События

Во вторник, 14 мая, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится защита диссертации...

Веб-трансляция

В среду, 24 апреля 2024 г., в 14-00 в актовом зале админ. корпуса состоится
Торжественное заседание Ученого совета, посвященное 60-летию Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
04.04.24
Конкурс научных работ ИФП 2024 года будет проходить 8 и 9 апреля в конференц зале АК
В понедельник, 1 апреля 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
15 марта 2024 года.
В понедельник, 4 марта 2024 г., в 15-00
в конференц-зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Объявления

Во вторник, 12.03.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

Во вторник, 20.02.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 14.02.2024 в 15 ч.
состоится открытый онлайн-семинар ИФП СО РАН, на котором будет представлен обзорный доклад В. Д. Лахно “ДНК-нанотехнологии и нанобиоэлектроника”.

В четверг, 1.02.2024 в 15 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

В среду, 24.01.2024 в 10 ч.
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар

27.12 в 15:00 в конференционном зале ТК планируется семинар лаб.№3.
Во вторник, 4 июня, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар.
Административный корпус 4 июня 2019 г.
Конференц-зал Вторник, 15:00

Докладчик - Рейх Константин Викторович
(ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург.)

Тема доклада:
Электронный транспорт в массиве квантовых точек

Массивы квантовых точек (QD), т.е. полупроводниковых наночастиц с типичными размерами 3-10 нм, перестали быть только объектом научных исследований и стали использоваться в электронных приборах. Привлекательность квантовых точек определяется в основном их оптическими свойствами, зависящими от размера QD. В докладе рассмотрены электронные свойства таких массивов. Во многом эти свойства наследуют свойства объемных полупроводников, но, в ряде случаях, существенно отличаются из-за дискретности размеров и специфического беспорядка в массиве: различию по размерам и расстоянию между квантовыми точками, а также количеству доноров. Так,  переход метал-диэлектрик в таких массивах происходит при намного большей концентрации доноров, нежели в объемном материале. Характер прыжковой проводимости в диэлектрической фазе существенно зависит от типа беспорядка, эффектов квантового конфайнмента, кулоновской блокады, интеграла перекрытия между точками.