Перечень усовершенствованных и разработанных методик

В соответствии с приказом № 7-ОП от 01.04.2003 г. ЦКП оказывает услуги в проведении научно-исследовательских и диагностических работ и создании субмикронных и наноразмерных структур на основе следующих усовершенствованных и разработанных методик (свидетельства об аттестации используемых ЦКП измерительных методик от 06.02.14 г. можно посмотреть здесь):

1. Методика измерений линейных размеров и количества слоев углеродных нанотрубок с применением высокоразрешающего просвечивающего электронного микроскопа
2. Методика измерений линейных размеров углеродных нанотрубок на любых подложках с применением атомно-силового микроскопа

Измерительные методики

1. Методика количественного морфологического анализа и измерений линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа.
2. Методика количественного размерно-морфологического анализа различных типов материалов и измерений характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа, в том числе с учетом коррекции сферических аберраций.
3. Методика количественного морфологического анализа и измерений линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего зондового микроскопа.
4. Методика трехмерных измерений линейных размеров элементов структур микро и нанорельефа поверхности конденсированных сред с помощью мер нанометрового диапазона.
5. Методика измерений распределения электрического потенциала по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
6. Методика измерений распределения электростатического заряда по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
7. Методика измерений распределения производной емкости (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
8. Методика измерений распределения намагниченности (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
9. Методика измерений микротвердости (в относительных единицах) поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
10. Методика поверки атомно-силовых микроскопов посредством субнанометровой меры СТЕПП-ИФП-1
11. Методика измерения линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
12. Высокоточная методика измерений электрофизических характеристик функциональных микросистем 2 и 4 зондовым методом.
13. Методика фазового кинетического контраста атомно-силовой микроскопии.
14. Методика измерений распределения трения (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
15. Методика получения изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме.

Аналитические методики

1. Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
2. Методика компьютерного моделирования атомной структуры нонообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.

Методики препарирования

1. Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
2. Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
3. Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.
4. Методика нанесения фоторезиста на различные полупроводниковые пластины.
5. Методика последовательного совмещения слоев фотошаблонов после проявления резиста, травления пластины и нанесения металов.
6. Методика взрывного нанесения металла через маску в резисте.

Методики наноструктурирования

1. Методика проведения литографии, включая изготовление фотошаблонов, субмикронного диапазона с использованием электронно-лучевой литографии.
2. Методика проведения оптической литографии.
3. Методика наноструктурирования, основанная на электронной литографии сфокусированным электронным пучком на базе сканирующего электронного микроскопа.
4. Методика наноструктурирования, основанная на прямом воздейсвтии сфокусированным ионным пучком на базе сканирующего электронного и ионного микроскопа.
5. Методика модификации поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
6. Методика создания и изучения полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ.
7. Методика управления морфологией поверхности кремния в условиях сублимации, эпитаксии и газовых реакций in-situ.
8. Методика создания атомно-гладких поверхностей кремния большой площади.