События

В среду, 24 апреля 2024 г., в 14-00 в актовом зале админ. корпуса состоится
Торжественное заседание Ученого совета, посвященное 60-летию Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
04.04.24
Конкурс научных работ ИФП 2024 года будет проходить 8 и 9 апреля в конференц зале АК
В понедельник, 1 апреля 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
15 марта 2024 года.
В понедельник, 4 марта 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 26 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

Объявления

Во вторник, 12.03.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

Во вторник, 20.02.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 14.02.2024 в 15 ч.
состоится открытый онлайн-семинар ИФП СО РАН, на котором будет представлен обзорный доклад В. Д. Лахно “ДНК-нанотехнологии и нанобиоэлектроника”.

В четверг, 1.02.2024 в 15 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 24.01.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

27.12 в 15:00 в конференционном зале ТК планируется семинар лаб.№3.
В среду, 4 марта 2020, в 15 часов в КЗ ТК Семинар отдела физики поверхности

В среду, 4 марта 2020, в 15.00 в КЗ ТК состоится Семинар отдела физики поверхности

В.М. Ковалев, И.Г. Савенко

Плазмонная спектроскопия флуктуирующих сверхпроводников

Построена теория плазменного резонанса нормальных электронов в двумерных сверхпроводниках во флуктуационном режиме вблизи критической температуры, когда Tc >> T-Tc > 0. Показано, что взаимодействие нормальных электронов с флуктуационными куперовскими парами в рамках модели Асламазова-Ларкина приводит к значительной величине (до 20%) красного смещения плазменной частоты и к появлению дополнительного механизма затухания плазменных колебаний, который вблизи точки сверхпроводящего перехода превосходит как затухание Ландау, так и затухание плазмонов вследствие электрон-примесных столкновений.