ПУБЛИКАЦИИ
1982
- Принц В.Я., Речкунов С.Н., Влияние электрического поля на захват электронов и дырок безызлучательными центрами в GaAs. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 57-58.
- Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Принц В.Я., Захват горячих электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 159-161.
- А.с. 843642 (СССР). Способ контроля глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его реализации. В.Я. Принц, О.М. Орлов. Опубл. в БИ., 1982, N 12.







В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00 

![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif)
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)