В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00 в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»
В четверг, 09.10.2025 в 10-30 в конференц-зале ЛТК состоится Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон
ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.
Во вторник 26.08.2025 в 15-00 в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых»
Заявки принимаются до 12.02.2026. Извещение Конкурсная документация
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение инициативных исследований молодыми учеными»
Заявки принимаются до 11.03.2026 Извещение Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Конкурс на получение грантов Российского научного фонда по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами»
Заявки принимаются до: 16.06.2026 Конкурсная документаци Извещение
(19.04.1941, Ишим Тюменской обл. – 08.01.2011, Новосибирск)
1963 — окончил НЭТИ по специальности радиотехника.
С 1964 сотрудник ИФП СО АН СССР
1970 — защитил кандидатскую диссертацию, к.ф.-м.н.
С 1986 по 2004 снс лаб.13.
Область научных интересов
Разработал ёмкостные и фотоэлектрические методы измерения энергетического и пространственного распределения глубоких уровней в тонкослойных транзисторных структурах на GaAs.
Борис Александрович входил в состав институтской команды в шахматных турнирах на первенство СО АН, организовывал предновогодние шахматные матчи в родном институте. Сеанс одновременной игры с Михаилом Талем.
С удовольствием играл в футбол, увлекался горным туризмом.
1961 — окончил ХГУ им. А.М. Горького по специальности радиофизика
С 1962 сотрудник ИФП СО АН СССР, инженер, нс, заведующий лабораторией 25, снс.
1968 — защитил кандидатскую диссертацию, к.ф.-м.н.
1971–1974 — ученый секретарь института.
2006–2014 — снс лаб. 13
Область научных интересов
Разработал уникальные методы микросборки многоэлементных фотоприёмников ИК диапазона. Ключевой сотрудник в области микросборочных технологий.
Увлекался историей физики, был эрудитом в области военной техники, ценителем джаза, много лет посещал симфонические концерты. Совершал вылазки на катере по Обскому водохранилищу и автомобильные биологическо-краеведческие путешествия с подросшим внуком, огородничал.
1953 — окончил Педагогический институт им. В.Г. Белинского в г. Николаеве
1956 — к.ф.-м.н., г. Львов
1967 — д.ф.-м.н., г. Новосибирск
1963–1983 — зав. лаб, зав. отделом, зам. директора ИФП по науке.
1983–1988 — начальник лаборатории по научной работе НИИ радиотехнических материалов им. С.П. Королёва г. Киев
1996–2008 — профессор НГУ
1997–2008 — главный научный сотрудник ИФП СО РАН
1997–2006 — сотрудник лаб.13.
Область научных интересов
Фундаментальные исследования эффектов переноса в тонких слоях полупроводников. Разработал методы калибровки параметров тонких слоёв для приборных применений.
Издано 17 книг и учебных пособий по современным вопросам физики полупроводников. В отечественных и зарубежных журналах 251 публикация.
Замечательный преподаватель, запомнившийся не одному выпуску студентов.
Художник-пейзажист, поэт, путешественник, охотник, рыбак.
В 1952 окончила химический факультет ЛГУ по специальности химик-технолог.
1952 — инженер-технолог Московской проектной конторы Главстроя СССР
1953–1962 — мнс Физического института им. П.Н. Лебедева в группе А.В. Ржанова.
В октябре 1962 переведена из ФИАН в ИФП СО АН СССР в лабораторию А.В. Ржанова.
1968 — защитила кандидатскую диссертацию, к.ф.-м.н.
1972 — снс, руководство группой из 7 человек в составе технологов, физиков и химиков.
С 1984 сотрудник лаб. 13.
1985–1989 — руководство аспирантурой ИФП
С 1986 ведущий инженер-технолог
С 1996 работа по контракту
Область научных интересов
Разработала под руководством А.В. Ржанова «стандартную» химико-механическую обработку германиевых поверхностей. Исследовала влияние различных обработок поверхности германия на свойства границы раздела германий — диэлектрик.
В 1970-х годах участвовала в создании «замкнутой» технологии малой германиевой ИС.
Светлану Вячеславовну называли физиком среди химиков и химиком среди физиков.
В юности волейболистка, капитан университетской команды. Ответственный, порядочный человек.
ШАШКИН ВАЛЕРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
(07.05.1951, Омск – 22.08.2006, Новосибирск)
1973 — окончил НГУ по специальности физик
С 1973 сотрудник ИФП, начинал в должности стажёра-исследователя.
1985 — защитил кандидатскую диссертацию, к.ф.-м.н.
С 1993 снс лаборатории № 13
С 2004 заведующий лабораторией.
Область научных интересов
Исследования и разработка матричных фотоприёмных модулей инфракрасного диапазона на многослойных структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs.
Интегральная оптика.
Он был многогранен. Талантливый экспериментатор и сведущий автолюбитель.
Во время летних каникул в студенческие годы трудился в Магаданском стройотряде.
Вместе с братьями Александром и Владимиром прошагал по Красноярской тайге не один десяток вёрст.
"…Хитрость" структур в том, что их можно вырастить чувствительными к любой длине волны. В атмосфере существуют окна прозрачности между тремя и пятью микронами и между восемью и четырнадцатью. Если в эти совершенно прозрачные области направить инфракрасный глаз, он будет смотреть очень далеко. Если поставить на длину волны, скажем, семь микрон, то далеко не посмотришь. Окна прозрачности используются для того, чтобы атмосфера не мешала формированию изображения объекта и его наблюдению.
Матричный тепловизор на модуле КРТ, регистрирующий излучение с длиной волны 10 микрон, предназначен не только для оборонных задач. Он может быть абсолютным сторожем любых производств, любой ситуации. Ему не требуется ни освещения, ни подсветки. Прибор полностью видит собственное излучение объекта или субъекта, и потому он оказывается экологически чистым инструментом для контроля, диагностики в медицине и других областях. Но все начинается с исходного материала, который никто в мире нам не продаст.
Старший научный сотрудник Н.Талипов готовит установку для имплантации ионов в эпитаксиальные слои КРТ.
⇐ Старший научный сотрудник Д.Г. Есаев (слева) и заведующий отделом В.Н. Овсюк обсуждают результаты обследований матрицы фотодиодов.
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДОКЛАДЫ, БУКЛЕТЫ, АНАЛИТИЧЕСКИЙ СБОРНИК
Итоговый аналитический сборник. Кремниевая электроника как самостоятельная проблема
ХОЗДОГОВОРНЫЕ РАБОТЫ
1994-1996 гг. НИР Разработка фотоприёмников дальнего ИК диапазона на основе приёмников с блокированной прыжковой проводимостью.
2001-2005 гг. ОКР «Разработка неохлаждаемых фотоприёмных устройств на основе матричных микроболометрических приёмников».
2006-2009 гг. НИР "Системы регистрации изображения в терагерцовом диапазоне"
2006-2009 гг. ОКР «Разработка неохлаждаемого фотоприемного устройства форматом 320х240 на основе матричного микроболометрического приёмника излучения». Договор на поставку научно-технической продукции,
«Линейчатый микроболометрический приёмник ИК излучения».
2008 г. Договор на поставку научно-технической продукции,
«Болометрическое фоточувствительное устройство».
2012 г. Договор на выполнение составной части НИР «Изготовление экспериментального образца фотоприёмного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм».
2013 г. Договор на выполнение составной части НИР «Разработка и изготовление экспериментального образца малогабаритного фотоприёмного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм».
2013-2016 гг. ОКР «Разработка модулей фотоприёмных устройств, работающих в диапазоне спектра 8…10 мкм.
2017-2020 гг.:
Госзадание на 2017-2020 гг. "Физико-химические основы изготовления фотоприёмных устройств инфракрасного диапазона на основе соединений A3B5 и неохлаждаемых матричных микроболометрических приёмников".
Решение комплекса взаимосвязанных исследовательских задач.
Экспертиза научных (научно-технических) результатов.
Представление научных (научно-технических) результатов потенциальным потребителям.
- разработка методов измерения основных фотоэлектрических характеристик фотоприёмных матриц ИК диапазона и создание соответствующего программно-аппаратного измерительного комплекса;
- проведение экспериментальных исследований фотоэлектрических характеристик фотоприёмных модулей на основе квантово-размерных структур GaAs/AlGaAs и матриц микроболометров;
- анализ полученных экспериментальных результатов, сравнение результатов с параметрами ведущих мировых производителей ИК фотоприёмных устройств.
- оценка возможностей практического применения полученных научно-технических результатов.
РАЗРАБОТКИ
ИНФРАКРАСНЫЕ МАТРИЧНЫЕ ПРИЁМНИКИ
ИК ФПУ НА ОСНОВЕ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МАТРИЧНЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЕМНИКОВ
Характеристики приборов НТВ:
Область чувствительности, мкм, 8-14
Формат 160х120 и 320х240
Шаг в матрице приемников, мкм, 51
Потребляемая мощность, Вт, 2
Время отклика, мс, 12
Быстродействие, кадры/с, 50
Температурное разрешение, К, 0,05
Общий вид микроболометрической головки, фотоприёмного устройства в целом и пример зарегистрированного теплового изображения в инфракрасном диапазоне:
ИК ФПУ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР GaAs/AlGaAs c КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
Октябрь 1991 г. - начало создания ИК фотоприёмников на основе МСКЯ GaAs/AIGaAs.
1992 г. - первые одиночные приёмники МСКЯ. Первые публикации.
1998 г. - разработка ФПУ на основе МСКЯ GaAs/AlGaAs форматом 128х128, с шагом 50 мкм. Максимум фоточувствительности при 7,8 мкм. NETD 0,16 К.
2005 г. - инфракрасные фотоприёмные модули на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs формата 320х240 с шагом 30 мкм в спектральном диапазоне 8-14 мкм.
2016 г. - ФПУ на структурах с повышенной однородностью параметров.
Характеристики ФПУ на МСКЯ:
Область чувствительности, мкм, 8-10
Формат 384х288 и 640х512
Шаг в матрице приёмников, мкм, 25 и 20
Потребляемая мощность, мВт, 50
Быстродействие, кадры/с, 100
Температурная чувствительность, мК, < 25
Рабочая температура, К, 68
Рабочие элементы, %, > 99,5%
МСКЯ с высокой однородностью параметров
Формат 384х288, шаг 25 мкм
Формат 640х512, шаг 20 мкм
Синтез многослойных тонкоплёночных композиций GaAs/AlGaAs для создания ФПУ - лаборатория 37.
СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ФОТОГРАФИИ ТЕПЛОВЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ НА ТРЁХ ТИПАХ ФОТОПРИЁМНИКОВ
Разработки ИК ФПУ на эпитаксиальных слоях КРТ велись в лаборатории на протяжении 1990 - 2007 гг.
МАТРИЧНЫЙ ПРИЁМНИК ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Антенна для терагерцового диапазона, сопряжённая с термочувствительным элементом
Пример изображения на просвет: гайка М8 за винипластом толщиной 2 мм
КРЕМНИЕВЫЕ МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК_ФОТОПРИЕМНИКОВ
Разработанные и планируемые кремниевые мультиплексоры для ИК фотоприемников
Формат
Шифр
Особенности схемы
Шаг, мкм
Применяемые фотодетекторы
Предприятие - соисполнитель
Матричные мультиплексоры для неохлаждаемых микроболометрических фотоприемников ИК изображений:
160×120
ММБ-1
ПН
51×51
микроболометры (МБ)
ОАО «Ангстрем»
160×120
ММБ-22
ПН, СКС
51×51
ООО “Микротелеком”
320×240
ММБ-3
ПН
51×51
ОАО «Ангстрем»
384×288
MM-MB1,3
ПН, СКС4
25×25
«X-Fab»5,6
640×512
MM-MB21,3
ПН, СКС4
17×17
3072×576
MM-MB31,3
ПН4,8, МО
51×51
3072×512
MM-ТГц1,3
ПН4, МО
200×200
ТГц МБ
Линейный мультиплексор для монолитных ИК ФП:
1×32
ЛМ 1×321
ИПД
200
СОТ
изг. в ИФП СО РАН
Матричные мультиплексоры для монолитных ИК ФП:
32×32
КРТ32N1
ПД, ВКН
150×150
КРТ ФД
изг. в ИФП СО РАН
32×32
МКРТ321
ПД, ВКН
150×150
ОАО «Интеграл»5
160×128
КРТ16М1
ПИ, ПН, ВПУ
75×75
ОАО «Микрон»5
320×256
КРТ32М1
ПИ, ПН
50×50
ОАО «Интеграл»5
Линейчатые мультиплексоры для гибридных ИК ФП:
1×64
КТ-2К1
БПИ
100
КРТ ФД
изг. в ИФП СО РАН
1×576
ЛМ-11
ПИ
30
ОАО «Ангстрем»5
1×576
ЛМ-21
БПИ
30
1×288
ЛМ-31
ПИ
28
4×288
ЛМ-4
ВЗН по 4 элт.
28×43
ИФП НАН Украины
4×288
ЛМ-52
ВЗН по 4 элт.
28×43
Матричные мультиплексоры для гибридных ИК ФП:
32×32
МХ21
ПД, ВКН
100×100
КРТ, МСКЯ
изг. в ИФП СО РАН
128×128
МХ41
ПД, ВКН
50×50
128×128
ММ-V1
ПИ, КН
50×50
128×128
ММ-В1
ПИ, КН
50×50
ФГУП «Восток»5
128×128
ММ-А1
ПИ, КН
50×50
ОАО «Ангстрем»5
128×128
ММПН-11
ПИ, ПН, ВПУ
40×40
КРТ ФД
320×256
ММ-11
ПИ, КН
40×40
КРТ, МСКЯ
320×256
ММПН-21
ПИ, ПН, ВПУ
35×35
КРТ ФД
320×240
Карат2
ПИ, КН, ВПУ
35×35
КРТ, МСКЯ
ООО “Микротелеком”
320×256
ММ-21,3,7
ПИ, КН, СЗ
25×25
8-14 КРТ
«X-Fab»5,6
Примечания к таблице.1/собственная разработка ИФП СО РАН, 2/разработка выполнена с участием сотрудников ИФП СО РАН, 3/модель планируется к разработке, 4/набор функций уточняется в процессе работы, 5/сотрудничество в режиме «кремниевой мастерской», 6/соисполнители уточняются, 7/эффективная емкость накопления около 3000 Ме-, 8/возможна потеря 1-2 пикселей вдоль линии стыковки субмодулей.
БПИ - буферированная прямая инжекция, ПИ - прямая инжекция, ВЗН - временная задержка и накопление, ПД - прямой доступ к фотоприемнику, ВКН - внекристальное накопление, ПН - построчное накопление фотосигнала, ВПУ - вычитание постоянного уровня, ИПД - истоковый повторитель на детектор, КН - кадровое накопление фотосигнала.
МОЩНЫЕ СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ НА СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
(Совместно с Лаб. 37 и НПП "Исток" им. Шокина)
Практически реализованы транзисторы с рекордными (свыше 50%) значениями удельной выходной СВЧ мощности на прецизионно легированных донорно-акцепторных (DA) pHEMT гетероструктурах.
Фотография DA-pHEMT СВЧ-транзистора
Удельная выходная мощность СВЧ транзисторов в диапазоне 10-30 ГГц для разных лет изготовления.
Синие точки – pHEMT транзисторы по данным мировых производителей,
красная точка – наши транзисторы DA-pHEMT
На общеинститутском сайте информация о научно-исследовательской деятельности лаборатории представлена в позициях:
Фотоприемники для инфракрасной области спектра на основе эпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs.
ИК ФПУ на основе неохлаждаемых матричных микроболометрических приёмников.
Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных ИК-фотоприёмников.
Фотоприёмное устройство на основе многоэлементных приемников на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. (Совместно с лаб. 14, 15, 37)
Неохлаждаемые микроболометрические ФПУ форматом 320х240 и 160х120 для инфракрасного и терагерцового диапазонов
Линейчатый фотоприёмный модуль на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ с кремниевым КМОП-мультиплексором
Изготовление матричных фоточувствительных элементов на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
ПУБЛИКАЦИИ
Монографии
Michael A. Dem'yanenko, Dmitry G. Esaev, Aleksandr I. Toropov, Natalia A. Valisheva, Sergey A. Dvoretsky, Dmitry V. Dmitriev, Dmitry V. Gulyaev, Vladimir A. Fateev, Igor V. Marchishin, Dmitry Yu Protasov, Anatoly P. Savchenko, Victor N. Ovsyuk and Konstantin Zhuravlev, AlGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetectors, Chapter 6 in the book "Two-dimensional Materials for Photodetector", pp138-160, 2018, published by INTECH http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.71266, ISBN 978-953-51-3952-2.
Фотоника. Словарь терминов. // Ковалевская Т. Е., Овсюк В.Н., Белоконев В.М., Дегтярев Е.В. Под ред. В.Н. Овсюка. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004, 342 С.
Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона. // В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров, и др., Новосибирск, «Наука», 2001, 375 С.
В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984, 253 С.
Избранные публикации
М.А. Демьяненко. Эффективные широкополосные приёмники терагерцового излучения на основе болометров с тонким металлическим поглотителем // Журнал технической физики. Т. 88. Вып. 1. С. 121–126. (2018).
М.А. Демьяненко. Поглощение инфракрасного излучения в многослойной болометрической структуре с тонким металлическим поглотителем // Оптический журнал. Т. 84. Вып. 1. С. 48–57. (2017).
Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Оптимизация параметров системы «ИК - фоточувствительный элемент на основе многослойных структур с квантовыми ямами – кремниевый мультиплексор фотосигналов. – Оптический журнал, 2017, Т. 84, № 9, с. 59-65.
D. Yu. Protasov and K. S. Zhuravlev, “The Influence of Impurity Profiles on Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures Modulation-Doped by Donors and Acceptors”, Solid State Electronics, V.129, Pp. 66-72 (2017).
М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, В.Н. Овсюк. Аналитическое сравнение характеристик фотоприёмников инфракрасного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фоторезисторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Оптический журнал, т. 83, №9, С. 64-71. (2016).
Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Создание аналого-цифровых кремниевых мультиплексоров сигналов фотоприёмников инфракрасного диапазона. – Автометрия, 2016, Т. 52, № 6, С. 120-127.
Демьяненко М. А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н. О мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приёмниках инфракрасного и терагерцового диапазонов. - Автометрия, 2016, т. 52, № 2, С. 115-123
Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Неохлаждаемые матричные микроболометрические приёмники инфракрасного диапазона. – Вестник Научного центра по безопасности работ в угольной промышленности, 2016, . 2, С. 130-135.
Kozhukhov Anton, Klimenko Anatoliy, Shcheglov Dmitriy, Volodin Vladimir, Karnaeva Natalya, Latyshev Alexander, Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip- pen nanolithography, Journal of Applied Physics, 2015, vol. 117, 14, p.
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.Г. Клименко, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк. Преобразование изображений в мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приёмниках инфракрасного и терагерцового диапазона форматом до 3072×576 и более. // Оптический журнал, т. 81, №3, С. 35-43. (2014).
Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Есаев Д.Г. От электронных процессов на поверхности полупроводников к инфракрасным матричным приёмникам. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН (1964-2014), Новосибирск, изд. «Параллель», С. 126-146, 2014.
В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприёмное устройство формата 320х240 на основе оксида ванадия, полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления", Успехи прикладной физики, т. 1, №4, С. 471-476 (2013).
Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С.Журавлев, «Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом», ФТП, 2013, Т. 47, вып. 1, С. 36-47.
D. Yu. Protasov, Wen-Bin Jian, K.A.Svit, T.A.Duda, S.A.Teys, A.S. Kozhuhov, L.L.Sveshnikova, K.S.Zhuravlev «Formation of Arrays of Free Standing CdS Quantum Dots Using the Langmuir-Blodgett Technique», The Journal of Physical Chemistry С, 2011, 115 (41), pp 20148–20152
B.A. Knyazev, V.S. Cherkassky, Y. Y. Choporova, V.V. Gerasimov., M.G. Vlasenko, M.A. Dem’yanenko., D.G. Esaev. Real-time imaging using a high-power monochromatic terahertz source: comparative description of imaging techniques with examples of application. // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, V.32, N 10, P.1207-1222. (2011).
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, "Применение неохлаждаемых матричных матричных микроболометрических приёмников для регистрации излучения терагерцового спектрального диапазона". Автометрия, том 47, № 5, С. 109-113. (2011).
М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, С.А. Волков, И.В. Марчишин, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, В.Л. Дшхунян, Е.Б. Володин, А.В. Ермолов, П.П. Усов, В.П. Чесноков, Ю.С. Четверов, П.Н. Кудрявцев, А.Е. Здобников, А А. Игнатов., "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприёмное устройство формата 320х240 на основе золь-гель VOx", Прикладная физика, № 4, С. 124-130, (2010).
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, И.В. Марчишин, В.Ш. Алиев, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, В.И. Литвинцев, «Разработка и применение неохлаждаемых матричных микроболометров для терагерцового диапазона». Вестник НГУ, серия «Физика», том 5, вып. 4, 2010, стр. 73-78
Быков А.А, Марчишин И.В. "Гигантские осцилляции магнетопроводимости, индуцированные микроволновым излучением в двумерных электронных дисках Корбино с ёмкостными контактами". Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, т. 92, №1, стр. 73-76
Bykov A.A., Marchishin I.V., Goran A.V., Dmitriev D.V. "Microwave Induced Zero-Conductance State in a Corbino Geometry 2D Electron Gas with Capacitive Contacts". APPL PHYS LETT, 2010, т. 97, стр. 082107
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И.Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, "Матричные микроболометрические приёмники для инфракрасного и терагерцового диапазонов. "Оптический журнал, т. 76, № 12, С. 5-11, (2009).
А.Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, Н.В. Карнаева, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах, Оптический журнал, Т. 76, № 12, 63-76, 2009
М.А. Демьяненко., В.Н. Овсюк. Применение импульсов смещения для выравнивания сигналов в матричных микроболометрических приёмниках. // Оптический журнал. Т. 75, № 2, С. 58-64. (2008).
M.A.Dem’yanenko, D.G.Esaev, B.A.Knyazev, G.N.Kulipanov, N.A.Vinokurov. Imaging with a 90 frames/s microbolometer focal plane array and high-power terahertz free electron laser. // Applied Physics Letters. V. 92, No13, 113-116, (2008).
Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, А.П Савченко, В.А Фатеев, В.В Шашкин, А.В. Сухарев, А.А. Падалица, И.В. Будкин, А.А. Мармалюк,"Инфракрасное фотоприёмное устройство 320х256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами", Автометрия, 43, 112-118 (2007)
Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. "Кремниевые мультиплексоры 320х256 для инфракрасных фотоприёмных устройств на основе КРТ-фотодиодов" Автометрия, 2007, т. 43, № 4, С. 74-82
G. Ariyawansa, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, S.G. Matsik, G. Hastings, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, and V.I. Gavrilenko, Near- and Far-Infrared p-GaAs Dual Band Detector, Appl. Phys. Lett, 86, 143-510, (2005).
D.G. Esaеv, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna,"Effect of Doped Substrate on GaAs/AlGaAs Interfacial Workfunction IR Detector Response through Cavity Effect", IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (3), 413-418, (2005).
Козлов А. И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприёмников ИК диапазона. – Автометрия, 2005, Т. 41, № 3, С. 88–99.
F.F. Sizov, V.N. Ovsyuk, V.V. Vasil'ev, T.I. Zakhar'yash, A.O. Suslyakov, N.H. Talipov, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Y.P. Derkach, V.V. Zabudsky, and S.V. Korinets. 4x288 linear array with hybrid ROIC (CCD + CMOS). – Proceedings SPIE, 2005, Vol. 5726, pp. 132-139.
В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, А.Л.Асеев. Инфракрасные фотоприёмные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. – Оптический журнал, 2005, т.72, №6, с.63-69.
D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, S.G. Matsik, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna, "Free carrier absorption in Be doped epitaxial AlGaAs thin films". Appl. Phys. Lett., 85 (22), pp.5236-5238 (2004)
D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, "Design and optimization of GaAs/AlGaAs heterojunction infrared detectors", Jour. Appl. Phys,96, pp. 4588-4597 (2004)
Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника. – Прикладная физика, 2004, № 5, С. 115–121.
M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, "Heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors for use at 8-20 m", IEE Proc.-Optoelectronics., 150, 385-389 (2003)
D.G. Esaev, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "Resonant cavity enhancement in heterojunction GaAs/AlGaAs Terahertz detectors" J. Appl. Phys., 93, 1879-1883 (2003).
S.G. Matsik, M.B. M. Rinzan, A.G.U. Perera, D.G. Esaev, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, M. Buchanan, "Resonant cavity enhanced GaAs/AlGaAs IR detectors", Quantum Sensing: Evolution and Revolution from Past to Future”, 27-30 January 2003, San Jose, California, USA, Proc. SPIE, vol. 4999 (2003), pp. 467-477
Yu.P.Derkach, S.A.Dvoretski, A.G.Golenkov, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, I.V. Marchishin, V.N.Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky. “The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base”. – Proceedings SPIE, 2003, vol. 5126, p.98-104.
Yu.P.Derkach, S.A.Dvoretski, A.G.Golenkov, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, I.V. Marchishin, V.N.Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky. “The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base”. – Proceedings SPIE, 2003, vol. 5126, p.98-104.
С.П. Синица, Д.Г. Есаев, A.A. Французов, "Фотоприёмники с блокированной прыжковой проводимостью", "Матричные фотоприёмники для ИК диапазона", Сборник трудов под ред. С.П. Синицы «Наука», Новосибирск, , стр. 256-306.
Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Д.Г. Есаев, Ф.Ф. Сизов, В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, "Процессы токопереноса в n+-p-фотодиодах на основе HgCdTe", ФТП, 35 (7), 835-840 (2001)
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Фотоэлектрические характеристики ИК фотоприёмников с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 35(4), 474-478 (2001)
Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Карнаева Н.В., Овсюк В.Н., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Новоселов А.Р./ Индиевые микростолбы для холодной сварки инфракрасных фотоприёмных устройств при минимальных давлениях.// Наука производству. №12, 2001, стр.50-53
Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприёмники 128х128 на основе слоев HgCdTe и многослойных структур с квантовыми ямами. – Физика и техника полупроводников, 2001, Т. 35, Вып. 9, С. 1159–1165.
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 34(10), 1270-1274 (2000)
Демьяненко М.А., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника. // Физика и техника полупроводников, Т.34, № 6 , С.660-666. (2000).
В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00
Новогодний Семинар
![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif){kind=logo}
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)