События

В понедельник, 20 октября 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00    Новогодний Семинар
"Физика конденсированного состояния – 2025 в мире, в России, в ИФП"

В среду 19 ноября 2025 г., в 10-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Кумар Ниранджан
«Фазовый переход и динамика фононов в HgSe»

В четверг, 09.10.2025 в 10-30
в конференц-зале ЛТК состоится
Семинар лаборатории №1: "Флуктуационный кондктанс двумерного полуметалла". Докладчик: З.Д. Квон

ИФП СО РАН объявляет дополнительный приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

Во вторник 26.08.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Пономарев Сергей Артемьевич
«Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте»

Важное







Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

СОТРУДНИКИ

Милахин Денис Сергеевич

заведующий лабораторией,
к.ф.-м.н., н.с.

Контакты:

раб. тел.: 8(383) 330-44-74
моб. тел.: 8(923) 143-70-37
E-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Научная деятельность заключается в теоретическом и экспериментальном изучении физических процессов, протекающих при формировании полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) А3-нитридов методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака (NH3-МЛЭ) на подложках сапфира (Al2O3), кремния (Si) и карбида кремния (SiC) для СВЧ и силовых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) и для УФ фотоприемников солнечно-слепого и видимо-слепого диапазона длин волн, а также в формировании и исследовании А3-нитридных низкоразмерных (графеноподобные слои, квантовые точки) объектов.

В 2021 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по направлению 01.04.10 «Физика полупроводников» на тему «Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии».