Новости

Представлены научные доклады "2D-islands Nucleation on Si(111) at High Temperature During Sublimation and Thermal Etching by O2",""Two-dimensional Si/Si(111)-(7?7) nucleation affected by step permeability and sink to atomic steps" на 5-й Европейской конференции по росту кристаллов "ECCG5", 9-11 сентября 2015 г., Болония, Италия.

Методом высокоразрешающей электронной литографии изготовлен тестовый образец с наноструктурированными диэлектрическими слоями диэлектрика. Заказчик ИТПЭ РАН.

Опубликована статья "Giant microwave photo-conductance of a tunnel point contact with a bridged gate", A. D. Levin et al., Appl. Phys. Lett. 107, 072112 (2015)

В рамках международного сотрудничества с Институтом полупроводников Академии наук Китая проведены исследования механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с целью выявления путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций.

Опубликована статья "Интерференция соизмеримых и индуцированных микроволновым излучением осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в одномерной латеральной сверхрешетке", Быков А.А. и др., ПЖЭТФ 101, 10, с.781.

Предс­тав­лен от­чет о вы­пол­нен­ных ра­бо­тах по Сог­ла­ше­нию о пре­дос­тав­ле­нии суб­си­дии № 14.621.21.0004 от 22 ав­гус­та 2014 г. (за 1-ое по­лу­го­дие 2015 го­да).

Проведены электронномикроскопические исследования керамических микросфер, исследована морфология и элементный состав образцов молотой серы. Заказчик - ООО НПФ "Нанопорошковые технологии".

Проведены структурные исследования методом сканирующей электронной микроскопии образцов порошков пирофосфатов железа-марганца-лития. Заказчик ИХТТМ СО РАН.

5 июня 2015 года ЦКП "Наноструктуры" посетил Нобелевский лауреат по физике 2014 года Хироши Амано. Подробнее см. на сайте ИФП СО РАН.

 

Проведены электронномикроскопические исследования образцов осажденных на поверхность молибдена алмазоподобных покрытий; исследована морфология и определены размеры осажденных наноструктур. Заказчик ФГУБН ИТ СО РАН.