СОТРУДНИКИ
![]() |
Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович м.н.с. |
Область интересов:
Получение нестехиометрических диэлектриков путем обработки в плазме электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР). Исследование влияния вакансий кислорода на проводимость SiO2 и high-k диэлектриков, обработанных в водородной ЭЦР плазме. Разработка МДМ/МДП наноструктур, применимых в качестве элементов резистивной ReRAM-памяти и исследование их резистивных свойств. Определение механизма транспорта заряда в мемристорных МДМ/МДП наноструктурах.







В пятницу, 26 декабря 2025 г. , в 10.00 


![[Центр коллективного пользования]](/img/logo-ckp.gif)
![[Контакты]](/img/contacts.gif)
![[Служба webmail]](/img/webmail_new.gif)
![[Библиотека]](/img/lib_new.jpg)
![[Закупки]](/img/gos.gif)