2016г.
  8. 1 7 - t h I n t e r n a t i o n a l C o n f e r e n c e o f Yo u n g S p e c i a l i s t s o n Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2017, Erlagol, Altai, 30 June- 4 July, 2016.
  9. 25-th International Laser Physics Workshop (LPHYS'16), Yerevan, 11-15 July 2016.
  10. XV Международная молодежная конференция по люминесценции и лазерной физике ЛЛФ-2016, с. Аршан, Республика Бурятия, 18 – 24 июля 2016 г.
  11. 33-th International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS2016), Beijing, China, 31 July - 5 August 2016.
  12. VII International Symposium Modern Problems of Laser Physics MPLP-2016, Novosibirsk, 22-28 August 2016.
  13. Member of program committee IEEE Electron Device Conference, 2-5 September, 2016, Hong Kong
  14. 12-th European Conference on Atoms Molecules and Photons ECAMP-12, Frankfurt am Main, Germany, 5-9 September 2016.
  15. XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (КРЕМНИЙ 2016), Новосибирск, 12-15 сентября 2016 г.
  16. International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2016” (ICMNE-2016) with the Extended Session "Quantum Informatics", Звенигород, 3-7 октября 2016.
  17. VI Всероссийская конференция и Школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, 24-27 октября 2016 г.
  18. II Russia-Japan Conference "Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures", Novosibirsk, Russia. 30 October – 3 November 2016.
  19. 5-ая Международная конференция «Современные нанотехнологии и нанофотоника для науки и производства», Суздаль, 12-15 ноября 2016 г.
  20. 18-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике, Санкт- Петербург, 28 ноября – 2 декабря 2016 года.

Участие сотрудников ИФП СО РАН в Международных организациях

  • Академик РАН А.В. Чаплик – Американское физическое общество (American Physical Society).
  • Член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный – Американское физическое общество (American Physical Society).
  • Академик РАН А.В. Латышев – Международный центр по электронной микроскопии при Макс-Планк Институте Физики Микроструктур, г. Галле/Заале, Германия.
  • Член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский – Комиссия Международного Союза Фундаментальной и прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP), Руководитель Российской секции Американского общества по нанонауке (ANS Local Section of Russia), Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. Т.С. Шамирзаев – Американское общество по нанонауке (American Nano Society).
  • Заведующий лабораторией, член-корреспондент РАН И.И. Рябцев – совет Отделения атомной и молекулярной физики и оптики (AMOPD) Европейского физического общества (EPS).
  • Заведующий лабораторией, к.ф-м.н. В.В. Атучин – International Union of Crystallography.
  • Заведующий лабораторией, к.х.н. О.И. Семенова – APAM (Asia-Pacific Academy of Materials).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Б.Г. Вайнер – American Nano Society (ANS).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. А.В. Царев – IEEE/Photonics.
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. А.И. Якимов – Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE).
  • Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. С.В. Перминов – Optical Society of America, European Physical Society.
  • Научный сотрудник, к.х.н. Д.Р. Исламов – The Electrochemical Society (ECS).
  • Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий, старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. Михайлов Н.Н. – Польская академия наук (PAS).