События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00    Новогодний Семинар
"Физика конденсированного состояния – 2025 в мире, в России, в ИФП"

В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

Важное







Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



1982

  1. Принц В.Я., Речкунов С.Н., Влияние электрического поля на захват электронов и дырок безызлучательными центрами в GaAs. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 57-58.
  2. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Принц В.Я., Захват горячих электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 159-161.
  3. А.с. 843642 (СССР). Способ контроля глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его реализации. В.Я. Принц, О.М. Орлов. Опубл. в БИ., 1982, N 12.