Изучено влияние продольного электрического поля поверхностной акустической волны (ПАВ) на кинетику экситонной фотолюминесценции (ФЛ) в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода с X_Z и X_XY нижним электронным состоянием. Обнаружено, что применение электрического поля ПАВ приводит сначала к увеличению интенсивности ФЛ свободных экситонов, а затем к ускорению всех типов экситонных переходов. Показано, что оба эффекта являются результатом взаимодействия носителей заряда, выброшенных электрическим полем ПАВ с мелких уровней, образованных флуктуациями толщины слоев СР 1) друг с другом и 2) с экситонами. В первом случае, носители заряда формируют добавочные экситоны, что приводит к увеличению их интенсивности ФЛ. Во втором случае, соударение этих носителей заряда с экситонами, описываемое законом Таунсенда-Шокли (W=W₀*exp(-E_A/e×F×l_eff)), приводит к делокализации экситонов с их последующим захватом на центры безызлучательной рекомбинации, что и вызывает ускорение кинетики экситонной ФЛ. Д.В.Гуляев