Новости

Опубликована статья "Properties of three-dimensional structures prepared by Ge dewetting from Si(111) at high temperatures" A.Shklyaev et al. J. Appl. Phys. 117, 205303 (2015)

В рамках международного сотрудничества с Институтом физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, Киев, Украина, проведены исследования Закономерностей формирования фононного спектра полупроводниковых нанокристаллов со структурой ядро/оболочка в условиях сильного пространственного ограничения.

Опубликована статья "Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip-pen nanolithography", A.Kozhukhov, A.Klimenko, D.Shcheglov, V.Volodin, N.Karnaeva and Alexander Latyshev, J.Appl.Phys. 117,145305 (2015)

Выполнены работы по диагностике неисправности вакуумной системы микроскопа Cross Bean 1540 EsB, Carl Zeiss. Заказчик «Нанотехнологии в электронике».

Методом высокоразрешающей электронной литографии изготовлены тестовые образцы с наноструктурированными диэлектрическими слоями диэлектрика. Заказчик ИТПЭ РАН.

Опубликована статья "Combination of surface- and interference-enhanced Raman scattering by CuS nanocrystals on nanopatterned Au structures" A. Milekhin et al. Beilstein J. Nanotechnol. 2015, 6, 749–754.

Опубликована статья "Attachment–detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surface under etching with molecular oxygen at elevated temperatures" S.Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev. Surface Science 633 (2015) L1-L5.

Проведены СЭМ исследования морфологии а также элементного состава образца металлической пленки. Заказчик ООО "Кристалин".

Опубликована статья "Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов", В.А. Гайслер и др. ФТП, 49, 1, с 35, 2015.

Введен в эксплуатацию сканирующий электронный микроскоп Hitachi SU 8220 с аналитическими приставками.