События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00    Новогодний Семинар
"Физика конденсированного состояния – 2025 в мире, в России, в ИФП"

В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

Важное







Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.G. Zhuravlev, A.N. Shornikov, I.O. Akhundov, O.E. Tereshechenko, V.L. Alperovich, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov. Semiconductor surfaces with negative electron affinity. e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol. 5, p.80-88 (2007).
  2. А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, Эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. ФТТ, т.49, в.11, с. 1976-1980 (2007).
  3. E. W. Schmidt, D. Bernhardt, A. Mueller, S. Schippers, S. Fritzsche, J. Hoffmann, A.S. Jaroshevich, C. Krantz, M. Lestinsky, D. A. Orlov, A. Wolf, D. Lukic, D. W. Savin, Electron-ion recombination of Si IV forming Si III: Storage-ring measurement and multiconfiguration Dirac-Fock calculations, Phys. Rev. A 76, 032717 (2007).
  4. M. Lestinsky, E. Lindroth, D.A. Orlov, E.W. Schmidt, S. Schippers, S. Böhm, C. Brandau, F. Sprenger, A.S. Terekhov, A. Müller, and A. Wolf. “Screened radiative corrections from hyperfine-split dielectronic resonances in lithiumlike scandium”, Phys. Rev. Letters, 2008 (accepted for publication).
  5. О.Е. Терещенко, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович, Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия, Письма ЖЭТФ 87, в.1 (2008) (принята в печать).
  6. K.V. Toropetsky, O.E. Tereshchenko, D.A. Petukhov, A.S. Terekhov, “New reconstruction-stoichiometry correlation for GaAs(001) surface treated by atomic hydrogen” Appl. Surf. Sci. 2008 (accepted for publication).

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. V.L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Electronic states induced by cesium on atomically rough and flat GaAs(001) surface, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.166-167.
  2. O.E. Tereshchenko, N.N. Velker, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, D. Paget, Digital etching of GaAs(001) with a monolayer precision facilitated by selective interaction of iodine and cesium with Ga-rich and As-rich surface reconstructions, Proceedings 15th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Novosibirsk, 2007, p.191-192.
  3. D. A. Orlov, H. Fadil, M. Grieser, C. Krantz, A. S. Jaroshevich, A. S. Terekhov, A. Wolf, Progress Report MPI-K, 2007. “Low-energy electron cooler for the Cryogenic Storage Ring”, p.175.