В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00 в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»
В четверг, 09.10.2025 в 10-30 в конференц-зале ЛТК состоится Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон
ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.
Во вторник 26.08.2025 в 15-00 в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение инициативных исследований молодыми учеными»
Заявки принимаются до 11.03.2026 Извещение Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Конкурс на получение грантов Российского научного фонда по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 16.06.2026 Конкурсная документаци Извещение
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6
КОНТАКТЫ
Руководитель:
д.ф.-м.н. Максим Витальевич Якушев
Тел. (383) 333-27-72 e-mail:
Адрес:
630090, Россия, г. Новосибирск, ул. Ак. Ржанова, 2 Лабораторно-технологический корпус ИФП, комната 271
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6
ОБОРУДОВАНИЕ
Сотрудниками лаборатории №15 совместно с Новосибирским филиалом ИФП СО РАН «КТИПМ» разработаны и изготовлены с участием Опытного завода установки МЛЭ КРТ "Обь-М" различных поколений. Сотрудниками лаборатории №15 создан технологический комплекс, разработана технология изготовления и освоено мелкосерийное производство методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) многослойных гетероэпитаксиальных структур для фоторезистивных и фотодиодных инфракрасных (ИК) фотоприемников (ФП) на основе теллурида кадмия и ртути (КРТ) на подложках из арсенида галлия (GaAs) и кремния (Si) диаметром до 100 мм.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6
ЗАЩИЩЁННЫЕ ДИССЕРТАЦИИ
соискателями учёной степени кандидата наук:
2014
Марин Денис Викторович Оптические свойства нанокристаллов германия в пленках оксида германия Научный руководитель - к.ф.-м.н. Володин Владимир Алексеевич
соискателями учёной степени доктора наук:
2011
Якушев Максим Витальевич Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si Научный консультант - д.ф.- м.н. Сидоров Юрий Георгиевич
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6