LABORATORY OF NON-EQUILIBRIUM SEMICONDUCTOR SYSTEMS

RU
EN

INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS, SIBERIAN BRANCH OF THE RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES

 

MAIN

PUBLICATIONS

DEVELOPMENTS

EXPERIMENTAL TECHNIQUES

STAFF

PATENTS

POST-GRADUATES AND CO-RESEARCHERS

PUBLICATIONS

2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | articles 1987-2004

2008

Articles:

  1. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii. Molecular ground hole state of vertically coupled GeSi/Si self-assembled quantum dots. � Nanotechnology, 2008, v. 19, p. 055202.
  2. O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev. MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics. � Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2008, v. 69, p. 669-672.
  3. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii. Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots. � Applied Physics Letters, 2008, v. 93, � 13, p. 132105. (pdf)
  4. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii. Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots. � Phys. Rev. B, 2008, v. 78, � 16, p. 165310.(pdf)
  5. ������� �.��., �������� �.��., ������� �.��., ������������ �.��., ���������� �.��., ������.��. ��������������� Ge ������������� ��� ���������� ��������� ������ ������������������� ����� � �������� ��������������� Ge/Si(100). � ����, 2008, �. 133, ���. 3, c. 593-604. (pdf)
  6. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leitão, M.C. Carmo. Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots. - Phys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 115319. (pdf)
  7. �. �. �������, �. �. ��������, �. �. �������, �. �. ���������, �. �. �������, �. �. ������� ������� �������������� � ����������� ��������������� �����������. - ������ � ����, 2008, ��� 87, ���. 3, �. 176-180.
  8. N. P. Stepina, E. C. Koptev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. Nikiforov. Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots. - Physica status solidi (c), 2008, v. 5, No. 3, pp. 689�693.
  9. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Coexistence of direct and indirect band structures in arrays of InAs/AlAs quantum dots. - Appl. Phys. Lett., 2008, v. 92, 213101.
  10. T. S. Shamirzaev, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev, M.�Larsson and P. O. Holtz. Atomic and energy structure of InAs/AlAs quantum dots. - Phys. Rev. B, 2008, v. 78, 085323.
  11. A. V. Nenashev, F. Jansson, S. D. Baranovskii, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii and F.�Gebhard. Hopping conduction in strong electric fields: Negative differential conductivity.- Phys. Rev. B, 2008, v. 78, No. 16, 165207.
  12. J. P. Leitão, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, M. Carmo, N. Stepina, S. Magalhães, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev, D. Lobanov; Z. Krasilnik. Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers.- Material Science and Engineering B, 2008, 147, �. 191-194.
  13. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, J.V. Smagina, V.A. Volodin, A.V. Nenashev, J.P. Leitão, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev. MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation. � Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 309-312.
  14. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V. A. Armbrister, V. V. Kirienko, P. L. Novikov, V. G. Kesler, A. K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V.Spesivtzev. Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device. - Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 313-316.
  15. J.P. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov, S. Magalhaes, E. Alves. Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures. - Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 303�305.
  16. R. Gatti, A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti , Leo Miglio. Improved modeling of plastic relaxation onset in realistic GeSi islands on Si (001). - Phys. Rev. B, 2008, v. 78, p. 184104.
  17. E. I. Gatskevich and G. D. Ivlev, V. A. Volodin, A. V. Dvurechenskii, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, and A. I. Yakimov. Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix. Proc. SPIE, 2008, V. 7005, 70052E�; DOI:10.1117/12.782601.
  18. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii. Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots. � Microelectronic Journal, 2008, doi:10.1016/j.mejo.2008.11.015.
  19. �.�.������������, �.�.������. ���������� ������� � ���������� � ������ ����������������� �������� � ���������� ������� ��� ��-���������. ���. ���, ���. ����������, 2009, �.73, �1, �. 71-75.
  20. �.�.��������, �.�.��������, �.�.��������, �.�.��������, �.�.���������. ���������� �������� ������ ������������������ � ���������� ������������ ��������� � �������������. - "�������� �����. ������",2008, �.51, 9,�.77-82.
  21. �.�.��������, �.�.�������, �.�.���������, �.�.�������, �.�.�������, �.�.�������. ������������� ��������� ���������� ������������ ���� � ������ �������������� ���������� ������� �����. - ������ � ����, 2009, ��� 89, ���. 1, �. 49-53.
  22. �.�.���������, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. ������� ������ ���������� ���� ��� ��������� ��������������� ������������� �������� �� ������ ������������� �����������. � ����������� ������, 2008, ���. 3, �. 75-77.

Conference proceedings:

  1. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. Yakimov. Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix. � Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2008, v. 7005, p. 70052E. (������)
  2. N.P. Stepina, E.C. Koptev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov. The effect of long-range Coulomb interaction on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled Ge/Si quantum dots. - 16 International simposium �Nanostructures: physics and thechnologies�, 2008, 14-18 July, Vladivostok, Russia, p. 238-239. (������)
  3. A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, L. V.Kulik, A. S. Lyubin. Spin-echo measurements of electrons localized on Ge quantum dots. - 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14�18, Vladivostok, 2008, p. 215�216. (������)
  4. �.�.�������, �.�.��������, �.�.�������, �.�.����������, �.�.������������ Ge-Si �������������, ���������� ���������� �� �����-������������ ������. - ������� ������ VI ������������� ����������� "�������� � �������������������� ��������������", 7-9 ����, 2008, �����-���������, �. 122-123.

Thesis:

  1. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov. The transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si QDs. - International conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, August 3-8, Natal, Brasil.(������)
  2. A.F. Zinovieva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov, R.M. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leitão, M.C. Carmo. Asymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structures. - The 5th International Conference on semiconductor quantum dots, 2008, May 11-16, Gyeongju, Korea.
  3. �.�. �������, �.�. ��������, �.�. �������, �.�. ����������, �.�. ������������. ���������� � ���� ���������� ��������� Ge �� Si ��� ���������� ������ ����������� � �������� ���������������. ������������� ����������� ����������� � ������-���������� ������ ������ ������������, 2008, 28-31 �������, ������. (������)
  4. A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii. Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots (��������� ������).- 15th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, 3-8 August, Natal, Brazil.
  5. ���������� �.�., ��������� �.�., ��������� �.�., ������� �.�., ������ �.�. ����- � �������������� ���������� �������� - ������������� ��������� ��� ������������� ������� ����������� ������. - V ����� ����������� �������� ���������� � ������������ ��������, ��� 2008 �., �����������, �. 294.
  6. ������ �.�., ���������� �.�., ��������� �.�., ������� �.�., ������ �.�. ������������� �������� ��������� � ������������ �������. - ������������� ����������������� ��������� ��� ����������������� �������� � ������������ � ������������� ���������, �������� 2008 �., �.�����, �������, �. 114-115. (������)
  7. ���������� �.�., ��������� �.�., ������ �.�., ��������� �.�., ������� �.�., ������ �.�. ���������� ����� ���������� ������������� ������� ������������� �������������� ���������� �� �������������� ���������� �������. - ������������� ����������������� ��������� ��� ����������������� �������� � ������������ � ������������� ���������, �������� 2008 �., �.�����, �������, �. 51-52. (������)
  8. �������� �.�. ������������� ���: ������������� � �������� �������������� ����������������� ������. - XLVI ������������� ������� ������������ �����������, ������ ��������, 2008 �., �����������, �. 200.
  9. ����������� �.�., �������� �.�., ������ �.�., �������� �.�., ������� �.�., ������ �.�., ������, �.�. ���������������� ���-��������� � ������������� ������������ ����� ��� ���-��������������. - IV ����� ����������� �������� ���������� � ������������ ��������, 2008 �., �����������, �. 300.
  10. �.�.�������, �.�.�������, �.�.��������. ������������������� ����������� ��������������� ����������. - ������������� ����� �� ���������������, ������� ������� �������� ���������� �������������� �������� ������� ����� ������� ������ � ������� ��������������, 2008, ���. 37 (������).
  11. �.�. ������, �.�. ���������, �.�. ������, �.�. ���������, �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ���������, �.�. ���������, �.�. �������, �.�. ����������, �.�. ������, �.�. ������. ���������� ������ ��������� �������� ��������� ������������� � ����� ��������������� ������ (����������������� � ������ �����), ����������� �� ������������� ������� �������������� ���������� ������ � �������� ������������ ������-����������� ��������. � �������� ����������� �� ����������� ���������� ����������� �� 2008 ��� � ������ ������������� ����������� ������ �������� ��� ������������� � ���������� �� ������������ ������������ �������� ������-���������������� ��������� ������ �� 2007-2012 �����, 2008, �������, �.������, �.117-118.
  12. M.L.Kosinova, V.S.Sulyaeva, Yu.M.Rumyantsev, N.I.Fainer, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov. Influence of precursor design to properties of boron carbonitride films. �he Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (������ ������). 13.N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, M.L.Kosinova, E.A.Maximovski, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov. Hexamethylcyclotrisilazane as single source precursor for Low-k dielectric silicon carbon nitride films. �he Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (������ ������). 14.M.L.Kosinova, N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, V.S. Sulyaeva, K.G. Myakishev, V.I. Rakhlin, M.G. Voronkov, V.G. Kesler, V.V. Kirienko, F.A.Kuznetsov Results and prospective of CVD processes with use of complicated elementorganic compounds in preparation of electronic materials. Asia -- Pacific Academy of Materials conference and General assembly State of materials research and new trends in material science, ������������ ���������� �����������, ��� ����, �����. 18-20 ������ 2008 (������ ������).

Invited reports:

  1. A.V.Dvurechenskii, GeSi quantum dot structures for nano- and optoeletronics. 3rd Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices. Novosibirsk, April 26-28, 2008.
  2. �. �. ������������, �. �. ������. ���������� ������� � ���������� � ������ ����������������� ������������ � ���������� ������� ��� �� ���������. XII ��������� ��������� "���������� � ���������������" � 2008 ���� ���������� � 10 �� 14 ����� (������ ��������, 2008).
  3. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov. Electronic states in 3D dense array of Ge/Si quantum dots. 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14�18, Vladivostok, 2008.
  4. �.�.������������, �.�.������. ����������������� ������������� � ���������� ������� ��� �������������� ��-���������. ���������� ��������� �� ���������� ��������� ����������������� ���������������, �������� 2008 (� �������� ����������� ������), �����������, 19 - 23 ������� 2008�.
  5. A.V.Dvurechenskii. Ge/Si quantum dot nanostructures: physics and application. Russian-Taiwan Symposium on nano- and optoelectronics. Novosibirsk, 25-27 August, 2008.
  6. A.V.Dvurechenskii, A.F.Zinovieva. Spin related phenomena in tunnel coupled array of Ge/Si quantum dots. "Light and Spin" International Symposium dedicated to the memory of B.Zakharchenya. S-Petersburg, 14-15 of May 2008.
  7. �.�.������������. ����������� ��������� � ������������ � ������� �������� ��������� �����. ������������� ������ ����� �� ������ ���������������, 28 ������� - 1 ����� 2008, ����� ���������.
  8. �.�.������������. ���������� ������� � ���������� �������������� � ���������� �������. 5-� ������������� ����������� �� ���������� ��������� ������, ����������������, ���������� � ����������� �������, ������������ �������� � �������� �� ��� ������. ������������, 1 -4 ���� 2008.
  9. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov. Silicon based quantum dot nanostructures. Fourteenth APAM Conference ILTP Workshop on Nano Science and Technology APAM General Assembly, Delhi, 18-20 of November, India.
  10. A.G.Pogosov, M.V.Budantsev. Coulomb Blockade in a Suspended Quantum Dot. ���������-����������� C�������� "Nanophotonics and Nanoelectronics: Materials and Physics" 25-27 ������� 2008 �. �����������.
  11. �.�.�����, �.�.������������, �.�.�����������. ��������������� � ���� �� ������������ ������������ ���������. ������ �� ������ ��������� ��� �� ��������������� � �������������� �����������, ������� 2008.
  12. �.�.������������, �.�.������. ���������� ������������� � ���������� ������� ��� �������������� ��-���������. ������������ ������ �� ������ ������ ��� �� �������� �������-���������� ������ ����������������. ������,2008.

Top

2007

Articles:

  1. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure.- Phys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, � 2, p. 442-444.
  2. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Leit?o, N.A. Sobolev. MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si. - Phys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, � 2, p. 262-264.
  3. �.�. �������, �.�. �������, �.�. ������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������������. ����������� �� ������ ������������� ��������������� ��������� ����� ������� � ���������� � �������������� �� ������ GexSi1-x � ������ ������ �������������. - ������ � ������� ���������������, 2007, �. 41, ���. 8, �. 950-954.
  4. �.�. ������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ������������. �������� ��������� � ������������� ���������, ������������ ����������� ������������ ���������� ������� Ge/Si. - ������ � ����, 2007, �. 85, ���. 9, �. 527-532. (pdf)
  5. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov. Pulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dots. � in: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures, edited by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko and V.S. Gurin (World Scientific Publishing Co. Ltd., Singapore, 2007), p. 435-438.
  6. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. Yakimov. Raman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dots. � Proc. SPIE, 2007, v. 6728, p. 67281U.
  7. O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev. MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics. � Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2007, doi:10.1016/j.jpcs.2007.07.056.
  8. �.�. ������, �.�. ���������, �.�. ������������. ����������� ��������� ����� � ������� ��������� ������ Ge/Si. - ������ � ����, 2007, �. 86, ���. 7, �. 549-552.
  9. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Hole states in Ge/Si quantum-dot molecules produced by strain-driven self-assembly. -J. Appl. Phys., 2007, v. 102, � 20, p. 103701. (pdf)
  10. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, , V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, A.K. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Zh.V. Smagina. Pulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO2. - Appl.Phys.Lett., 2007, v. 90, p. 133120. (pdf)
  11. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov. SiGe nanodots in electro-optical SOI devices. - In: Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p. 113-128.
  12. �.�. ���������, �.�. �������, �.�. ������������. �������� �������� ���������� ��� ��������� ���������� � ��������� ������� ������������� ��������� �����. - ����, 2007, �. 132, �. 436�446.
  13. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Energy spectrum and structure of thin pseudomorphic InAs quantum wells in an AlAs matrix: Photoluminescence spectra and band-structure calculations. - Phys. Rev. B, 2007, v. 76, 155309.
  14. �.�. ��������, �.�. �����, �.�. ������������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. ��������, �.�. �������. ���������� XAFS-������������� ��� ������������ �������������� � ������������ �������� ��������� �����. � �����������: �������������, ���������� � ���������� ������������, 2007, �1, �. 31-40.
  15. �.�. ��������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ������. ���������� ���������� �������������������� � ������ ���������� ������� �����. - ������ � ����, 2007, �. 86, ���. 294.
  16. �.�. �������, �.�. ������, �.�. ���������, �.�. ������, �.�. ��������. ���������� �������������� ������� ��� ���������� ����������. - ����- � �������������� �������, 2007, � 9, ���. 55-61.
  17. �.�. ������, �.�. ��������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. �������. ������������� � �������������� �� ������ ����������� ������. � ����� � ��������������: ��������� ������� ������ ���������� ���������� ��������� ���, 22 ������� 2006. � �����������: ������������ �� ���, 2007, ���. 136-146.
  18. �.�.�����, �.�.������������. ��������� �������������: ������ � ����������. � ����� � ��������������: ��������� ������� ������ ���������� ���������� ��������� ���, 22 ������� 2006. � �����������: ������������ �� ���, 2007, ���. 11-25.
  19. A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti, A. Rastelli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, O. G. Schmidt, L. Miglio. Critical shape and size for dislocation nucleation in Si1-xGex islands on Si(001). - Phys. Rev. Lett. 2007, v. 99, p. 235505-1 - 235505-4. (pdf)

Conference proceedings:

  1. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure. -Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 251-252. (������ ������)
  2. A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Molecular state of a hole in vertically coupled Ge/Si quantum dots produced by strain-driven self-assembly. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 257-258.
  3. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler and A.K. Gutakovskii. Size control of Ge nanocrystals formed on SiO2 during pulse ion-beam assisted deposition for non-volatile memory. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 189-190.
  4. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo. ESR of electrons localized on Ge/Si quantum dots. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 287-288. (������ ������)
  5. A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii. Strain distribution in quantum dot of arbitrary shape: analytical solution. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 226-227.
  6. F. Montalenti, S. Cereda, R. Gatti, A. Marzegali, G. Vastola, V.A. Zinovyev and Leo Miglio. Ge islands on Si(001): stability, evolution, elastic relaxation, and dislocation injection. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.97-99. (������ ������)
  7. N.V. Vandysheva, S.I. Romanov, A.V. Bublikov, A.A. Lomzov, D.V. Pyshnyi. Silicon microchannel array for optical DNA-sensors. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.151-152. (������ ������)
  8. M.N. Cheyukov, S.I. Romanov, V.V. Kirienko, A.K. Gutakovskii. A promising SOI technology for producing nanostructures. - Proceedings of 15th International Symposium �Nanostructures: Physics and Technology�, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 168-169.
  9. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko. XAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities. Proceedings of the15th Int. Symp. �Nanostructures: Physics and Technology�, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007, � 2007 Ioffe Institute, p. 95-96. (������ ������)

Thesis:

  1. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V. Spesivtzev. Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device.- 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 321.
  2. V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtzev. Method of the homogeneous array of Ge nanocrystals nucleation and growth on SiO2 for non-volatile memory device. - International Conference �Micro- and nanoelectronics � 2007� (ICMNE-2007), 2007, October 1-5, Zvenigorod, Moscow region.
  3. �.�. �������, �.�. ��������, �.�. ������������, �.� ���������. ������� ���� ������ � ��������� � ���������� ������� Ge, ����������� � SiO2. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �.415.
  4. �.�. �������, �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ���������. ���������� ���� � ������� ���������-��������� ��������� ����� ��� ������������� ��������-������������ ��������������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �.302.
  5. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots.- International conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (������ ������)
  6. A.V. Nenashev, S.V. Ryabtzev, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Modeling of excitation and relaxation processes in hopping conductivity of quantum dot array. International conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (������ ������)
  7. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo. EPR of electrons localized on Ge/Si quantum dots. - E-MRS, May 2007, Strasburg.
  8. J.P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, N. Stepina, M. Carmo, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev; D. Lobanov, Z. Krasilnik. Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers. - E-MRS, May 2007, Strasburg.
  9. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, Z.V. Smagina, V.A. Volodin, J.P. Leitao, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev. MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation. - International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319.
  10. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. do Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov and E. Alves. Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures. - International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319.
  11. �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������������, �.�. ������, �.�. �������, �.�. ��������. �������� ���������� � �������� ��������� � ������� ��������� ��������� ��������� �����. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �. 242. (������������ ������)
  12. �.�. ���������, �.�. ������������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ���������, R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo. ��� ����������, �������������� �� Ge/Si ��������� ������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �. 260.
  13. �.�. �������, �.�. ������������. ������������� ������� ���������� � ��������������� � ��������� ������ ������������ �����. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �. 283.
  14. �.�. �������, �.�. ��������, �.�. �������, �.�. ����������, �.�. ������������. ���� � ������������ �� �������� ��������� Ge �� Si ��� ���������� ������ ����������� � ��������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �. 86. (������ ������)
  15. �.�. �������, �.�. ��������, ����������� ��������� � ����������� ��������������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 246. (������������ ������)
  16. �.�. ��������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ������. ������������� ��������� ���������� ������� �����: ������� ������� ��� ���������� �������� ����� � ������� ���������? - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 201.(������ ������).
  17. �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. ������, �.�. ������. ���������� ���-������ �� ������ ���������� �������������� �������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 409.
  18. �.�. ������. ����������� ��������� � ���������������� Ge/Si � ����������� ������������ ���������� �������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 241. (������������ ������)
  19. A.V.Dvurechenskii. Silicon based quantum dot nanostructures: Physics and Technology. - Book of Abstracts Intern. Conf. �Micro- and Nanoelectronics-2007�, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01.(������������ ������)
  20. �.�.������������, �.�.������, �.�.�������, �.�.��������. ��������� ����� � ��������� ���������� ����������. - 3-� ���������� ����������� �� ������ ���������������. ������, 17-22 ����, 2007, ���. 8-9. (������������ ������)
  21. A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, P.L. Novikov, V.A. Armbrister, V. Kesler. A. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Z.V. Smagina, R. Groetzschel. Pulsed Low-energy Ion-beam Induced Nucleation and Growth of Ge Nanocrystals on SiO2. - MRS Spring Meeting. 9-13 April, 2007, San Francisco, USA, p.245. (������ ������)
  22. �.�.������������. ������������ ������� � ������������ � ���������� �������. - ������ ������������� ������ ����� �� ������ ���������������, 1-5 ����� 2007, ����� ���������. (������ ������)
  23. A.V.Dvurechenskii. Germanium Quantum Dots in Si: Physics and Application. - Abstract of 6-th Intern. Conf. �Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (��������� ������)
  24. �.�. ��������, �.�. �����, �.�. �������, �.�. ������������, �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������. ���������� ����������� Ge/Si ������������ � ���������� �������. - Physics and technology of thin films and nanosystems � XI International Conference, 7-12 ���, 2007, �����-���������, �������, �. 214-215. (������ ������)
  25. E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov and A.I. Yakimov. Pulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dots. - Physics, chemistry and application of nanostructures. Review and Short Notes to Nanomeeting, 2007, Minsk, Belarus, pp. 435-438. (������ ������)
  26. Gatskevich E.I., Ivlev G.D., Volodin V.A., Dvurechenskii A.V., Efremov M.D., Nikiforov A.I., Yakimov A.I. Raman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dots. - International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2007) May 28-June 1, 2007. Minsk, Belarus. P. 88. I02-13.
  27. �.��.��������, �.��.�������, �.��.����������, �.��.�������������. ������������ ����������� ������� � ������������ ���������� � ����������� ����������� �������� Ge/Si ��������� �����. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 264.
  28. S.B.Erenburg, N.V.Bausk, A.I.Nikiforov, A.V.Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev, S.Nikitenko. Microstructure of quantum dots ensembles by XAFS spectroscopy. Abstracts of the 24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-24), July 22-27, 2007, Albuquerque, New Mexico, U.S.A., XPo-34.
  29. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, S.Nikitenko. XAFS spectroscopy for study microstructure and energy spectrum peculiarities of Ge quantum dots in Si matrix. Abstracts of the International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), May 20-24 2007 Marseille, France, p. 425-426.
  30. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko. Microstructure of �Artificial� Quantum Dots Molecules by XAFS Spectroscopy. Abstracts of the International Conference on Materials for Advanced Technologies 2007 (ICMAT 2007), 1-6 July, Singapore. (������ ������, �� �� ��� ������)
  31. �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. �����, �. ���������, �.�. ������������. XAFS- ������������ ������� ������� ����������� ����� �� ��������� ������������ �������� � ���������� �������. ������ VI ������������ ����������� �� ���������� ��������������, �������������� ���������, ��������� � ���������� ��� ������������ ����������, 12-17 ������ 2007, ������, ������. (������ ������, �� �� ��� ������)
  32. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.Nikitenko. XAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities. 15th Int. Symp. �Nanostructures: Physics and Technology�, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007 (������ ������).
  33. �.�.����������, �.�.���������, �.�.�����, �.�.�����������, �.�.������������, �.�.�����������, �.�.���������, �.�.�������. ���������������� Ge/Si �������������� � ���������� �������. ������ 3 ���������� ����������� �� ������ ��������������� (� ������������� ��������). ������, 17-22 ����, 2007, ���.89. (������ ������).
  34. �.�. ������������, �.�. ������, �.�.���������, �.�.�������, �.�.�������, �.�. ���������, �.�.����������. ����������� ��������� � ������� ������� ��������� ����� Ge/Si, Ge/SiO2/Si. ������ 8-�� ���������-���������� ������� ����������� � ����������������, ���. 38, 7-8 �������, ����, ������� (������������ ������).

Invited reports:

  1. �. �. �������, �.�. ���������, �.�. ������������, �.�. ������, �.�. �������, �.�. ��������. �������� ���������� � �������� ��������� � ������� ��������� ��������� ��������� �����. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, �. 242.
  2. �.�. �������, �.�. ��������, ����������� ��������� � ����������� ��������������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 246.
  3. �.�. ������. ����������� ��������� � ���������������� Ge/Si � ����������� ������������ ���������� �������. - ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, 2007, 30 �������� - 5 �������, ������������, ���. 241.
  4. A.V.Dvurechenskii. Silicon based quantum dot nanostructures: Physics and Technology. - Intern. Conf. �Micro- and Nanoelectronics-2007�, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01.
  5. �.�.������������, �.�.������, �.�.�������, �.�.��������. ��������� ����� � ��������� ���������� ����������. - 3-� ���������� ����������� �� ������ ���������������, 17-22 ����, 2007, ������. (���������).
  6. �.�.������������. ������������ ������� � ������������ � ���������� �������. - ������ ������������� ������ ����� �� ������ ���������������, 1-5 ����� 2007, ����� ���������.
  7. A.V.Dvurechenskii. Germanium Quantum Dots in Si: Physics and Application. - Abstract of 6-th Intern. Conf. �Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (���������)
  8. �.�.������������. ��������� ������������� �� ������ ������� � ������ � ����������. - 4-� ���������� ����������� � ������������� �������� �� ������, ���������������� � ������-���������� ������� ���������� ��������� ������������ ���������� ������� � ��������� �������� �� �� ������ (�������-2007). 3-6 ���� 2007, ������, ����� (���������).
  9. �.�.������������. �������� �������������� � ���������� ������������� ���������� � ������� ����������������� �������������� ��� ����- � ���������������. - ��������� �� �������� �������� � ���������� � �������������� ������������� ���������� � ������� ��������������, 5 ���� 2007, ������, ��������������� ���� ������������ �������� ��, ������� ������� �������.
  10. �.�.������������. �� ����������� ������������ ����������������� �������������� � ��������� ��� ����-, ���-, ������� � �����������-������� ����������� � ��������� ����������� ������. - ��������������� ����� �� ������������ � ������-����������� �������� ��������������� ���������� ���������� �����������, 4 ���� 2007, ����.
  11. A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov. Si-based quantum dot structures for nanodevices. - Second Joint Chine-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SBRAS, 25 July 2007, Novosibirsk.
  12. �.�. ������������, �.�. ������, �.�.���������, �.�.�������, �.�.�������, �.�. ���������, �.�.����������. ����������� ��������� � ������� ������� ��������� ����� Ge/Si, Ge/SiO2/Si. ������ 8-�� ���������-���������� ������� ����������� � ����������������, ���. 38, 7-8 �������, ����, �������

Top

2006

Articles:

  1. �. �. ������, �. �. ������������, �. �. �������, �. �. �������. ���������� ����������� ��������� � ������������ ����������� ���������������� Ge/Si � ���������� ������� 2-�� ���� // ������ � ����, 2006, �. 83, ���. 4, �. 189�194.
  2. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, V.�A.�Volodin. Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy // Phys. Rev. B, 2006, v. 73, 115333. (pdf)
  3. �. �. ������������, �. �. ���������, �. �. �������, �. �. ������, �. �. �������, �.��.���������. �������� ������� � ���������������� Ge/Si � ���������� �������. �������� �����. ��������� ����������� �������, 2006, �2, �. 15�25. (pdf)
  4. �. �. �������, �. �. ������, �. �. �������, �. �. ������������, �. �. �������, �.��.�������, �. �. ��������, �. �. ���������, �. �. ������, �. �������, �. �. �����. ���������������� �� ������� ���������-��������� ��������� ����� Ge/Si. ����, 2006, �. 130, � 2, �. 309�318. (pdf)
  5. G. Capellini, M. De Seta, and F. Evangelisti, V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio, "Self-Ordering of a Ge Island Single Layer Induced by Si Overgrowth", Phys. Rev. Lett. 2006, v.96, 106102. (pdf)
  6. �.�. �������, �.�. ������, �.�. ������������, �.� �������, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. �����, �.�. �������. ����������� ��������� ����� � �������������� Ge/Si ���������� �������� ����������. � ������ � ������� ���������������, 2006, �.40, ���. 2, 207-214.
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, N.P. Stepina, J.P. Let?o, N.P. Sobolev, L. Pereira, M.C. do Carmo. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots. � Phys. Stat. Sol. (c), 2006, v.3, � 2, 296-299. (pdf)
  8. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon: Growth, Electronic Transport, Optical Phenomena, and Devices (Review). � in: Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Volume 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY), p. 33-102, 2006.
  9. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Ulyanov, V.A. Volodin, and R. Groetzschel. Effect of growth rate on the morphology and structural properties of hut-shaped Ge islands in Si(001). � Nanotechnology, 2006, v.17, � 18, 4743-4747. (pdf)
  10. �.�. ������������, �.�. ������, �.�. �������, �.�. ��������, �.�. �������, �.�. �����, �.�. ���������. ����������� ��������� ����� � Ge-Si �������������� ��� ���������� �������� �����������. � �������� ������������ �������� ���� ��������: ����� ������-�������������� ����, 2006, v.2, 74-77.
  11. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii. Localization of electrons in multiple layers of self-assembled Ge/Si islands. � Applied Physics Letters, 2006, v.89, � 15, 153116. (pdf)
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov. Germanium Self-Assembled Quantum Dots in Silicon for Nano- and Optoelectronics (Review). �Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2006, v.1, � 2, 119-175. (pdf)
  13. �. �. �������, �. �. ��������, �. �. ������, �. �. ���������, �. �. �������, �. �. �������, �. �. ������. ����������� ������� � �������� ����������� ��������� �����, ������ � ����, 2006, �.83, �. 152.
  14. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, V.G. Mansurov, A.Y. Nikitin, V.V. Preobrazhenskii, K.S. Zhuravlev. Transport properties of the two-dimensional electron gas in GaN/AlGaN heterostructures grown by ammonia molecular-beam epitaxy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2006, v.203 (9), 2186-2189.
  15. �.�.������������. ������ ���� 40 ���. �������� �����. ��������� ����������� �������, 2006, �2, �. 72-74. (pdf)
  16. V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio, Accurate and analytical strain mapping at the 3 surface of Ge/Si(001) islands by an improved flat-island approximation", Surface Science, 2006, v. 600, p.4777-4784.
  17. A.V. Dvurechenskii, P.L. Novikov, Y. Khang, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii. Dense arrays of Ge nanoclusters induced by low-energy ion-beam assisted deposition on SiO2 films, Proc. SPIE, 2006, v.6260, p.626006-626006A-8. (pdf)
  18. A.F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, Spin relaxation of holes in Ge quantum dots Proc. SPIE, 2006, v. 6260, 62600K-62600K8. (doc)
  19. A.Lomzov, N.Vandysheva, Al.Bublikov, D.Pyshnyi, S.Romanov Silicon Microchannel Array as a Basis of Biosensor Device, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. V. 915, p.0915-R03-06.

Conference proceedings:

  1. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Fluctuation-stimulated spin relaxation in array of Ge quantum dots // 14 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, June 26�30, 2006, p. 363�364.
  2. A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, Zh.V. Smagina, A.K. Gutakovskii and V.N. Brudnyi. Homogeneous arrays of Ge nanocrystals grown by pulsed ion-beam nucleation during deposition on dielectric. � Proceedings of 14th international symposium �Nanostructures: physics and technology�, 2006, June 26-30, St Petersburg, p.101-102.
  3. �.�. ������ ��������� �������� ��������-��-���������� ��� ��������� ����������������, ��������� ���������� � ���������. ������������� ����������� ������������� �������� ���������� � ���������: ��������� �����������.- �.: ����. 2006.- ���. 230-231
  4. A.�G.�Pogosov, M.�V.�Budantsev, R.�A.�Lavrov, A.�Ye.�Plotnikov, A.�K.�Bakarov, A.�I.�Toropov and J.�C.�Portal, Suspended single-electron Coulomb blockade transistor, Proceedings of 14th international symposium �Nanostructures: Physics and technology�, 230-231, St. Petersburg, Russia, 2006.
  5. �. �. ������������, �. �. ���������, �. �. �������, �. �. ������, �. �. �������, �.��.���������. �������� ������� � ���������������� Ge/Si � ���������� �������. ��������� �� ��������� ��������������� ������������: ����-��������� ������� � ������� ����� � �����������. 20-21 ������ 2006, �����-���������.
  6. M.�V.�Budantsev, A.�G.�Pogosov, A.�E.�Plotnikov, A.�K.�Bakarov, A.�I.�Toropov and J.�C.�Portal, Observation of quantum Hall ferromagnetic state in nanostructured quantum wire, Proceedings of 14th international symposium �Nanostructures: Physics and technology�, 212-213, St. Petersburg, Russia, 2006.
  7. V. A. Zinovyev, G. Vastola, F. Montalenti, and Leo Miglio, Strain mapping at the surface of nanometric Ge/Si(100) 3D islands, 14th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 26-30, 2006, 361-362.

Thesis:

  1. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. Bloshkin. Localization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure. � International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 286.
  2. A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Letao, and N.A. Sobolev. MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si. � International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices (Istanbul, Turkey, 30 July-04 August, 2006), p. 233.
  3. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Spin relaxation in tunnel-coupled Ge/Si quantum dot arrays // Russian-Swiss seminar "Excitons and excitonic condensates in confined semiconductor systems", Moscow, September 10�15, 2006, p. 50.
  4. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, N. A. Sobolev, J.P. Leitao, M. C. do Carmo Long time transient photoconductivity via two-dimensional Ge/Si quantum dots, Abstracts for 4 International conference on semiconductor quantum dots 2006, p.203.
  5. A. V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A. V. Nenashev Electronic structure of complex exitons and optical transitions in type-II Ge/Si quantum dot heterostructures, Russian-Swiss Seminar (Moscow, Russia, September 10-15 , 2006), Abstracts p.25.
  6. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, J.P. Leitao, N. A. Sobolev, M. C. do Carmo Effect of light illumination on the conductivity of the tunnel-coupled Ge/Si quantum dots, International conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.37
  7. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Y. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev Quantum dots array energy spectrum tuning with laser pulse action, International conference on the Physics of semiconductors 2006, WeA2k.41.
  8. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.Novikov. SiGe Nanodots in Electro-Optical SOI Devices. NATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine.
  9. �. �. ������������, �. �. �������, �. �. �������, �. �. ��������, �. �. ����������, �. �. �����������, �. �. ������, R. Groetzschel ���������� � ���� ������� �������������� Ge �� SiO2 ��� ���������� ������ ����������� � �������� ��������� �� ������������ ������, ��������� VII �������������� ���������-����������� �������� ����������� � ����������������, ���. 29
  10. �.�. ������������. ��������� ����� �� ������ Ge � Si. ����������� ������������� ������� ����������� ���������-������� � ������� ������ �����-12, 22-30 �����, 2006 �.
  11. �.�.������������, �.�.������, �.�.��������, �.�.�����, �.�.���������, �.�.�������. ������������� � ���������� �������. 16-� ������������� ����������� �� ������������� �������������� ���������. 10-14 ���� 2006, �����������.
  12. �.�.������������, �.�.������, �.�.�������, �.�.���������, �.�.�������, �.�.�������, �.�.���������� �.�.��������, �.�.�����������, �.�.������, �.�.�������, �.�.�������. ���������� ������������� � ���������� �������. III ���������� ��������� �� ����� ���������� � ������ � ������������ �� ���������� ������� � ������������ ������������ (�������-2006), 04-06 ���� 2006, ����������.

Invited reports:

  1. �.�. ������������. ��������� ����� �� ������ Ge � Si. ����������� ������������� ������� ����������� ���������-������� � ������� ������ �����-12, 22-30 �����, �����������, 2006 �.
  2. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina, V.V.Kirienko, P.L.Novikov. SiGe Nanodots in Electro-Optical SOI Devices. NATO Advanced Research Workshop. Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices. 15-19 October, 2006, Crimea, Ukraine.
  3. �.�.������������, �.�.������, �.�.��������, �.�.�����, �.�.���������, �.�.�������. ������������� � ���������� �������. 16-� ������������� ����������� �� ������������� �������������� ���������. 10-14 ���� 2006, �����������.
  4. A.V.Dvurechenskii. Spin related phenomena in array of coupled Ge quantum dots in Si. Institute of Semiconductors. Beijing, June 9, Chine.

Top

2005

Articles:

  1. A.F.Zinovieva, �.V.Nenashev, A.V.Dvurechenskii, �Hole spin relaxation during tunneling between coupled quantum  dots�, Phys. Rev. B 71, 033310 (2005). (pdf)
  2. �.�. ���������, �.�. �������, �.�. ������������, ��������� ���������� ����� � Ge ��������� �������, ������ � ����, ��� 82, ���. 5, �. 336-340. (pdf)
  3. A.F. Zinovieva, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii  "Spin Transport And Spin Relaxation In Ge/Si Quantum Dots" // Physics of Semiconductors, AIP conference Proceedings, 2005, vol.772, 1393.
  4. A. V. Dvurechenskii, Zh. Smagina, V. Zinoviev, P. Novikov. Quantum dot size tuning and self-organization with pulsed ion beam nucleation and growth of Ge/Si nanostructures. // Physics of Semiconductors, AIP conference Proceedings, 2005, vol.772, 607.
  5. S. Erenburg, N. Bausk, A.Nikiforov, A. Yakimov, A. Dvurechenskii, G. Kulipanov, S. Nikitenko. Determination of quantum dot structural parameters by XAFS spectroscopy. // Physics of Semiconductors, AIP conference Proceedings, 2005, vol.772, 585.
  6. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu.Smirnov, G. O.Andrianov, Y.M. Galperin, A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, O.A.Mironov, M.Mironov, T.E. Whall. Acoustoelectric Effects in Ge/Si-based nanosystems. // Physics of Semiconductors, AIP conference Proceedings, 2005, vol.772 , 1212.
  7. �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ��������, �.�. ���������. Ge/Si ��������� � ��������������� �� ����������� ������ ��������� ����� Ge ��� ���������-���������� ����� �����. � ������ �������� ���� 47, ���. 1, 37-40 (2005). (pdf)
  8. �.�. ��������, �.�. ������������, �.�. ���������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. �������, �.�. ������. ������������������� Si-Ge-GaAs ��� ����������������� ����������������. � ������ �������� ���� 47, ���. 1, 63-66 (2005).
  9. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.I. Kozub, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Yakimov and A.I. Nikiforov. AC-hopping conductance of self-organized Ge/Si quantum dot arrays. � Physica E 26, � 1-4, 450-454 (2005).
  10. �.�. ������, �.�. ������������, �.�. �������, �.�. �����������, �.�. ���������, �.�. �������. ��������� ������������ � ����������� ���������� � ��������� �������� ��������� ����� Ge/Si. � ���� 127, ���. 4, 817-826 (2005). (ps)
  11. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.V. Peregoedov, A.I. Nikiforov. Hopping photoconductivity and its long-time relaxation in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. � Phys. Stat. Sol. (c) 2, � 8, 3118-3121 (2005).
  12. �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ���������. ������������� �� ����  �������������� Ge/Si � ���������� ������� Ge ��� ���������-���������� �����  �����. � ����- � �������������� ������� 5, 19-29 (2005). (doc)
  13. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Germanium self-assembled quantum dots in silicon: growth, electronic transport, optical phenomena, and devices. � in: Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY, 2005), p. 1-70.
  14. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Yu. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev. Effect of pulsed laser action on hole energy spectrum of Ge/Si self-assembled quantum dots. � Phys. Rev. B 72, � 11, 115318 (2005). (pdf)
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov and A. A. Bloshkin. Capacitance spectroscopy of electronic states in Ge/Si quantum dots with a type-II band alignment. �Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 20-25, 2005, 394-395.
  16. I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu.Smirnov, Y.M. Galperin, A.V. Suslov, A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov. Mechanisms of low-temperature conductance in systems with dense array of Ge0/7Si0.3 quantum dots in Si. �Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 20-25, 2005, 248-249.
  17. �.�.�������, �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ���������, �. �. �������, �.�. ��������, �.�. �����, �.�. �������. ����������� ��������� ����� � �������������� Ge/Si ���������� ����������. � ��� 240, ���.2, 207-214 (2006)
  18. A. V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R.Groetzschel, V.A. Zinoviev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-epitaxy. Surface & Coating Technology V.196, No.�1-3, 25-29 (2005)(pdf)
  19. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov. Quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities. Physica Scripta, 115, 2005, 439-441
  20. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, M.D. Efremov, G.D. Ivlev and A.I. Nikiforov. Modification of size distribution in array of Ge nanoclasters in Si by nanosecond pulsed laser beam action. Proc. of the First International Workshop on semiconductor Nanocrystals SEMINANO 2005, September 10-12, Budapest, Hungary, pp. 59-62.

Monographs:

Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, NY, 2005). A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Germanium self-assembled quantum dots in silicon: growth, electronic transport, optical phenomena, and devices. p. 1-70.

Thesis:

  1. 1.V.A. Volodin A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, G.Yu. Mikhalyov. Nanoimpulse laser treatment on quantum dots in Ge/Si nanostructures. 5-� ����������-���������� ������� ������������������ ������ � ������� �� �� �������, 1-5 ���� 2005, �����, ��������.
  2. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.V. Kirienko, A.I.Nikiforov, N.P. Stepina. Silicon Photodetrectors with Self-Assembled Ge Quantum Dots For Near- and Midinfrared Operation. Abstracts of MRS Spring Meeting, March 28 � April 1, 2005, San Francisco.
  3. �.�. �������, �.�.������������, �.�. ����������, �.�.�������, �.�. ��������, �.�. �������. ���������� ������ �������������, ���������� ���������� �� �����-������������ ������. ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, ��������������� 2005� , 18-23 �������� 2005�., ����������, �.160.
  4. �.�. �������, �.�. ���������, �.�. ������������. ���������� ����� ��� ���������� � ��������� �������� Ge/Si ��������� �����. ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, ��������������� 2005� , 18-23 �������� 2005�., ����������, �.260.
  5. �.�. �������, �.�. ������, �.�. ������������, �.�. �������, �.�. ��������, �.�. ���������. ���������������� �� ������� ���������-��������� ��������� ����� Ge/Si. ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, ��������������� 2005� , 18-23 �������� 2005�., ����������, �.110.
  6. �.�. ������, �.�. ������������, �.�. ���������, �. �. �������, �.�. ��������, �.�. �����, �.�. �������. �������������� ������ ����� � ��������� ������ Ge/Si, ���������������� ���������� �������� ����������. ������ �������� VII ���������� ����������� �� ������ ���������������, ��������������� 2005� , 18-23 �������� 2005�., ����������, �.254.
  7. �.�. �������, �.�. ������������, �.�. ����������, �.�. �������, �.�. ��������. ���������� ����������� � ���������� ������ ������ Ge ��� ���������� ������ ����������� � �������� ��������� Ge/Si�. ����� ����������� ������������� ����������� "�������������� ����� � ������������ ���-2005", 25-29 ������� 2005�., �. ����������, ������, �. 99-101
  8. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kulipanov, W. Bras, S. Nikitenko. XAFS- spectroscopy application to study materials, containing quantum dots. Abstracts of the 13th General Conference of the European Physical Society "Beyond Einstein - Physics for the 21 Century". Conference I: Photons, lasers and quantum statistics, 8 - 15 July 2005, Bern, Switzerland, PP-46-TUTH, p.47
  9. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, A.I.Toropov, V.G.Mansurov, G.N. Kulipanov, W.Bras, S.Nikitenko. Quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities by XAFS spectroscopy. Abstracts of"19th Nuclear Physics Divisional Conference - New Trends in Nuclear Physics Applications and Technology", Pavia, Italy, 5-9 September 2005, p.53
  10. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, A.I.Toropov, V.G.Mansurov, G.N. Kulipanov, W.Bras, S.Nikitenko. X- ray absorption spectroscopy application to study materials containing quantum dots. Abstracts of 24th International Conference on Photonic, Electronic and Atomic Collisions (24ISPEAC 2005), Rosario, Argentina, July 20 - 26, 2005
  11. �.�.��������, �.�.�����, �.�.������������, �. �.�������, �.�.�������, �.�.���������, �.�.��������, �.�.��������, �.�.�������. ���������� XAFS- ������������� ��� ������������ �������������� � ������������ �������� ��������� �����. ������ V ������������ ����������� �� ���������� ��������������, �������������� ���������, ��������� � ���������� ��� ������������ �������������� � ����������. 14 - 19 ������ 2005 ����, ������
  12. �.�.��������, �.�.�����, �.�.������������, �. �.�������, �.�.�������, �.�.���������, �.�.��������, �.�.��������, �.�.�������. ������ VII ������������� ����������� "����������� ���������������� (����) ������". 22-24 ������ 2005 ����, �. ����������, ������
  13. A.F.Zinovieva, �.V.Nenashev, A.V.Dvurechenskii. Spin relaxation of holes in Ge quantum dots. Abstracts of International Conference �Micro- and nanoelectronics 2005�, October 3-7, Moscow, Zvenigorod, Russia. (doc)
  14. A. V. Dvurechenskii, P.L. Novikov, Y.�Khang, J.V. Smagina, V.A. Armbrister, A.K. Gutakovskii. Dense array of Ge nanoclusters indu�ed by low-ebnergy ion-beam assisted deposition on SiO2 films. Abstracts of International Conference �Micro- and nanoelectronics 2005�, October 3-7, Moscow, Zvenigorod, Russia.
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in two-dimensional arrays of Ge/Si quantum dots.�11th International Conference on Transport in Interacting and Disordered Systems, August 21-26, 2005, Egmond, the Netherlands, p. 72.
  16. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, V.V. Kirienko and A.I. Nikiforov. Single-photon detection in mesoscopic structures with two-dimensional array of quantum dots, Abstracts of International Conference �E-MBE-13�, Grindelvald, Switzerland, March 2005.

Invited reports:

  1. �.�. ������������, �.�. ���������, �.�. ��������, �.�. ������. �������� ������ ��� � ���������� ���������� ��������� ������������� ����� � ������������ GeSi. 6-� ������������� ���������-���������� ������� ����������� � ����������������, 14-17 �������� 2005 �., ����.
  2. �.�. ������������. ���������� ������������� � ���������� �������: ��������� � ����������. � ���������� ����� ������ � ������� ������������ �� ������, ���������������� � ���������� ��������� ������� � ��������� �������� �� ��� ������. ��������. �����-2005�, 4-7 ����, 2005.

Top

Last update: 05/07/2010

© www.isp.nsc.ru/24